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书名 硅基高k氧化物锶硅界面缓冲层的研究/新材料研究系列丛书
分类 科学技术-自然科学-物理
作者 杜文汉
出版社 江苏大学出版社
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简介
内容推荐
Sr/Si界面在晶形高介电常数(k)氧化物-半导体体系的外延生长中具有重要的作用, 是形成外延高k氧化物必不可少的缓冲界面层。本书深入研究了不同Sr/Si再构表面的几何及电子结构,并探讨相关的物理机制。
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更新时间:2025/3/31 7:43:51