本书首先介绍微电子制造的技术背景、工艺现状以及发展趋势，并阐述作为半导体衬底材料的单晶硅的生长方法及硅片的制造工艺；然后从基本原理和工艺过程两方面，阐述热氧化、热扩散、离子注入、光刻、刻蚀、蒸发、溅射、化学气相淀积、外延等微电子制造单项工艺过程；再以典型互补金属氧化物半导体（CMOS）器件为例，介绍制造完整器件并实现集成电路中各器件间隔离和金属化互连的关键工艺技术以及工艺集成的具体步骤；最后介绍工艺监控及电学测试方法。
本书适合作为普通高等学校电子封装技术、电子科学与技术、微电子技术等专业高年级本科生和研究生的专业课教材，也可以作为微电子制造领域及相关专业工程技术人员的参考书。

张威，哈尔滨工业大学材料科学与工程学院，讲师。主持并参与国家自然科学基金重点课题、军委科技委／军品863、山东省科技攻关项目等科研课题6项。获中国机械工业科学技术二等奖和黑龙江省高校科学技术一等奖各1项。

第1章 绪论
1.1 微电子制造的基本概念
1.1.1 集成电路
1.1.2 制造工艺
1.2 微电子制造技术的发展历史
1.2.1 集成电路的诞生
1.2.2 摩尔定律
1.3 微电子制造技术的发展趋势
1.3.1 半导体材料的发展
1.3.2 器件原理和结构的创新
1.3.3 微电子制造工艺技术的进步
1.3.4 从“More Moore”到“More一Than—Moore”
1.4 本书的内容安排
思考与练习题
参考文献
第2章 硅衬底
2.1 单晶硅特性
2.1.1 硅晶体的基本性质
2.1.2 硅晶体的结构
2.1.3 硅晶体的缺陷
2.1.4 硅晶体中的杂质
2.2 硅片的制备
2.2.1 多晶硅的制备
2.2.2 单晶硅生长
2.2.3 切制硅片
思考与练习题
参考文献
第3章 氧化与掺杂
3.1 热氧化
3.1.1 si02薄膜概述
3.1.2 热氧化原理
3.1.3 热氧化工艺
3.2 热扩散
3.2.1 扩散原理
3.2.2 扩散工艺
3.3 离子注入
3.3.1 离子注入原理
3.3.2 退火及快速热处理
3.3.3 离子注入工艺
思考与练习题
参考文献
第4章 图形转移
4.1 光刻
4.1.1 光刻原理
4.1.2 光刻工艺
4.2 刻蚀
4.2.1 湿法刻蚀
4.2.2 干法刻蚀
思考与练习题
参考文献
第5章 薄膜制备
5.1 物理气相淀积
5.1.1 相关基础理论
5.1.2 蒸发
5.1.3 溅射
5.2 化学气相淀积
5.2.1 CVD原理
5.2.2 CVD工艺
5.3 外延
5.3.1 外延工艺概述
5.3.2 气相外延
5.3.3 金属有机物化学气相淀积
5.3.4 分子束外延
思考与练习题
参考文献
第6章 工艺集成
6.1 MOS器件简介
6.1.1 MOS器件的基本结构
6.1.2 .MOS器件的工作原理
6.1.3 CMOS器件的闩锁效应
6.2 CMOS工艺技术
6.2.1 器件技术
6.2.2 隔离技术
6.2.3 金属化技术
6.3 CMOS工艺流程
6.3.1 CMOS工艺概况
6.3.2 CMOS制作步骤
思考与练习题
参考文献
第7章 监控与测试
7.1 工艺监控
7.1.1 工艺监控概述
7.1.2 晶片检测
7.1.3 氧化层的质量检测
7.1.4 扩散层检测
7.1.5 离子注入层检测
7.1.6 光刻工艺检测
7.1.7 外延层检测
7.1.8 微电子测试图形及结构
7.2 测试技术
7.2.1 电学测试的基本分类
7.2.2 测试等级
7.2.3 测试器件类型及方法
思考与练习题
参考文献