本教材第3版曾获首届全国教材建设奖全国优秀教材二等奖。本书是“十二五”普通高等教育本科国家级规划教材和普通高等教育“十一五”国家级规划教材，全书遵循集成电路设计的流程，介绍集成电路设计的一系列知识。全书共12章，主要内容包括：集成电路设计概述，集成电路材料、结构与理论，集成电路基本工艺，集成电路器件工艺，MOS场效应管的特性，集成电路器件及SPICE模型，SPICE数模混合仿真程序的设计流程及方法，集成电路版图设计与工具，模拟集成电路基本单元，数字集成电路基本单元与版图，集成电路数字系统设计基础，集成电路的测试和封装。本书提供配套微课视频、电子课件、Cadence公司授权的PSPICE学生版安装软件、HSPICE和PSPICE两种仿真工具的电路实例设计包、集成电路版图设计示范视频等。

王志功，1973年9月至1981年12月先后在南京工学院(现东南大学)无线电工程系学习、任助教和攻读硕士；1982年1月赴同济大学任教；1984年12月至1990年8月先后在德国波鸿鲁尔大学电子系进修和攻读博士；1990年10月至1997年9月先后在德国弗朗霍夫协会所属的应用固体物理研究所做博士后和任客座研究员；1997年10月作为国务院归国定居专家回国工作，受聘为东南大学无线电系教授，博士生导师，电路与系统学科带头人，领导建立了东南大学射频与光电集成电路研究所，担任所长。
迄今为止已在国际和国家级重要会议和核心期刊上发表论文近600篇，其中SCI／El收录论文400多篇，获得中国和国际发明专利30余项。出版专著3部、译著6部和教材12本。
系复旦大学、华中科技大学、大连理工大学等20多所中国大学以及加拿大Carleton大学和澳大利亚Edittl Cowan大学兼职教授。
培养出硕士100余名，博士50名，博士后8名。其中已有8名晋升副教授，8名晋升教授。所创建的研究所已培养出硕士400余名，博士60余名。
1998年获得“国家杰出青年科学基金”。1998—2004年担任国家“863”计划光电子主题专家组专家。2000年荣获教育部长江学者特聘教授。2001年以来担任教育部高等学校电子电气基础课程教学指导分委员会主任委员。2009年受聘为国务院学位委员会第六届学科评议组电子科学与技术组成员。2011年荣膺“中国侨联特聘专家”，入选“中国电子学会健康物联网专家委员会”。
2003年9月获科技部和教育部等6部联合授予的“留学回国人员成就奖”。2004年6月荣获国务院侨务办公室和全国归国华侨联合会授予的“全国归侨十杰”称号。2006年获“全国五一劳动奖章”和“全国师德标兵”。2013年获“宝钢优秀教师特等奖”。
目前担任本科生“电路”与“电子线路”课程教学，研究生集成电路设计相关课程教学。研究方向包括本专业领域内的数字无线电、数字电视、移动通信和互联网无线接入等系统的射频集成电路、微波毫米波集成电路、光通信用超高速集成电路，以及以受损脊髓神经功能恢复为目标、跨学科的“微电子神经桥”系统研究与动物实验及经络机理和针灸效应研究。

第1章 集成电路设计概述
1.1 集成电路的发展
1.2 集成电路设计流程及设计环境
1.3 集成电路制造途径
1.4 集成电路设计的知识范围
思考题
第2章 集成电路材料、结构与理论
2.1 集成电路材料
2.1.1 硅
2.1.2 砷化镓
2.1.3 磷化铟
2.1.4 锗硅
2.1.5 氮化镓
2.1.6 绝缘材料
2.1.7 金属材料
2.1.8 多晶硅
2.1.9 材料系统
2.2 半导体基础知识
2.2.1 半导体的晶体结构
2.2.2 本征半导体与杂质半导体
2.3 PN结与结型二极管
2.3.1 PN结的扩散与漂移
2.3.2 PN结型二极管
2.3.3 肖特基结二极管
2.3.4 欧姆型接触
2.4 双极型晶体管
2.4.1 双极型晶体管的基本结构
2.4.2 双极型晶体管的工作原理
2.5 MOS场效应晶体管
2.5.1 MOS场效应晶体管的基本结构
2.5.2 MOS场效应晶体管的工作原理
2.5.3 MOS场效应晶体管的伏安特性
思考题
本章参考文献
第3章 集成电路基本工艺
