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内容推荐 本书共7章,主要介绍了改性锗半导体物理的相关内容,包括Ge带隙类型转变理论、改性锗半导体能带与迁移率理论、改性锗能带调制理论、改性锗半导体光学特性理论以及改性锗MOS反型层能带与迁移率理论等。通过本书的学习,可为读者以后学习改性锗器件物理奠定重要的理论基础。 本书可作为高等院校微电子学与固体电子学专业研究生的参考书,也可供其他相关专业的学生参考。 目录 第1章 Ge带隙类型转变理论 1.1 Ge带隙类型转变建模 1.1.1 Ge半导体应变张量 1.1.2 Ge半导体导带形变势 1.2 Ge带隙类型转变规律 1.2.1 仅应力作用 1.2.2 合金化作用 1.2.3 应力与合金化共作用 1.3 本章小结 习题 第2章 PD-Ge改性半导体能带结构 2.1 PD-Ge价带形变势理论 2.2 PD-Ge能带E-k关系模型 2.2.1 PD-Ge导带E-k关系 2.2.2 PD-Ge价带E-k关系 2.3 PD-Ge能带结构模型 2.3.1 导带结构模型 2.3.2 价带结构模型 2.4 本章小结 习题 第3章 DR-Ge1-xSnx和DBTS-Ge1-xSnx改性半导体能带结构 3.1 DR-Ge1-xSnx和DBTS-Ge1-xSnx能带E-k关系模型 3.2 DR-Ge1-xSnx能带结构模型 3.2.1 DR-Ge1-xSnx导带、价带结构模型 3.2.2 DR-Ge1-xSnx载流子有效质量模型 3.3 DBTS-Ge1-xSnx能带结构模型 3.3.1 DBTS-Ge1-xSnxΓ点处能级 3.3.2 DBTS-Ge1-xSnx导带、价带结构模型 3.3.3 DBTS-Ge1-xSnx载流子有效质量 3.4 本章小结 习题 第4章 DR-Ge1-xSnx和PD-Ge能带调制 4.1 DR-Ge1-xSnx禁带宽度调制 4.1.1 DR-Ge1-xSnx0°单轴应力禁带宽度调制 4.1.2 DR-Ge1-xSnx45°单轴应力禁带宽度调制 4.2 PD-Ge禁带宽度调制 4.2.1 改性锗0°单轴应力禁带宽度调制 4.2.2 改性锗45°单轴应力禁带宽度调制 4.3 DR-Ge1-xSnx和PD-Ge PL谱 4.4 本章小结 习题 第5章 DR-Ge1-xSnx和PD-Ge载流子迁移率 5.1 DR-Ge1-xSnx载流子散射机制 5.2 DR-Ge1-xSnx载流子迁移率 5.3 PD-Ge载流子散射与迁移率 5.4 本章小结 习题 第6章 改性锗半导体的光学特性 6.1 改性锗导带载流子统计分布模型 6.2 改性锗半导体注入载流子复合 6.2.1 Ge中注入载流子复合方式 6.2.2 注入非平衡载流子寿命模型 6.3 改性锗半导体的内量子效率模型 6.4 改性锗半导体折射率模型 6.5 本章小结 习题 第7章 DDR-Ge1-xSnx和PD-Ge MOS反型层能带与迁移率 7.1 改性锗MoS反型层能带理论基础 7.2 DR-Ge1-xSnxMOS反型层能带与迁移率 7.3 PD-Ge MOS反型层能带与迁移率 7.4 本章小结 习题 参考文献 |