1 绪论
参考文献
2 石墨烯的晶体结构和电子结构
2.1 石墨烯的晶体结构
2.2 石墨烯的电子结构
2.2.1 单层石墨烯的电子结构
2.2.2 石墨烯中无质量的狄拉克费米子
2.2.3 双层石墨烯的电子结构
2.2.4 多层石墨烯的电子结构
参考文献
3 石墨烯的性质及应用
3.1 石墨烯能带隙的打开
3.2 石墨烯基微电子器件和纳米电子器件
3.2.1 石墨烯电路中的晶体管数量
3.2.2 数字逻辑门
3.2.3 数字非易失性存储器
3.3 高频电子器件
3.3.1 模拟电压放大器
3.3.2 石墨烯环振荡器
3.4 基于分层材料的器件
3.5 新型的垂直型/平面型晶体管和器件
3.5.1 垂直隧道晶体管和垂直热电子晶体管
3.5.2 2d异质结构的面内传输
3.6 电子发射
3.7 石墨烯饱和吸收剂和相关设备
3.8 石墨烯相关应用举例
3.8.1 透明电极
3.8.2 纳米电子器件
3.8.3 储能应用
3.8.4 传感器方面的应用
3.8.5 复合材料方面的应用
参考文献
4 石墨烯的制备、表征及转移
4.1 干法剥离
4.1.1 用于研究目的的机械剥离
4.1.2 阳极键合
4.1.3 激光烧蚀和光剥离
4.2 液相剥离
4.2.1 石墨的液相剥离
4.2.2 氧化石墨的液相剥离
4.2.3 插层石墨的液相剥离
4.3 SiC热蒸发法
4.4 化学气相沉积（CVD）
4.4.1 金属衬底上热CVD法制备石墨烯
4.4.2 绝缘衬底上热CVD法制备石墨烯
4.4.3 CVD法制备大尺寸石墨烯晶畴
4.5 其他制备方法
4.5.1 过渡金属表面析出法
4.5.2 碳纳米管解理法
4.6 石墨烯的表征技术
4.6.1 光学显微镜
4.6.2 原子力显微镜
4.6.3 扫描电子显微镜
4.6.4 透射电子显微镜
4.6.5 拉曼光谱
4.7 石墨烯的转移技术
参考文献
5 CVD法在单晶Mo膜衬底上制备高质量石墨烯薄膜
5.1 在Mo膜上生长石墨烯薄膜的研究背景
5.2 CVD法在单晶Mo膜上制备石墨烯薄膜
5.2.1 电子束蒸发制备单晶Mo膜及表征
5.2.2 单晶Mo膜上制备石墨烯的过程
5.3 生长参数对石墨烯薄膜质量的影响
5.3.1 H2与CH4流量比对石墨烯薄膜性质的影响
5.3.2 生长时间对石墨烯薄膜性质的影响
5.3.3 降温速率对石墨烯薄膜性质的影响
5.3.4 Mo膜厚度对石墨烯薄膜性质的影响
5.4 单晶Mo膜上生长石墨烯与Mo片上生长石墨烯比较
5.5 Mo膜衬底的团聚现象
5.6 本章小结
参考文献
6 CVD法在抛光Cu衬底上制备高质量石墨烯薄膜
6.1 Cu衬底上制备石墨烯薄膜的研究背景
6.2 Cu衬底的电化学机械抛光
6.2.1 Cu衬底的机械抛光
6.2.2 Cu衬底的电化学抛光
6.3 抛光与未抛光Cu衬底上生长的石墨烯比较
6.4 Cu衬底晶界及表面划痕对生长石墨烯的影响
6.5 在抛光Cu衬底上生长大尺寸石墨烯晶畴
6.6 两步合成法生长高质量石墨烯薄膜
6.7 本章小结
参考文献
7 CVD法制备的石墨烯晶畴的H2刻蚀现象研究
7.1 H2刻蚀石墨烯薄膜的研究背景
7.2 六角石墨烯晶畴的制备
7.3 刻蚀时间对石墨烯晶畴的影响
7.4 Cu面晶向对石墨烯表面刻蚀条纹的影响
7.5 石墨烯表面褶皱与刻蚀条纹的关系
7.6 降温速率对刻蚀条纹的影响
7.7 石墨烯的H2刻蚀过程及机理分析
7.8 本章小结
参考文献
8 CVD石墨烯晶畴的边缘刻蚀现象研究
8.1 研究背景
8.2 实验过程
8.3 石墨烯晶畴H2刻蚀的两种模式
8.4 影响边缘刻蚀因素分析
8.5 刻蚀温度和刻蚀时间对石墨烯晶畴H2刻蚀的影响
8.6 石墨烯边缘刻蚀分析
8.6.1 温度引起的边缘刻蚀
8.6.2 边缘刻蚀的AFM分析
8.7 石墨烯晶畴在降温和刻蚀过程中的形态变化
参考文献

石墨烯由于具有独特的晶体结构、优异的电学、光学和力学性质，在纳米电子器件和储能应用等诸多领域引起科研人员的极大关注。近年来，石墨烯的基础研究越来越深入，石墨烯器件的发展也随之突飞猛进。本书内容涵盖了石墨烯的晶体结构和电子结构、石墨烯的性质及应用、石墨烯的制备和表征，以及石墨烯的氢气刻蚀研究等。本书对推动石墨烯的基础研究，特别是石墨烯的制备和刻蚀方面有着重要的指导作用。
本书面对的读者大致可以分为两类：第一类是刚开始从事石墨烯材料相关研究的科研人员，本书可以为其提供目前石墨烯发展的一个全面的、具体的介绍，使其能够快速地掌握石墨烯的研究现状；第二类是与石墨烯二维材料具有一定联系的教育工作者或兴趣爱好者，可以作为材料科学领域课程的一部分，也可以作为一本相关的科普读物。