近年来，半导体科学技术在许多方面都有了深入的发展，并逐渐形成了若干分支。虽然各分支之间有共同的半导体物理基础，但是各自的侧重点和具体要求很不相同。本书主要讲述与晶体管、集成电路等所谓硅平面器件有关的半导体物理基础。第1章、第2章介绍半导体的一般原理，但内容着重于硅平面器件，对一些微观理论只作浅显的介绍。在第3章、第4章中对pn结和半导体表面的物理原理以较大篇幅进行了具体而深入的分析。第5章尽量结合半导体实际，介绍有关晶体和缺陷的基础知识。

本书主要介绍与晶体管、集成电路等所谓硅平面器件有关的半导体物理基础。第1章、第2章介绍半导体的一般原理；第3章、第4章对pn结、半导体表面和MOS晶体管的物理原理进行具体而深入的分析；第5章结合具体的半导体材料，介绍了有关晶体和缺陷的基础知识。

本书对一些基本概念的讲述做到了深入浅出、便于自学，在结合具体的半导体材料讲述晶体缺陷方面做了新的尝试。本书可以作为高等学校有关课程的教学参考书，也可供从事半导体技术工作的科技人员和工人阅读。

前言

第1章 掺杂半导体的导电性

 1.1 掺杂和载流子

 1.2 电导率和电阻率

 1.3 迁移率

 1.4 测量电阻率的四探针方法

 1.5 扩散薄层的方块电阻

第2章 能级和载流子

 2.1 量子态和能级

 2.2 多子和少子的热平衡

 2.3 费米能级

 2.4 电子的平衡统计分布规律

 2.5 非平衡载流子的复合

 2.6 非平衡载流子的扩散

第3章 pn结

 3.1 pn结的电流一电压关系

 3.2 空间电荷区中的复合和产生电流

 3.3 晶体管的电流放大作用

 3.4 高掺杂的半导体和pn结

 3.5 pn结的击穿

 3.6 pn结的电容效应

 3.7 金属一半导体接触

第4章 半导体表面

 4.1 表面空间电荷区及反型层

 4.2 MIS电容器——理想C(V)特性

 4.3 实际MIS电容器的C(V)特性及应用

 4.4 硅-二氧化硅系统的性质

 4.5 MOS场效应晶体管

 4.6 电荷耦合器件

第5章 晶格和缺陷

 5.1 晶格

 5.2 空位和间隙原孑

 5.3 位错

 5.4 层错

 5.5 相变和相图