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书名 模拟CMOS集成电路设计/微电子与集成电路技术丛书
分类 科学技术-工业科技-电子通讯
作者 魏廷存//陈莹梅//胡正飞
出版社 清华大学出版社
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简介
编辑推荐

本教材是作者结合自己多年的科研实践,在参考国内外同类教材的基础上,精心编著而成的。教材结合现代CMOS工艺的发展,从元器件出发,详细分析了各种典型模拟CMOS电路的工作原理和设计方法,对模拟CMOS集成电路的研究和设计具有学术和工程实用价值。

全书共10章,每章后面的习题,可供读者自己练习,通过做习题,可以帮助读者进一步理解本书的内容,同时习题中给出了大量的经典电路,供读者参考,以扩展视野。

内容推荐

本书是作者结合自己多年的科研实践,在参考国内外同类教材的基础上,精心编著而成的。本书结合现代CMOS工艺的发展,从元器件出发,详细分析了各种典型模拟CMOS集成电路的工作原理和设计方法,对模拟CMOS集成电路的研究和设计具有学术和工程实用价值。

全书共分10章,其中前6章介绍CMOS元器件和基本单元电路的基础知识,后4章介绍它们的典型应用,包括开关电容电路、ADC与DAC、振荡器以及锁相环。

本书可供微电子与集成电路设计专业的研究生以及高年级本科生作为教材使用(大约需要60学时),也可供模拟集成电路设计工程师参考。

本书的读者应具备电路和信号方面的基础知识,如果读者还具备半导体物理方面的知识,则更容易理解本书的内容。

目录

第1章 绪论

 1.1 集成电路的发展历史及趋势

 1.2 模拟集成电路的功能及应用领域

 1.3 模拟集成电路与数字集成电路的比较

 1.4 模拟集成电路的设计流程

 1.5 HSpice仿真简介

 本章小结

第2章 元器件及其模型

 2.1 pn结与二极管

2.1.1 pn结的形成

2.1.2 pn结的特性

2.1.3 二极管

 2.2 双极型晶体管

2.2.1 结构及工艺实现

2.2.2 基本工作原理

2.2.3 大信号模型

2.2.4 小信号模型

 2.3 CMOS器件

2.3.1 物理结构

2.3.2 电路符号

2.3.3 工作原理

2.3.4 大信号模型

2.3.5 二级效应

2.3.6 寄生电容

2.3.7 小信号模型

2.3.8 闩锁效应

2.3.9 传输门电路

 2.4 电阻

2.4.1 方块电阻

2.4.2 多晶硅电阻

2.4.3 阱电阻

2.4.4 扩散电阻

2.4.5 金属电阻

2.4.6 电阻模型

 2.5 电容器

2.5.1 电容器的结构

2.5.2 传统电容器

2.5.3 CMOS电容

2.5.4 金属-金属电容器

2.5.5 电容模型

 本章小结

 习题

 参考文献

第3章 单级放大器

 3.1 电流镜

3.1.1 电流镜的结构

3.1.2 电流镜的误差

3.1.3 电流镜的小信号等效电路

 3.2 共源放大器

3.2.1 电阻负载共源放大器

3.2.2 二极管负载共源放大器

3.2.3 电流镜负载共源放大器

3.2.4 推挽放大器

 3.3 源极跟随器

 3.4 共栅放大器

 3.5 高输出阻抗电流镜

 3.6 共源共栅放大器

 3.7 差动放大器

3.7.1 电阻负载差动放大器

3.7.2 有源负载差动放大器

3.7.3 单端输出差动放大器

 3.8 放大器的频率特性

3.8.1 共源放大器

3.8.2 源极跟随器

3.8.3 共源共栅放大器

3.8.4 差动放大器

 本章小结

 习题

 参考文献

第4章 运算放大器

 4.1 运算放大器的基本结构

4.1.1 概述

4.1.2 普通两级运算放大器

 4.2 稳定性与相位补偿

4.2.1 闭环工作时的稳定性

4.2.2 相位补偿方法

 4.3 运算放大器的性能参数

4.3.1 直流或低频特性

4.3.2 高频特性

