本书在《微纳米加工技术及其应用》（第三版）的基础上，做了部分修订，增加了微纳米加工技术在过去6年中的一些最新进展，特别是大规模集成电路光刻技术的进步。第四版仍保持第三版的风格，着重对各种加工技术的原理进行阐述，列举基本的工艺步骤，说明各种工艺条件的由来，并注意给出典型工艺参数；充分分析了各种技术的优缺点，包括每种加工技术的能力与极限及在应用过程中的注意事项。全书强调实用，避免烦琐的数学分析，而以大量图例加以说明；既注重基础知识又兼顾微纳米加工领域近年来的最新进展。在应用方面主要介绍了微纳米加工技术在超大规模集成电路加工、纳米电子学、高密度磁存储技术、光电子技术、微机电系统技术、生物芯片技术与纳米技术中的典型应用。每一章都列举了大量相关参考文献，供进一步发掘详细信息与深入研究。本书无论对初次涉足这一领域的大专院校的本科生或研究生，还是已经有一定工作经验的专业科技人员，都具有很好的参考价值。

崔铮，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员。1988年于东南大学博士毕业，1989-2009年先后在英国剑桥大学微电子中心与英国卢瑟福国家实验室微结构中心工作，担任首席科学家与微系统技术中心负责人。2009年回国全职加入中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，创建了国内首个印刷电子技术研究中心。10年来，该中心已研发成功多种可印刷电子材料与多项印刷电子制造技术，在印刷无机薄膜晶体管、柔性透明导电膜、柔性有机发光与光伏、柔性拉伸可穿戴电子等领域获得广泛应用。领衔研发的“混合印刷纳米银金属网栅柔性透明导电膜”已实现大规模量产，并成功应用于国内外商业化触摸屏产品。在国际期刊发表论文250余篇；出版中英文专著8部；申请专利60项，其中“图形化柔性透明导电膜及其制法”获中国专利金奖。

第1章 绪论
1.1 微纳米技术与微纳米加工技术
1.2 微纳米加工的基本过程与分类
1.3 本书的内容与结构
参考文献
第2章 光学曝光技术
2.1 引言
2.2 光学曝光方式与原理
2.2.1 掩模对准式曝光
2.2.2 掩模投影式曝光
2.3 光学曝光的工艺过程
2.4 光刻胶的特性
2.4.1 光刻胶的一般特性
2.4.2 正性光刻胶与负性光刻胶的比较
2.4.3 化学放大胶
2.4.4 特殊光刻胶
2.5 光学掩模的设计与制作
2.6 光学曝光技术的演进
2.6.1 缩短曝光波长
2.6.2 增加数值孔径
2.6.3 浸没式曝光
2.7 多重曝光技术
2.8 光学曝光分辨率增强技术
2.8.1 离轴照明技术
2.8.2 空间滤波技术
2.8.3 移相掩模技术
2.8.4 光学邻近效应校正技术
2.8.5 面向制造的掩模设计技术
2.8.6 光刻胶及其工艺技术
2.9 计算曝光技术
2.9.1 标量衍射成像理论
2.9.2 光学曝光模拟过程
2.9.3 光学曝光质量的比较
2.10 极紫外曝光技术
2.10.1 光源
2.10.2 光学系统
2.10.3 掩模
2.10.4 光刻胶
2.11 其他光学曝光技术
2.11.1 X射线曝光
2.11.2 近场光学曝光
2.11.3 邻场光学曝光
2.11.4 干涉光学曝光
2.11.5 无掩模光学曝光
2.11.6 激光微立体成型
2.11.7 灰度曝光
2.12 厚胶曝光技术
2.12.1 传统光刻胶
2.12.2 SU-8光刻胶
2.12.3 LIGA技术
参考文献
第3章 电子束曝光技术
3.1 引言
3.2 电子光学原理
3.2.1 电子透镜
3.2.2 电子枪
……
第4章 聚焦离子束加工技术
第5章 扫描探针加工技术
第6章 复制技术
第7章 沉积法图形转移技术
第8章 刻蚀法图形转移技术
第9章 间接纳米加工技术
第10章 自组装纳米加工技术
第11章 微纳米加工技术的应用
结束语
索引