本书主要讨论窄禁带半导体的基本物理性质，包括晶体生长，能带结构，光学性质，晶格振动，自由载流子的激发、运输和复合，杂质缺陷，表面界面，二维电子气，超晶格和量子阱，器件物理和应用等方面的基本物理现象、效应和规律以及近年来的主要研究进展。在窄禁带半导体物理研究过程中建立的新型实验方法及器件应用也在书中有所介绍。

序
前言
第1章 概述
1.1 窄禁带半导体
1.2 现代红外光电子物理
1.2.1 红外材料平台
1.2.2 红外物理规律
1.2.3 红外功能器件
1.2.4 红外技术应用
参考文献

第2章 晶体
2.1 晶体生长的基本理论
2.1.1 引言
2.1.2 晶体生长热力学问题
2.1.3 晶体生长动力学问题
2.1.4 相图在晶体生长中的应用
2.1.5 分凝系数
2.1.6 凝固过程
2.2 体材料生长的主要方法
2.2.1 提拉法
2.2.2 布里奇曼方法
2.2.3 半熔法和Te溶剂法
2.2.4 固态再结晶方法
2.3 液相外延薄膜的生长
2.3.1 Hg1-xCdxTe液相外延生长条件
2.3.2 液相外延的生长程序
2.3.3 不同方式液相外延的比较
2.3.4 影响Hg1-xCdxTe液相外延层质量的几个因素
2.4 分子束外延薄膜生长
2.4.1 分子束外延生长过程
……
第3章 能带结构
第4章 光学性质
第5章 输运性质
第6章 晶格振动
第7章 杂质缺陷
第8章 复合
第9章 表面二维电子气
第10章 超晶格和量子阱
第11章 器件物理
附录A 不同组分的HG1-xCDxTe的物理量关系表
附录B 简要公式