4.3.3 瞬态特性

4.3.4 增益线性度

4.3.5 两级运算放大器设计

 4.4 高性能运算放大器

4.4.1 套筒式共源共栅运算放大器

4.4.2 折叠式共源共栅运算放大器

4.4.3 高增益运算放大器

4.4.4 轨对轨运算放大器

4.4.5 全差动运算放大器

4.4.6 微功耗运算放大器

 4.5 输出级电路

4.5.1 输出级电路的类型

4.5.2 源极跟随器输出级

4.5.3 甲乙类共源输出级

4.5.4 低功耗输出级

 4.6 运算放大器的性能解析

4.6.1 DC特性解析

4.6.2 AC特性解析

4.6.3 瞬态特性解析

 本章小结

 习题

 参考文献

第5章 基准电压与电流

 5.1 MOS管型基准源

5.1.1 MOS管型分压器

5.1.2 改进的MOS管型基准源

 5.2 二极管型基准源

5.2.1 与CMOS工艺兼容的双极型晶体管和二极管

5.2.2 具有负温度系数的基准源

5.2.3 具有正温度系数的基准源

5.2.4 带隙基准电压源

5.2.5 高精度电流源

 本章小结

 习题

 参考文献

第6章 噪声

 6.1 器件噪声模型

6.1.1 电阻

6.1.2 场效应管

6.1.3 二极管

 6.2 电路噪声性能

6.2.1 共源放大器

6.2.2 共栅放大器

6.2.3 源极跟随器

6.2.4 共源共栅放大器

6.2.5 差分放大器

6.2.6 CMOS运算放大器

 6.3 光纤前置放大器电路噪声分析举例

 本章小结

 习题

 参考文献

第7章 开关电容电路

 7.1 开关电容电路的基本原理

 7.2 开关电容放大器

 7.3 开关电容积分器

 7.4 开关电容滤波器

 本章小结

 习题

 参考文献

第8章 数据转换器

 8.1 数模转换器的基本工作原理

8.1.1 数模转换器的基本工作原理

8.1.2 静态性能指标

8.1.3 动态性能指标

 8.2 数模转换器的主要类型

8.2.1 电流型数模转换器

8.2.2 电压型数模转换器

8.2.3 电荷型数模转换器

8.2.4 分段数模转换器

 8.3 模数转换器的基本工作原理

8.3.1 基本工作原理

8.3.2 理想ADC转换特性

8.3.3 静态性能指标

8.3.4 动态性能指标

 8.4 模数转换器的主要类型

8.4.1 全并行(或快闪)A/D转换器

8.4.2 多级A/D转换器

8.4.3 逐次逼近A/D转换器

8.4.4 流水线A/D转换器

8.4.5 内插A/D转换器

8.4.6 折叠A/D转换器

 8.5 过采样转换器

8.5.1 Σ-Δ调制器的原理

8.5.2 Σ-Δ调制器的结构类型

 8.6 本章小结

 习题

 参考文献

第9章 振荡器

 9.1 振荡器的类型

 9.2 振荡器的起振条件

 9.3 环形振荡器

 9.4 环形压控振荡器

9.4.1 大信号特性

9.4.2 小信号增益

9.4.3 频率响应

9.4.4 延迟的计算

9.4.5 几种可调延时的方法[2]

 9.5 LC振荡器

 9.6 LC压控振荡器

 9.7 LC压控振荡器结构举例

 9.8 本章小结

 习题

 参考文献

第10章 锁相环

 10.1 锁相环基本单元

10.1.1 鉴相器

10.1.2 低通滤波器

10.1.3 压控振荡器

 10.2 基本锁相环的线性模型

 10.3 电荷泵锁相环

10.3.1 频率检测的引入

10.3.2 PFD和电荷泵

10.3.3 电荷泵锁相环的线性模型

 10.4 锁相环的跟踪与捕获

10.4.1 静态跟踪

10.4.2 捕获锁定

 10.5 锁相环电路的噪声

10.5.1 定时抖动与相位噪声

10.5.2 锁相环相位噪声

 本章小结

 习题

 参考文献

附录 CMOS工艺技术

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更新时间:2025/3/31 19:45:38