本书以宽禁带半导体微结构与光电器件光学表征为主线，按照“面向宽禁带半导体前沿课题，注重先进光电器件与材料微结构的基础性质和过程进行光学表征，以提升宽禁带半导体光电子器件性能为目的”的原则安排全书内容，从应用基础研究和研发先进光电子器件的角度出发，组织全国在该领域前沿进行一线科研工作的学者进行编写，力争用通俗易懂的语言，由浅入深，系统、详细地介绍宽禁带半导体光电器件的微纳结构生长、掺杂、受激辐射特性、量子效率测量，以及宽禁带半导体在紫外探测、微尺寸LED、高效太阳能电池等领域的应用，突出前沿和瓶颈问题。
本书可作为高等学校半导体光电子类相关专业高年级本科生和研究生的教材或教学参考书，也可作为相关科研工作者的学习参考书。

第1章 宽禁带半导体激光器技术与表征
1.1 引言
1.2 MOCVD技术简介
1.3 GaN材料的MOCVD生长与表征
1.4 GaN材料的p型掺杂与表征
1.5 InGaN量子阱的生长与表征
1.6 器件工艺与表征
1.7 本章小结
参考文献
第2章 Si衬底GaN基激光器生长制备与测试表征
2.1 引言
2.2 Si衬底GaN基激光器材料生长与测试表征
2.2.1 Si衬底GaN基激光器材料外延生长中的关键挑战
2.2.2 Si衬底高质量GaN薄膜材料的测试表征
2.2.3 Si衬底GaN基激光器的应力状态及结构缺陷表征
2.2.4 Si衬底高质量GaN材料中的应力与穿透位错演变规律
2.2.5 应力与穿透位错之间的相互作用机制
2.2.6 Si衬底GaN基激光器有源区的外延生长与测试表征
2.3 Si衬底GaN基激光器器件测试表征
2.3.1 Si衬底GaN基激光器测试表征简介
2.3.2 Si衬底GaN基激光器性能提升及表征
2.3.3 Si衬底GaN基激光器工作波长拓展
2.3.4 Si(100)衬底GaN基激光器
2.4 本章小结
参考文献
第3章 GaN基LED的效率表征
3.1 引言
3.2 LED效率的定义
3.3 LED内量子效率的表征方法
3.3.1 基于电注入的效率表征
3.3.2 基于光注入的效率表征
3.4 本章小结
参考文献
第4章 GaN基Micro-LED制备及光电特性
4.1 引言
4.2 Micro-LED简介
4.3 GaN基Micro-LED器件
4.3.1 蓝宝石衬底Micro-LED的制备
4.3.2 Si衬底Micro-LED的制备
4.3.3 Micro-LED与量子点集成器件
4.4 Micro-LED光电特性
4.4.1 Micro-LED尺寸效应
4.4.2 Micro-LED温度效应
4.4.3 Micro-LED老化特性
4.4.4 Micro-LED光电调制带宽特性
4.5 本章小结
参考文献
第5章 制约GaN基Micro-LED外量子效率的关键因素及解决方案
5.1 引言
5.2 Micro-LED的研究背景
5.3 Micro-LED的尺寸效应
5.4 Micro-LED外量子效率较低的根本原因
5.5 提高Micro-LED EQE的相关办法与措施
5.6 本章小结
参考文献
第6章 非极性和半极性GaN基LED的生长和光学表征
6.1 引言
6.2 非极性和半极性Ⅲ族氮化物
6.2.1 Ⅲ族氮化物中的极化效应
6.2.2 非极性和半极性Ⅲ族氮化物的优势
6.2.3 非极性和半极性Ⅲ族氮化物面临的挑战
6.3 非极性和半极性氮化物的异质外延
6.3.1 选区外延生长非极性和半极性GaN
6.3.2 横向外延生长非极性和半极性GaN
6.3.3 非极性和半极性InGaN/GaN量子阱的生长
6.4 非极性和半极性氮化物的光学性质
6.4.1 面堆垛层错相关的发光峰
6.4.2 减弱的极化电场
6.4.3 各向异性
6.5 本章小结
参考文献
第7章 ZnO微纳激光的构建与表征
7.1 引言
7.2 ZnO微纳结构的制备与表征
7.2.1 气相法
7.2.2 液相法
7.2.3 ZnO微纳结构的表征
7.3 ZnO的发光特性
7.3.1 低温荧光
7.3.2 室温荧光
7.3.3 电子空穴等离子体复合
7.3.4 激子激子散射
7.3.5 时间分辨荧光
7.4 ZnO受激辐射
7.4.1 随机激光
7.4.2 FP激光
7.4.3 WGM激光
7.4.4 表面等离激元耦合增强的WGM激光
7.4.5 极化激元激光
7.5 ZnO激光模式调控与单模实现
7.5.1 腔体尺寸设计与模式调控
7.5.2 微腔耦合与单模实现
7.5.3 应变动态调控
7.6 ZnO基电致发光器件
7.6.1 ZnO基同质结电致发光器件
7.6.2 ZnO基异质结电致发光器件
7.7 本章小结
参考文献
第8章 Ga2O3日盲深紫外探测器
8.1 引言
8.2 Ga2O3及其探测器基本原理
8.2.1 Ga2O3材料的物性与制备技术
8.2.2 探测器的主要性能参数
8.3 Ga2O3日盲探测器
8.3.1 光电导型探测器
8.3.2 肖特基势垒二极管型探测器
8.3.3 异质结二极管型探测器
8.3.4 阵列探测器
8.4 本章小结
参考文献
第9章 掺镓ZnO光电性质与表征
9.1 引言
9.2 掺镓ZnO光电的基本性质
9.2.1 掺镓ZnO的电学性质
9.2.2 掺镓ZnO的光学性质
9.2.3 掺镓ZnO的功函数
9.3 制备方法和条件对GZO薄膜材料性能的影响
9.3.1 制备方法
9.3.2 退火处理
9.4 GZO薄膜的应用
9.4.1 透明电极的应用
9.4.2 探测器的应用
9.5 本章小结
参考文献
第10章 半导体及光伏器件中局域化载流子的光电过程表征
10.1 引言
10.2 光致发光与电致发光
10.3 时间分辨光致发光模型与应用
10.4 时间分辨光电流模型及应用
10.5 本章小结
参考文献
第11章 InGaN/GaN纳米线量子点的荧光特性与表征方法
11.1 引言
11.2 InGaN/GaN纳米线量子点的荧光特性
11.2.1 InGaN/GaN纳米线量子点光谱与生长条件的关系
11.2.2 InGaN/GaN纳米线量子点光谱与测量温度的关系