本书介绍了主要半导体材料硅、砷化镓等制备的基本原理和工艺，以及特性的控制等。全书共13章：第1章为硅和锗的化学制备，第2章为区熔提纯，第3章为晶体生长，第4章为硅、锗晶体中的杂质和缺陷、第5章为硅外延生长，第6章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，第7章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长，第8章为Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体，第9章为Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，第10章为低维结构半导体材料，第11章为氧化物半导体材料，第12章为宽禁带半导体材料，第13章为其他半导体材料。
本书可作为电子科学与技术、微电子科学与工程、集成电路设计与集成系统等专业本科生的教材，也可作为相关专业研究生和从事半导体相关研究工作的科研人员的参考书。

绪论
第1章 硅和锗的化学制备
1.1 硅和锗的物理化学性质
1.2 高纯硅的制备
1.3 锗的富集与提纯
第2章 区熔提纯
2.1 相图
2.2 分凝现象与分凝系数
2.3 区熔原理
2.4 锗的区熔提纯
第3章 晶体生长
3.1 晶体生长理论基础
3.2 熔体的晶体生长
3.3 硅、锗单晶生长
第4章 硅、锗晶体中的杂质和缺陷
4.1 硅、锗晶体中杂质的性质
4.2 硅、锗晶体的掺杂
4.3 硅、锗单晶的位错
4.4 硅单晶中的微缺陷
第5章 硅外延生长
5.1 外延生长概述
5.2 硅衬底制备
5.3 硅的气相外延生长
5.4 硅外延层电阻率的控制
5.5 硅外延层的缺陷
5.6 硅的异质外延
第6章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体
6.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的特性
6.2 砷化镓单晶的生长方法
6.3 砷化镓单晶中杂质的控制
6.4 砷化镓单晶的完整性
6.5 其他Ⅲ-Ⅴ族化合物的制备
第7章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长
7.1 气相外延生长（VPE）
7.2 金属有机物气相外延生长（MOVPE）
7.3 液相外延生长（LPE）
7.4 分子束外延生长（MBE）
7.5 化学束外延生长（CBE）
7.6 其他外延生长技术
第8章 Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体
8.1 异质结与晶格失配
8.2 GaAlAs外延生长
8.3 InGaAsP外延生长
第9章 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体
9.1 Ⅱ-Ⅵ族化合物单晶材料的制备
9.2 Ⅱ-Ⅵ族化合物的点缺陷与自补偿现象
9.3 Ⅱ-Ⅵ族多元化合物材料
第10章 低维结构半导体材料
10.1 低维结构半导体材料的基本特性
10.2 半导体超晶格与量子阱
10.3 半导体量子线与量子点
10.4 低维结构半导体材料的现状及未来
第11章 氧化物半导体材料
11.1 氧化物半导体材料的制备
11.2 氧化物半导体材料的电学性质
11.3 氧化物半导体材料的应用
第12章 宽禁带半导体材料
12.1 Ⅲ族氮化物半导体材料
12.2 SiC材料
第13章 其他半导体材料
13.1 窄带隙半导体
13.2 黄铜矿型半导体
13.3 非晶态半导体材料
13.4 有机半导体材料
13.5 钙钛矿半导体材料
参考文献