3.1 外延生长
3.2 掩模版的制造
3.3 光刻原理与流程
3.3.1 光刻步骤
3.3.2 曝光方式
3.4 氧化
3.5 淀积与刻蚀
3.6 掺杂原理与工艺
思考题
本章参考文献
第4章 集成电路器件工艺
4.1 双极型集成电路的基本制造工艺
4.1.1 双极型硅工艺
4.1.2 HBT工艺
4.2 MESFET和HEMT工艺
4.2.1 MESFET工艺
4.2.2 HEMT工艺
4.3 MOS和相关的VLSI工艺
4.3.1 PMOS工艺
4.3.2 NMOS工艺
4.3.3 CMOS工艺
4.4 BiCMOS工艺
思考题
本章参考文献
第5章 MOS场效应管的特性
5.1 MOS场效应管
5.1.1 MOS管伏安特性的推导
5.1.2 MOS电容的组成
5.1.3 MOS电容的计算
5.2 MOSFET的阈值电压VT
5.3 体效应
5.4 MOSFET的温度特性
5.5 MOSFET的噪声
5.6 MOSFET尺寸按比例缩小
5.7 MOS器件的二阶效应
5.7.1 L和W的变化
5.7.2 迁移率的退化
5.7.3 沟道长度的调制
5.7.4 短沟道效应引起的阈值电压的变化
5.7.5 狭沟道效应引起的阈值电压的变化
思考题
本章参考文献
第6章 集成电路器件及SPICE模型
6.1 无源器件结构及模型
6.1.1 互连线
6.1.2 电阻
6.1.3 电容
6.1.4 电感
6.1.5 分布参数元件
6.2 二极管电流方程及SPICE模型
6.2.1 二极管的电路模型
6.2.2 二极管的噪声模型
6.3 双极型晶体管电流方程及SPICE模型
6.3.1 双极型晶体管的EM模型
6.3.2 双极型晶体管的GP模型
6.4 结型场效应JFET ( NJF/PJF ) 模型
6.5 MESFET（NMF/PMF）模型（SPICE3.x）
6.6 MOS管电流方程及SPICE模型
思考题
本章参考文献
第7章 SPICE数模混合仿真程序的设计流程及方法
7.1 采用SPICE的电路设计流程
7.2 电路元件的SPICE输入语句格式
7.3 电路特性分析语句
7.4 电路特性控制语句
7.5 HSPICE缓冲驱动器设计实例
7.6 HSPICE跨导放大器设计实例
7.7 PSPICE电路图编辑器简介
7.8 PSPICE缓冲驱动器设计实例
7.9 PSPICE跨导放大器设计实例
思考题
本章参考文献
第8章 集成电路版图设计与工具
8.1 工艺流程的定义
8.2 版图几何设计规则
8.3 图元
8.3.1 MOS晶体管
8.3.2 集成电阻
8.3.3 集成电容
8.3.4 寄生二极管与三极管
8.4 版图设计准则
8.4.1 匹配设计
8.4.2 抗干扰设计
8.4.3 寄生优化设计
8.4.4 可靠性设计
8.5 电学设计规则与布线
8.6 基于Cadence平台的全定制IC设计
8.6.1 版图设计的环境
8.6.2 原理图编辑与仿真
8.6.3 版图编辑与验证
8.6.4 CMOS差动放大器版图设计实例
8.7 芯片的版图布局
8.8 版图设计的注意事项
思考题
本章参考文献
第9章 模拟集成电路基本单元
9.1 电流源电路
9.1.1 双极型镜像电流源
9.1.2 MOS电流镜
9.2 基准电压源设计
9.2.1 双极型三管能隙基准源
9.2.2 MOS基准电压源
9.3 单端反相放大器
9.3.1 基本放大电路
9.3.2 改进的CMOS推挽放大器
9.4 差分放大器
9.4.1 BJT差分放大器
9.4.2 MOS差分放大器
9.4.3 CMOS差分放大器设计实例
9.5 运算放大器
9.5.1 性能参数
9.5.2 套筒式共源共栅运放
9.5.3 折叠式共源共栅运放
9.5.4 两级运放
9.5.5 CMOS运算放大器设计实例
9.6 振荡器
9.6.1 环形振荡器
9.6.2 LC振荡器
思考题
本章参考文献
第10章 数字集成电路基本单元与版图
10.1 TTL基本电路
10.1.1 TTL反相器
10.1.2 TTL与非门
10.1.3 TTL或非门
10.2 CMOS基本门电路及版