本书以图解的方式深入浅出地讲述了半导体制造工艺的各个技术环节。全书共分为12章,包括半导体制造工艺全貌、前段制程概述、清洗和干燥湿法工艺、离子注入和热处理工艺、光刻工艺、刻蚀工艺、成膜工艺、平坦化(CMP)工艺、CMOS工艺流程、后段制程工艺概述、后段制程的趋势、半导体工艺的最新动向。
本书适合与半导体业务相关的人士、准备涉足半导体领域的人士、对半导体制造工艺感兴趣的职场人士和学生等阅读参考。
此版本仅限在中国大陆地区(不包括香港、澳门特别行政区及台湾地区)销售。
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书名 | 图解入门(半导体制造工艺基础精讲原书第4版) |
分类 | 科学技术-工业科技-电子通讯 |
作者 | (日)佐藤淳一 |
出版社 | 机械工业出版社 |
下载 | ![]() |
简介 | 内容推荐 本书以图解的方式深入浅出地讲述了半导体制造工艺的各个技术环节。全书共分为12章,包括半导体制造工艺全貌、前段制程概述、清洗和干燥湿法工艺、离子注入和热处理工艺、光刻工艺、刻蚀工艺、成膜工艺、平坦化(CMP)工艺、CMOS工艺流程、后段制程工艺概述、后段制程的趋势、半导体工艺的最新动向。 本书适合与半导体业务相关的人士、准备涉足半导体领域的人士、对半导体制造工艺感兴趣的职场人士和学生等阅读参考。 此版本仅限在中国大陆地区(不包括香港、澳门特别行政区及台湾地区)销售。 作者简介 佐藤淳一,京都大学工学研究生院硕士。1978年加入东京电气化学工业股份有限公司(现TDK);1982年加入索尼股份有限公司。一直从事半导体和薄膜设备,以及工艺技术的研发工作。其间,在半导体尖端技术(Selete)创立之时被借调,并拥有担任长崎大学工学部兼职讲师、行业委员会委员等经验。 目录 原书前言 第1章 半导体制造工艺全貌 1-1 半导体工艺简介 各种半导体产品 为什么称为半导体工艺? 1-2 前段制程和后段制程的区别 前段制程和后段制程的最大区别 晶圆厂的差异 1-3 循环型的前段制程半导体工艺 什么是循环型工艺? 几种基本的组合 1-4 前端工艺和后端工艺 为何要分前端工艺和后端工艺? 温度耐受的差异 1-5 什么是硅晶圆? 为什么是硅? 半导体的特性是什么? 1-6 硅晶圆是如何制造的? 作为原料的多晶硅的纯度是11个9 缓慢拉起的单晶硅 1-7 硅的特性是什么? 硅的同类有哪些? 硅的特点 1-8 硅晶圆所需的洁净度 硅晶圆和颗粒 其他污染 1-9 硅晶圆在fab中的使用方法 硅晶圆的实际应用 不只用于产品制造的晶圆的使用方法 防止生产线中的相互污染 1-10 晶圆的大直径化 为什么要大直径化? 从200mm至300mm 1-11 与产品化相关的后段制程 包装为什么是黑色的? 封装的趋势 1-12 后段制程使用的工艺是什么? 后段制程的流程 后段制程工厂是什么样的? 第2章 前段制程概述 2-1 追求微细化的前段制程工艺 摩尔定律 微细化是如何发展起来的? 2-2 批量制造芯片的前段制程 批量生产的优点 与LCD面板的比较 2-3 在没有“等待”的工艺中进行必要的检查和监控 半导体工艺独有的思路 监控的必要性 2-4 前段制程fab的全貌 什么是洁净室? 工厂需要哪些设备? 2-5 fab的生产线构成——什么是Bay方式? 为什么选择Bay方式? 实际生产线的运行 2-6 晶圆厂需要尽早提升良品率 为什么要尽早启动? 如何提高初期成品率? 第3章 清洗和干燥湿法工艺 3-1 始终保持洁净的清洗工艺 为什么每次都需要清洗? 仅对表面进行清洗处理是不够的 3-2 清洗方法和机理 清洗方法 什么是超声波清洗? 3-3 基础清洗——RCA清洗 什么是RCA清洗? RCA清洗的挑战 3-4 新清洗方法的例子 新的清洗方法 未来的清洗方法 3-5 批量式和单片式之间的区别 什么是批量式? 什么是单片式? 3-6 吞吐量至关重要的清洗工艺 清洗设备的吞吐量 无载具清洗机 3-7 清洗后必不可少的干燥工艺 什么是水渍? 干燥方法 3-8 新的干燥工艺 什么是马兰戈尼干燥? 什么是罗塔戈尼干燥? 3-9 湿法工艺和干法清洗 为什么是湿法工艺? 完全干法清洗的尝试 第4章 离子注入和热处理工艺 4-1 注入杂质的离子注入技术 离子注入技术之前 什么是离子注入? 4-2 需要高真空的离子注入工艺 什么是离子注入机? 离子束扫描是什么样子的? 4-3 用于不同目的的离子注入工艺 各式各样的扩散层 具有不同加速能量和束电流的离子注入工艺 4-4 离子注入后的晶格恢复处理 什么是硅晶格? 杂质原子的作用 4-5 各种热处理工艺 恢复晶格的方法 用什么方法进行热处理? 4-6 最新的激光退火工艺 什么是激光退火设备? 激光退火和RTA之间的区别是什么? 4-7 LSI制造和热预算 什么是杂质的分布曲线? 半导体材料的耐热性和热预算 第5章 光刻工艺 5-1 复制图形的光刻工艺 什么是光刻工艺? 光刻工艺流程 光刻是减法工艺 5-2 光刻工艺的本质就是照相 与日光照相相同的接触式曝光 缩小投影的好处 5-3 推动微细化的曝光技术的演变 分辨率和焦深 光源和曝光设备的历史 5-4 掩膜版和防尘薄膜 什么是掩膜版? 什么是防尘薄膜? 套刻 5-5 相当于相纸的光刻胶 光刻胶种类 感光机理 什么是化学放大光刻胶? 5-6 涂布光刻胶膜的涂胶机 光刻胶涂布工艺 光刻胶涂布的实际情况 5-7 曝光后必需的显影工艺 显影机理 实际的显影工艺和设备 5-8 去除不要的光刻胶灰化工艺 灰化工艺的机理 灰化工艺和设备 5-9 浸液曝光技术现状 为什么要使用浸液? 浸液式曝光技术的原理与问题 5-10 什么是双重图形? 浸液的极限是什么? 多种方法的双重图形技术 5-11 追求进一步微细化的EUV技术 什么是EUV曝光技术? EUV技术的挑战与展望 5-12 纳米压印技术 什么是纳米压印技术? 与光刻的比较 纳米压印分类 纳米压印的可能性 第6章 刻蚀工艺 6-1 刻蚀工艺流程和刻蚀偏差 刻蚀工艺流程是什么? 刻蚀偏差是什么? 6-2 方法多样的刻蚀工艺 适应各种材料 适应各种形状 6-3 刻蚀工艺中不可或缺的等离子体 等离子体生成机理 离子体电势 6-4 R |
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