高性能紫外光电探测器是国防预警与跟踪、环境监控、生命科学等领域急需的关键部件。由于具有性能优势，因此宽禁带半导体已成为制备紫外光电探测器的优选材料，目前主要包括Ⅲ族氮化物半导体、碳化硅、氧化物半导体和金刚石材料等。
本书基于国内外宽禁带半导体紫外光电探测材料及器件的发展现状和趋势，从材料特性、探测器设计、器件工艺和紫外光电响应特性等方面详述了宽禁带半导体紫外光电探测器所面临的关键科学技术问题、主要技术成果、产业应用情况和发展前景。
本书可为从事宽禁带半导体紫外光电材料和器件研发、生产的科技工作者、企业工程技术人员和研究生提供有价值的参考，也可供从事该领域科研和高技术产业管理的政府官员和企业人员学习参考。

第1章 半导体紫外光电探测器概述
1.1 引言
1.2 宽禁带半导体紫外光电探测器的技术优势
1.3 紫外光电探测器产业发展现状
1.4 本书的章节安排
参考文献
第2章 紫外光电探测器的基础知识
2.1 半导体光电效应的基本原理
2.2 紫外光电探测器的基本分类和工作原理
2.2.1 P-N/P-I-N结型探测器
2.2.2 肖特基势垒探测器
2.2.3 光电导探测器
2.2.4 雪崩光电二极管
2.3 紫外光电探测器的主要性能指标
2.3.1 光电探测器的性能参数
2.3.2 雪崩光电二极管的性能参数
参考文献
第3章 氮化物半导体紫外光电探测器
3.1 引言
3.2 氮化物半导体材料的基本特性
3.2.1 晶体结构
3.2.2 能带结构
3.2.3 极化效应
3.3 高Al组分AIGaN材料的制备与P型掺杂
3.3.1 高Al组分AIGaN材料的制备
3.3.2 高Al组分AIGaN材料的P型掺杂
3.4 GaN基光电探测器及焦平面阵列成像
3.4.1 GaN基半导体的金属接触
3.4.2 GaN基光电探测器
3.4.3 焦平面阵列成像
3.5 日盲紫外雪崩光电二极管的设计与制备
3.5.1 P-I-N结GaN基APD
3.5.2 SAM结构GaN基APD
3.5.3 极化和能带工程在雪崩光电二极管中的应用
3.6 InGaN光电探测器的制备及应用
3.6.1 材料外延
3.6.2 器件制备
3.7 波长可调超窄带日盲紫外探测器
参考文献
……
第4章 SiC紫外光电探测器
第5章 氧化镓基紫外光电探测器
第6章 ZnO基紫外光电探测器
第7章 金刚石紫外光电探测器
第8章 真空紫外光电探测器