本书共分为4章，内容包括半导体器件缺陷及失效分析技术概要、硅集成电路（LSI）的失效分析技术、功率器件的缺陷及失效分析技术、化合物半导体发光器件的缺陷及失效分析技术。笔者在书中各处开设了专栏，用以介绍每个领域的某些方面。在第2～4章的末尾各列入了3道例题，这些例题出自日本科学技术联盟主办的“初级可靠性技术者”资格认定考试，题型为5选1，希望大家可以利用这些例题来测试一下自身的水平。
本书的读者包括：半导体器件工艺及器件的相关技术人员，可靠性技术人员，失效分析技术人员，试验、分析、实验的负责人，以及大学生、研究生等。因此，罗列的内容层次从基础介绍到最新研究，覆盖范围较广。

上田修，东京大学工学部物理工学博士。1974-2005年，在富士通研究所（股份有限公司）从事半导体中晶格缺陷的分析以及半导体发光器件、电子器件劣化机制阐明的研究。2005-2019年，在金泽工业大学研究生院工学研究科任教授。现为明治大学客座教授。

前言
第1章 半导体器件缺陷及失效分析技术概要
1.1 失效分析的定位
1.2 缺陷分析的定位
1.3 用于缺陷及失效分析的分析工具概要
专栏：NANOTS的成立与更名
第1章参考文献
第2章 硅集成电路（LSI）的失效分析技术
2.1 失效分析的步骤和近8年新开发或普及的技术
2.2 封装部件的失效分析
2.3 芯片部件失效分析过程和主要失效分析技术一览
2.4 芯片部件的无损分析方法
2.5 芯片部件的半破坏性分析
2.6 物理和化学分析方法
专栏：应该如何命名
第2章练习题
第2章缩略语表
第2章参考文献
第3章 功率器件的缺陷及失效分析技术
3.1 功率器件的结构和制造工艺
3.2 由晶圆制造工艺引起的器件缺陷及失效分析技术
专栏：晶圆背面状态对工艺的影响
3.3 由芯片制造工艺引起的器件缺陷及失效分析技术
专栏：碱金属的加速氧化
3.4 由模块制造工艺引起的设备缺陷及失效分析技术
3.5 功率器件的其他分析技术
专栏：增大用于功率器件的晶圆直径
第3章练习题
第3章参考文献
第4章 化合物半导体发光器件的缺陷及失效分析技术
4.1 化合物半导体发光器件的工作原理和结构
4.2 化合物半导体发光器件的可靠性（以半导体激光器为例）
4.3 化合物半导体发光器件的可靠性测试
4.4 化合物半导体发光器件缺陷及失效分析的基本技术
4.5 化合物半导体发光器件缺陷及失效分析流程图
专栏：高速增长的VCSEL市场，可靠性没问题？不！
第4章练习题
第4章缩略语表
第4章参考文献
作者介绍
练习题答案