毕查德·拉扎维编著的这本《模拟CMOS集成电路设计》是加州大学洛杉矶分校（UCLA）的新教材。该书组织严谨，内容丰富，循序渐进。在阐述原理和概念时，由浅入深，逐步分析。模拟电路设计需要直观、严密和创新。在阐述各种模拟电路的改进和新电路结构的产生时，着重观察和分析，不断地提出问题和解决问题，重视这三方面能力的培养。

毕查德·拉扎维编著的这本《模拟CMOS集成电路设计》介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念，同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。《模拟CMOS集成电路设计》由浅入深，理论与实际结合，提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。前10章介绍各种基本模块和运放及其频率响应和噪声。第11章至第13章介绍带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响，第14、15章介绍振荡器和没相环。第16章至18章介绍MOS器件的高阶效应及其模型、CMOS制造工艺和混合信号电路的版图与封装。

《模拟CMOS集成电路设计》是现代模拟集成电路设计的理想教材或参考书。可供与集成电路领域有关的各电类专业的高年级本科生和研究生使用，也可供从事这一领域的工程技术人员自学和参考。

作者简介

中文版前言

译者序

序

致谢

第1章 模拟电路设计绪论

第2章 MOS器件物理基础

第3章 单级放大器

第4章 差动放大器

第5章 无源与有源电流镜

第6章 放大器的频率特性

第7章 噪声

第8章 反馈

第9章 运算放大器

第10章 稳定性与频率补偿

第11章 带隙基准

第12章 开关电容电路

第13章 非线性与不匹配

第14章 振荡器

第15章 锁相环

第16章 短沟道效应与器件模型

第17章 CMOS工艺技术

第18章 版图与封装

英汉词汇对照