本书根据中国科学院大学“存储器工艺与器件技术”课程讲义整理而来。在撰写的过程中，本书以中国科学院大学办学方针为指导，“科教融合、育人为本、协同创新、服务国家”，明确了注重基础知识建设，培养创新精神的教学目标。本书共12章，包括半导体存储器分类、NAND Flash技术、3D NAND Flash制造工艺、3D NAND Flash器件单元特性、3D NAND Flash模型模拟技术、3D NAND Flash阵列及操作、3D NAND Flash可靠性特性与测试、NAND Flash电路设计和系统应用、DRAM技术以及新型存储器技术等内容。为帮助读者深入掌握有关内容，每章还给出了适量的习题。
本书适合作为高等院校微电子学及集成电路等相关学科的高年级本科生和研究生的教材或教学参考书，也可作为广大从事半导体存储器产业的科研工作者和工程师的参考书。

霍宗亮，研究员，博士生导师，具有二十余年存储技术研发经验，在架构、集成、机理和可靠性等方面形成特色，负责了我国三维存储器多个技术代研发工作。

第1章 半导体存储器概述
1.1 半导体存储器的市场状况
1.1.1 市场需求
1.1.2 全球存储芯片供给情况
1.1.3 中国存储器市场情况
1.2 半导体存储器器件简介
1.2.1 半导体存储器分类
1.2.2 存储器的存储单元
1.2.3 NAND Flash产品简介
本章小结
习题
参考文献
第2章 Flash存储器技术简介
2.1 Flash的历史
2.2 2D NAND Flash技术发展
2.2.1 2D NAND Flash架构及操作
2.2.2 2D NAND F1ash技术发展及尺寸缩小
2.2.3 2D NAND Flash面临的技术挑战
2.3 3D NAND Flash技术发展
2.3.1 3D NAND Flash的技术优势及器件原理
2.3.2 3D NAND CTF的结构发展
2.3.3 3D浮栅型NAND Flash的结构发展
2.4 NAND Flash未来发展趋势
2.4.1 3D NAND Flash未来发展方向
2.4.2 非冯·诺依曼架构简介
2.5 NOR Flash技术
2.5.1 NOR F1ash基本操作
2.5.2 NOR Flash存储阵列结构
本章小结
习题
参考文献
第3章 3D NAND Flash存储器工艺集成技术
3.1 半导体基本单步工艺
3.1.1 光刻工艺
3.1.2 刻蚀工艺
3.1.3 外延生长工艺
3.1.4 离子注入/快速热处理
3.1.5 炉管工艺
3.1.6 其他薄膜工艺
3.1.7 湿法工艺
3.1.8 化学机械平坦化
3.2 3D存储器工艺集成
3.2.1 外围电路模块
3.2.2 NO叠层模块
3.2.3 台阶模块
3.2.4 沟道孑L模块
3.2.5 栅隔离槽模块
3.2.6 接触孑L模块
3.2.7 后段模块
本章小结
习题
参考文献
第4章 3D NAND Flash存储器器件单元特性
4.1 NAND F1ash操作物理机制
4.1.1 NAND Flash存储单元基本结构
4.1.2 NAND Flash存储单元操作机制
4.1.3 NAND F1ash存储单元读取操作
4.1.4 NAND Flash存储单元编程操作
4.1.5 NAND Flash存储单元擦除操作
4.2 3D NAND多晶硅沟道技术
4.2.1 多晶硅沟道模型与晶界陷阱
4.2.2 多晶硅沟道漏电控制
4.3 温度对3D NAND Flash单元器件特性的影响
4.3.1 3D NAND Flash单元器件阈值电压温度特性分析
4.3.2 3D NAND F1ash单元器件阈值电压温度特性优化
4.4 3D NAND Flash器件挑战与发展
本章小结
习题
参考文献
第5章 3D NAND Flash存储器模型模拟技术
第6章 3D NAND Flash存储器阵列操作技术
第7章 3D NAND Flash存储器可靠性技术
第8章 3D NAND Flash存储器测试表征技术
第9章 NAND Flash存储器芯片设计技术
第10章 NAND Flash存储器系统应用技术
第11章 DRAM存储器技术
第12章 新型存储器技术