杨铁军主编的这本《产业专利分析报告(第10册)——功率半导体器件》是功率半导体器件领域的专利分析研究报告。

报告先对功率半导体器件的整体专利情况进行分析，再对目前热门的IGBT器件产品和未来发展趋势的宽禁带半导体SiC功率器件进行重点的分析和介绍，突出发展趋势和发展需求，并对行业领先的国际重点企业的专利情况进行详细介绍，思路清晰，重点突出。

报告从发展趋势、申请人、目标国家／地区等多个维度对功率半导体器件产业专利进行分析，而且每项分析都给出了明确的结论，这对于专利分析的结构完整性非常重要。报告中大量使用经过深度加工的专利统计数据，清晰地展现了功率半导体器件产业的专利分布情况。特别是对IGBT的专利从技术构成和技术功效等技术角度清晰地展现了IGBT器件的技术发展路线和发展趋势，对于产业的发展显得非常重要。

杨铁军主编的这本《产业专利分析报告(第10册)——功率半导体器件》是功率半导体器件行业的专利分析报告。报告从功率半导体器件行业的专利(国内、国外)申请、授权、申请人的已有专利状态、其他先进国家的专利状况、同领域领先企业的专利壁垒等方面入手，充分结合相关数据，展开分析，并得出分析结果。《产业专利分析报告(第10册)——功率半导体器件》是了解功率半导体器件行业技术发展现状并预测未来走向，帮助企业做好专利预警的必备工具书。

第1章 研究概述

 1.1 技术概况

1.1.1 主要功率半导体器件的技术特点及应用

1.1.2 产业现状

1.1.3 行业需求

 1.2 研究对象和方法

1.2.1 技术分解

1.2.2 数据检索

1.2.3 查全查准评估

1.2.4 数据处理

1.2.5 相关事项和约定

第2章 功率半导体器件领域专利分析

 2.1 全球专利分析

2.1.1 发展趋势分析

2.1.2 首次申请国家／地区分析

2.1.3 目标国家／地区分析

2.1.4 申请人分析

 2.2 中国专利分析

2.2.1 中国专利申请发展趋势分析

2.2.2 主要技术分析

2.2.3 专利申请的国别分析

2.2.4 专利申请的省市／地区区域分布

2.2.5 国内外申请人的类型分析

2.2.6 主要申请人分析

 2.3 结论

第3章 IGBT领域专利申请分析

 3.1 IGBT领域产业技术概况

3.1.1 技术概况

3.1.2 产业现状

 3.2 全球专利申请现状

3.2.1 技术构成分析

3.2.2 IGBT结构的技术发展路线

3.2.3 首次申请国家／地区分析

3.2.4 目标国家／地区分析

3.2.5 申请人分析

 3.3 中国专利申请现状

3.3.1 申请趋势分析

3.3.2 技术构成分析

3.3.3 技术功效分析

3.3.4 国外申请人区域分布分析

3.3.5 中国申请人区域分布分析

3.3.6 主要申请人分析

3.3.7 小结

 3.4 结论

3.4.1 全球申请

3.4.2 中国申请

第4章 SiC器件专利申请分析

 4.1 全球专利申请现状

4.1.1 申请趋势分析

4.1.2 技术生命周期分析

4.1.3 技术构成分析

4.1.4 申请人国家／地区分布

4.1.5 申请人分析

 4.2 中国专利申请现状

4.2.1 申请趋势分析

4.2.2 技术构成分析

4.2.3 申请人分析

 4.3 MOSFET栅氧化膜技术分析

4.3.1 发展路线分析

4.3.2 中国申请技术布局

4.3.3 未来需重点关注的相关申请

 4.4 结论

4.4.1 全球申请状况

4.4.2 中国申请状况

4.4.3 MOSFET栅氧化膜技术

第5章 英飞凌公司专利申请分析

 5.1 专利申请现状

5.1.1 申请量趋势分析

5.1.2 首次申请及目标国家／地区分布

5.1.3 中国专利申请现状

 5.2 COOLMOS分析

5.2.1 产业现状

5.2.2 核心专利分析

 5.3 IGBT分析

5.3.1 技术分支分析

5.3.2 发明人分析

5.3.3 中国专利分析

 5.4 结论

第6章 ABB公司专利申请分析

 6.1 概况

6.1.1 技术领域

6.1.2 在华业务

 6.2 全球专利申请现状

6.2.1 全球专利申请趋势及国家分布

6.2.2 全球专利申请的技术分支

6.2.3 中国专利申请分析／136

6.2.4 中国专利申请的失效专利分析

 6.3 合作申请人分析

 6.4 发明人分析

 6.5 结论

第7章 重要专利筛选及分析

 7.1 重要专利的筛选

7.1.1 分析方法与判断标准

7.1.2 技术周期相对被引指数

7.1.3 重要专利列表

 7.2 重要专利的整体信息分析

7.2.1 降低导通电阻

7.2.2 提高开关特性

7.2.3 提高击穿电压

7.2.4 减少闩锁效应

7.2.5 其他技术目标

 7.3 重要专利的特有信息分析

7.3.1 重要专利的引用分析

7.3.2 重要专利的申请思路

7.3.3 重要专利的撰写分析

7.3.4 重要专利的布局分析

 7.4 三菱公司的重要专利

7.4.1 三菱在中国申请的重要专利

7.4.2 三菱在国外申请的重要专利

 7.5 其他申请人国内外申请的重要专利

7.5.1 其他申请人在中国申请的重要专利

7.5.2 其他申请人在国外申请的重要专利

 7.6 结论

第8章 主要结论

 8.1 功率半导体器件领域整体结论

 8.2 IGBT领域结论

 8.3 SiC器件领域结论

 8.4 重点申请人结论

 8.5 重要专利结论

附录1 重要专利列表

附录2 SiC MOSFET器件栅氧化膜技术未来需要关注的相关申请

图索引

表索引