《芯片用硅晶片的加工技术》由浅入深地介绍了半导体硅及集成电路的有关知识，并着重对满足纳米集成电路用优质大直径300mm硅单晶抛光片和太阳能光伏产业用晶体硅太阳电池晶片的制备工艺、技术，以及对生产工艺厂房的设计要求进行了全面系统的论述。
书中附有大量插图、表格等技术资料，可供致力于半导体硅材料工作的科技人员、企业管理人员和从事硅片加工的专业工程技术人员阅读参考，亦可作为高校及专业培训的教学参考书使用。

张厥宗，北京有色金属研究总院、有研半导体材料有限公司高级工程师。自1963年至今，一直从事我国半导体材料锗和硅领域的科研、试制、生产工作。1968-1984年从事硅的离子注入机研制及硅离子注入工艺研究等工作。1985年至今全程参与我国直径2英寸、3英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸硅抛光片产业领域的一系列科研、攻关、试制、生产项目工作。共获得国家、部市级奖15项（国家、部级科技进步二等奖4项、部级科技进步一等奖2项和三等奖4项、其他科技进步二、三等奖5项）。先后编著《硅单晶抛光片的加工技术》和《硅片的加工技术》，并参加《国内外半导体材料标准汇编》的编审工作。目前仍在为直径300mm硅抛光、外延片等项目工程的产业建设做相关技术工作。

第一篇 基础篇
第1章 概述
1.1 半导体工业的发展概况
1.2 中国半导体工业的发展历程
第2章 半导体材料硅的物理、化学及其半导体的性质
2.1 概述
2.2 半导体材料硅的基本物理、化学性质
2.2.1 半导体材料硅的晶体结构
2.2.2 半导体材料硅的电学性质
2.2.3 半导体材料硅的光学性质
2.2.4 半导体材料硅的热学性质
2.2.5 半导体材料硅的机械性质
2.2.6 半导体材料硅的化学性质
2.2.7 半导体材料的P-N结特性
第二篇 集成电路产业用硅片
第3章 硅片的制备
3.1 对集成电路用硅片的技术要求
3.2 表征半导体材料质量的特性参数
3.2.1 纯度
3.2.2 结晶学参数
3.2.3 电学参数
3.2.4 半导体晶片加工后的机械几何尺寸参数
3.2.5 半导体晶片表面状态质量参数
3.3 硅片质量控制中的几个相关的专用技术术语解释
3.4 硅片加工的工艺流程
3.5 硅晶棒（锭）的制备
3.5.1 直拉（Czochralski，CZ）单晶硅的生长
3.5.2 悬浮区熔硅的生长
3.6 硅晶棒（锭）的截断（cropping）
3.7 硅单晶棒外圆的滚磨（圆）磨削（grinding）
3.8 硅单晶片定位面加工（flat or notch grinding）
3.9 硅单晶棒表面的腐蚀（etching）
3.10 硅切片（slicing）
3.11 硅片倒角（edge grinding）
3.12 硅片的双面研磨（lapping）或硅片的表面磨削(grinding)
3.13 硅片的化学腐蚀
3.14 硅片的表面处理
3.14.1 硅片表面的热处理
3.14.2 硅片背表面的增强吸除处理
3.15 硅片的边缘抛光（edge polishing）
3.15.1 硅片边缘表面的机械带式边缘粗抛光加工
3.15.2 硅片边缘表面的碱性胶体二氧化硅化学机械的精抛光加工
3.16 硅片的表面抛光（polishing）
3.16.1 硅片的表面抛光加工工艺
3.16.2 硅片的碱性胶体二氧化硅化学机械抛光原理
3.16.3 硅片的多段加压单面抛光工艺
3.16.4 抛光液（slurry）
3.16.5 抛光布（polishing pad）
3.16.6 硅片表面的粗抛光（roughness polishing）
3.16.7 硅片表面的细抛光（fine polishing）
3.16.8 硅片表面的最终抛光（final polishing）
3.17 硅片的激光刻码（laser marking）
3.18 硅片的化学清洗（cleaning）
3.18.1 硅片的化学清洗工艺原理
3.18.2 美国RCA清洗技术
3.18.3 新的清洗技术
3.18.4 使用不同清洗系统对抛光片进行清洗
3.18.5 抛光片清洗系统中硅片的脱水、干燥技术
第4章 其他的硅晶片
4.1 硅外延片
4.1.1 外延的种类
4.1.2 外延的制备方法
4.1.3 化学气相外延原理
4.1.4 硅外延系统
4.2 硅锗材料
4.3 硅退火片
4.4 绝缘体上硅SOI
第5章 硅片的运、载
5.1 氟塑料的基本特性
5.2 半导体工业常用的塑料制品——硅片的运、载花篮及包装盒
5.3 硅抛光片的洁净包装
5.4 其他相关的工装用具
第6章 硅片的测试
6.1 硅片主要机械加工参数的测量
6.2 硅单晶棒或晶片的晶向测量
6.3 导电类型（导电型号）的测量
6.4 电阻率及载流子浓度的测量
6.5 少数载流子寿命测量
6.6 氧、碳浓度测量
6.7 硅的晶体缺陷测量
6.8 电子显微镜和其他超微量的分析技术
第三篇 太阳能光伏产业用硅片
第7章 太阳能光伏产业用硅片的制备技术
7.1 太阳能光电转换原理
7.2 太阳电池的主要技术参数
7.3 晶体硅太阳电池的结构
7.4 晶体硅太阳电池用的晶体硅材料的制备
7.4.1 多晶硅原材料的准备
7.4.2 太阳电池产业用的硅系晶体材料
7.4.3 直熔法制备铸造多晶硅的生产工艺
7.5 对太阳能光伏产业用的硅片的技术要求
7.6 晶体硅太阳电池用的硅片的加工技术
7.6.1 硅晶棒（锭）的截断
7.6.2 晶体硅的切片
7.6.3 晶体硅片的化学腐蚀
7.7 晶体硅太阳电池片的生产工艺流程
7.7.1 晶体硅太阳电池晶片的主要生产工艺过程
7.7.2 晶片表面“绒面”结构的制备
7.7.3 P-N结的制备
7.7.4 去边刻蚀
7.7.5 表面处理（表面去磷硅玻璃）
7.7.6 减反射膜层的制备
7.7.7 表面电极的制备
7.8 晶体硅太阳电池组件的制备工艺技术
7.9 晶体硅太阳电池组件装置封装的生产工艺过程
7.9.1 晶体硅太阳电池组件装置封装的生产工艺流程
7.9.2 晶体硅太阳电池组件装置封装用的主要材料
7.10 太阳电池的应用
第四篇 半导体晶片加工厂的厂务系统要求
第8章 洁净室技术
8.1 概述
8.2