本书主要讨论功率半导体器件集成结构的基本元胞、基本原理和基础工艺等。全书共6章，第1章为材料参数物理。讨论半导体材料的晶体结构、能带理论和材料参数。第2章讨论PN结的击穿和终端造型技术，第3章至第6章分别讨论功率肖特基整流二极管、PIN二极管、功率晶体管、功率MOSFET和IGBT的结构、工作原理和器件参数，及其制造工艺。这5类器件是功率器件中最典型的结构。它们的基本工作原理也是阐述其他功率器件工作原理的基础。另外还编入了SiC材料特性、SiC器件制造工艺的特点以及研制的进展。除了不断地改进器件的结构和加工技术之外，寻找制造功率器件的新材料是很重要的。SiC材料比Si具有禁带宽度大、击穿强度高、热导率高和饱和漂移速度快等优良特性，因此SiC是制造高频、大功率、耐高温和抗辐射功率器件的理想材料。
本书内容与《晶体管原理》连接，具有从材料参数物理到器件结构、原理和工艺的较完整的体系。它可作为微电子技术与微电子学、电子科学与电子技术专业的教材，也可供电力电子技术相关专业的本科生和研究生参考。