本书在简要介绍半导体物理知识的基础上，讨论了pn结、双极型晶体管、结型场效应晶体管、绝缘栅场效应晶体管、金属-半导体接触和异质结、半导体光电子器件、其他半导体器件的基本结构、基本工作原理和基本分析方法。
本书语言简明、物理概念清楚，可作为高等院校电子信息类相关专业半导体器件原理课程的教材，也可供有关科研人员和工程技术人员参考。

第1章 半导体物理基础
1.1 晶体结构
1.2 能带结构
1.3 半导体中载流子的统计分布
1.4 载流子的漂移运动
1.5 载流子的扩散运动
1.6 非平衡载流子
1.7 半导体基本方程
习题
第2章 pn结
2.1 pn结的形成及其单向导电性
2.2 pn结空间电荷区基本特性
2.2.1 平衡pn结的能带结构和载流子分布
2.2.2 非平衡pn结的能带结构和载流子分布
2.2.3 pn结的电场和电势分布
2.3 pn结的直流特性
2.3.1 非平衡pn结扩散区的载流子分布和扩散电流
2.3.2 pn结的势垒复合电流和产生电流
2.3.3 正偏pn结的大注入效应
2.4 pn结的耗尽层电容
2.5 pn结的小信号交流特性
2.5.1 pn结的扩散电容
2.5.2 pn结的交流参数和等效电路
2.6 pn结的开关特性
2.7 pn结的击穿
2.7.1 击穿机理概述
2.7.2 雪崩击穿条件
2.7.3 雪崩击穿电压的计算
习题
第3章 双极型晶体管
3.1 双极型晶体管的基本结构
3.2 双极型晶体管内载流子的输运过程
3.3 双极型晶体管的电流放大系数
3.3.1 均匀基区晶体管的电流增益因子的简化推导
3.3.2 均匀基区晶体管电流增益因子的数学推导
3.3.3 缓变基区晶体管的电流放大系数
3.3.4 发射区重掺杂条件下的禁带变窄效应
3.3.5 大注入效应
3.4 晶体管的直流特性
3.4.1 晶体管的电流电压方程
3.4.2 晶体管的击穿电压
3.4.3 纵向基区扩展效应
3.4.4 发射极电流集边效应
3.4.5 晶体管的安全工作区
3.5 双极型晶体管的频率特性
3.5.1 双极型晶体管频率特性概述
3.5.2 延迟时间的计算
3.5.3 晶体管的电流放大系数的频率特性
3.5.4 晶体管的高频等效电路和最高振荡频率
3.6 双极型晶体管的开关特性
3.6.1 晶体管工作区域的划分及其饱和工作状态
3.6.2 晶体管的开关过程
习题
第4章 场效应晶体管
4.1 结型场效应晶体管
4.1.1 结型场效应晶体管的工作原理
4.1.2 JFET的电流-电压方程
4.1.3 JFET的直流参数和频率参数
4.1.4 JFET的短沟道效应
4.2 绝缘栅场效应晶体管
4.2.1 半导体表面的特性和理想MOS结构
4.2.2 MOSFET结构及其工作原理
4.2.3 MOSFET的阈值电压
4.2.4 MOSFET的电流电压关系
4.2.5 MOSFET的亚阈区导电
4.2.6 MOSFET的击穿电压
4.2.7 MOSFET的高频等效电路和频率特性
4.2.8 MOSFET的短沟道效应
4.2.9 MOSFET阈值电压的调整
4.2.10 MOSFET的缩比理论
4.2.11 热电子效应和辐射效应
习题
第5章 金属-半导体接触和异质结
5.1 金属-半导体接触
5.1.1 理想金属-半导体接触
5.1.2 非理想效应
5.1.3 金属-半导体接触的电流电压关系
5.1.4 欧姆接触的实现方法
5.2 异质结
5.2.1 异质结半导体材料能带结构的对应关系
5.2.2 异质结的能带图的画法
5.2.3 异质结的基本特性
5.2.4 同型异质结
5.3 应变异质结
习题
第6章 半导体光电子器件
6.1 半导体的光吸收和光发射
6.1.1 光的基本性质
6.1.2 光在半导体中的吸收
6.1.3 半导体的光发射
6.2 太阳能电池
6.3 光探测器件
6.4 发光二极管
6.4.1 发光二极管基础
6.4.2 能带工程
6.5 半导体激光器件
6.5.1 半导体激光器件基础
6.5.2 量子阱激光器
6.5.3 垂直腔面发射激光器
习题
第7章 其他半导体器件
7.1 信息存储器件
7.1.1 MOS电容器的动态特性
7.1.2 随机存取存储器
7.1.3 闪烁存储器
7.1.4 CCD器件
7.2 负阻器件
7.2.1 隧道二极管
7.2.2 IMPATT器件
7.2.3 Gunn二极管
7.2.4 三端负阻器件
7.3 功率器件
7.3.1 晶闸管
7.3.2 VDMOS和LDMOS
7.3.3 绝缘栅控双极型晶体管
习题
附录A 物理常数表
附录B 晶体结构和晶格常数（A）
附录C 重要半导体的基本性质
附录D 硅、砷化镓和锗的重要性质
附录E 二氧化硅和氮化硅的性质
附录F 硅中的杂质能级
附录G 砷化镓中的杂质能级
参考文献