《微波氮化镓功率器件等效电路建模理论与技术》针对微波GaNHEMT功率器件的等效电路建模关键技术展开深入研究，特别是器件的热电效应、高低温特性、陷阱效应、谐波特性和高频寄生参数效应，以及工艺参数误差变化特性等目前有待解决的问题。本书从GaNHEMT器件工作机理出发，系统地介绍微波GaNHEMT功率器件发展现状和趋势，以及小信号模型、大信号热电模型、大信号缩放模型、统计模型和表面势模型等面向工程化应用的建模技术，并将该模型应用于大栅宽器件功率电路的输出特性预测与工艺参数分析。本书可作为电子科学与技术专业从事微波电路技术、微电子技术相关方向的研究生专业课程教材，以及工程师的参考书籍。

《博士后文库》序言
前言
第1章引言
1.1背景
1.2微波宽禁带半导体器件进展
1.3微波宽禁带半导体器件建模进展
1.4本书内容
第2章微波氮化镓器件及其建模理论
2.1器件结构
2.2GaN材料特性
2.2.1GaN外延生长技术简介
2.2.2GaNHEMT材料生长关键技术
2.3GaNHEMT器件工艺
2.3.1GaNHEMT源漏欧姆接触
2.3.2GaNHEMT器件钝化工艺优化
2.3.3场板技术
2.4GaNHEMT工作原理
2.5GaNHEMT器件特性
2.5.1自热效应
2.5.2陷阱效应
2.6器件建模理论
2.6.1模型分类及建模方法
2.6.2模型准确性
2.7本章小结
第3章微波GaN器件小信号等效电路模型
3.1引言
3.219元件微波GaN器件小信号等效电路模型
3.2.1模型拓扑
3.2.2模型参数提取
3.2.3模型验证
3.3110GHz超宽带GaNHEMT小信号模型
3.3.1基于TRL方法的晶体管去嵌
3.3.2超宽带小信号模型拓扑及其参数提取
3.4本章小结
第4章微波GaN器件大信号模型研究
4.1环境温度相关大信号模型
4.1.1微波GaNHEMT器件热传递理论及其建模技术
4.1.2高低温GaNHEMT大信号模型拓扑及建模流程
4.1.3温度相关非线性漏源电流Ids模型
4.1.4高低温热仿真分析
4.1.5非线性栅电容模型
4.1.6非线性栅电流模型
4.1.7微波GaNHEMT热电大信号模型验证
4.2非线性热阻及其建模研究
4.2.1模型拓扑及建模流程
4.2.2改进的漏源电流Ids模型
4.2.3自热效应研究
4.2.4陷阱效应研究
4.2.5大信号模型验证
4.3微波场板GaNHEMT大信号模型分析
4.4温度相关源／漏接入阻抗对微波GaN器件特性影响
4.4.1温度相关Rs和Rd提取
4.4.2GaNHEMT器件热电网络参数提取
4.5典型脉冲条件下热阻变化规律的研究
4.5.1GaNHEMT器件脉冲工作状态
4.5.2脉冲偏置条件下热阻特性
4.6本章小结
第5章GaNHEMT大信号可缩放模型及其应用
5.1不同尺寸器件的热阻特性
5.2大信号热电缩放模型
5.3大信号模型缩放规则
5.4大信号缩放模型验证
5.4.1直流I一V特性验证
5.4.2小信号特性验证
5.4.3大信号特性验证
5.5大信号可缩放模型在功率放大电路中的应用
5.5.1C波段高功率GaNHEMT、功率放大器MMIC设计
5.5.2基于谐波控制技术的微波GaN内匹配功率管
5.6本章小结
第6章统计模型
6.1高效率模型参数提取技术
6.1.1小信号模型高效率参数提取
6.1.2大信号模型高效参数提取
6.2基于小信号等效电路模型工艺统计分析
6.3统计模型
6.3.1小信号统计模型
6.3.2全参数大信号统计模型
6.3.3统计模型在功率放大器中的应用
6.3.4基于响应曲面法的统计模型建模方法
6.4本章小结
第7章物理基大信号等效电路模型
7.1表面势模型发展动态
7.2基于表面势原理的等效电路建模
7.3基于表面势模型工艺参数统计分析
7.3.1工艺参数优化
7.3.2工艺参数分析
7.4新兴物理基等效电路模型
7.4.1区域划分模型
7.4.2基于虚拟源概念的电荷控制模型
7.5本章小结
第8章结束语
参考文献
编后记
彩图