本书系统地讨论了第三代半导体材料SiC和GaN的物理特性，以及功率应用中不同类型的器件结构，同时详细地讨论了SiC和GaN功率器件的设计、制造，以及智能功率集成中的技术细节。也讨论了宽禁带半导体功率器件的栅极驱动设计，以及SiC和GaN功率器件的应用。最后对宽禁带半导体功率器件的未来发展进行了展望。
本书适合从事第三代半导体SiC和GaN方面相关工作的工程师、科研人员和技术管理人员阅读，也可以作为高等院校相关专业高年级本科生和研究生的教材和参考书。

贾扬·巴利加（B.Jayant Baliga），教授是国际公认的功率半导体器件领域的专家，发表了500多篇学术文章，拥有120项美国专利。他在IGBT概念、发展和商业化方面的工作得到了美国奥巴马总统的认可，获得了2011年美国国家技术创新奖章——这是美国政府授予工程师的最高荣誉，以及2014年IEEE荣誉勋章——电气工程领域的最高荣誉。

译者序
原书前言
第1章 引言
1.1 硅功率器件
1.2 硅功率器件的应用
1.3 碳化硅理想的比导通电阻
1.4 碳化硅功率整流器
1.5 硅功率MOSFET
1.6 碳化硅功率MOSFET
1.7 碳化硅功率结势垒肖特基场效应晶体管（JBSFET）
1.8 碳化硅功率MOSFET高频性能的改进
1.9 碳化硅双向场效应晶体管
1.10 碳化硅功率器件的应用
1.11 氮化镓功率器件
1.12 氮化镓功率器件的应用
1.13 小结
参考文献
第2章 碳化硅材料的特性
2.1 晶体和能带结构
2.2 电学特性
2.2.1 杂质掺杂和载流子密度
2.2.2 迁移率
2.2.3 漂移速度
2.2.4 碰撞电离系数和临界电场强度
2.3 其他物理特性
2.4 缺陷和载流子寿命
2.4.1 扩展缺陷
2.4.2 点缺陷
2.4.3 载流子寿命
参考文献
第3章 氮化镓及相关Ⅲ-Ⅴ型氮化物的物理特性
3.1 晶体结构和相关特性
3.2 极化电荷
3.3 用于氮化镓外延生长的衬底
3.3.1 蓝宝石衬底
3.3.2 碳化硅衬底
3.3.3 硅衬底
3.4 禁带结构和相关特性
3.4.1 载流子的有效质量
3.4.2 有效态密度
3.5 传输特性
3.5.1 GaN/AlGaN结构中的2D迁移率
3.6 碰撞电离系数
3.7 氮化镓中的缺陷
3.7.1 本征点缺陷
3.7.2 其他缺陷
3.7.3 氮化镓中的杂质
3.7.4 Ⅱ族杂质
3.7.5 Ⅳ族杂质
3.7.6 Ⅵ族杂质
3.7.7 深能级
3.8 小结
参考文献
第4章 碳化硅功率器件设计与制造
4.1 引言
4.2 碳化硅二极管
4.2.1 导言
4.2.2 低导通态损耗的SiCJBS器件设计
4.2.3 SiCJBS器件的边缘终端
4.2.4 更高耐用性的SiCJBS器件设计
4.2.5 SiCJBS和SiIGBT混合型模块
4.2.6 pin二极管
4.2.7 双极退化
4.2.8 小结
4.3 SiCMOSFET
4.3.1 引言
4.3.2 器件结构及其制造工艺
4.3.3 未来的SiCMOSFET结构
4.3.4 小结
4.4 SiCIGBT
4.4.1 引言
4.4.2 器件结构及其制造工艺
4.4.3 小结
参考文献
第5章 氮化镓智能功率器件和集成电路
5.1 引言
5.1.1 材料特性
5.1.2 外延和掺杂
5.1.3 极化和2DEG
5.1.4 MOS
5.1.5 功率器件应用
5.2 器件结构和设计
5.2.1 横向结构
5.2.2 垂直结构
5.3 器件的集成工艺
5.3.1 横向集成工艺
5.3.2 垂直集成工艺
5.4 器件性能
5.4.1 静态特性
5.4.2 动态开关
5.4.3 鲁棒性
5.4.4 应用中的器件选择
5.5 商用器件示例
5.5.1 分立晶体管
5.5.2 混合晶体管
5.5.3 集成晶体管
5.6 单片集成
5.6.1 功率IC
5.6.2 光电IC
5.7 未来趋势、可能性和挑战
致谢
参考文献
第6章 氮化镓基氮化镓功率器件设计和制造
6.1 引言
6.2 功率开关的要求
6.2.1 常关工作
6.2.2 高击穿电压
6.2.3 低导通电阻和高电流密度
6.2.4 高温工作
6.3 衬底和外延层
6.4 氮化镓衬底的可用性
6.5 垂直器件：电流孔径垂直电子晶体管
6.6 氮化镓垂直器件简史
6.7 电流孔径垂直电子晶体管及其关键组成部分的设计
6.8 孔径中的掺杂(Nap)和孔径长度(Lap)
6.9 漂移区厚度（tn-）
6.10 沟道厚度(tUID)和有效栅极长度（Lgo）
6.10.1 通过CBL
6.10.2 未调制的电子
6.10.3 通过栅极
6.11 电流阻断层
6.11.1 关于掺杂与注入电流阻断层的讨论
6.12 沟槽电流孔径垂直电子晶体管
6.13 金属-氧化物半导体场效应晶体管
6.13.1 基于非再生长金属-氧化物半导体场效应晶体管
6.13.2 基于再生长的金属-氧化物半导体场效应晶体管（OGFET）
6.13.3 OGFET开关性能
6.14 氮化镓高压二极管
6.15 器件的边缘终端、泄漏和有源区面积
6.16 小结
致谢
参考文献
拓展阅读
第7章 宽禁带半导体功率器件的栅极驱动器
7.1 引言
7.2 低压（LV）碳化硅器件的栅极驱动器（1200V和1700VSiCMOSFET和JFET）
7.2.1 引言
7.2.2 栅极驱动器的基本结构
7.2.3 LVSiCMOSFET的设计考虑
7.2.4 有源栅极驱动
7.2.5 1200V/1700V器件的栅极驱动器评估
7.2.6 1200V、100ASiCMOSFET的特性
7.2.7 1700VSiCMOSFET的表征以及与1700VSiIGBT和1700VSiBIMOSFET的比较
7.2.8 1200V、45ASiCJFET模块的表征
7.2.9 商用栅极驱动器回顾
7.3 氮化镓器件的栅极驱动器（最高650V）
7.3.1 GD规范和设计考虑、挑战和实现
7.3.2 布局建议
7.3.3 氮化镓四象限开关（FQS）的栅极驱动设计
7.3.4 商用栅极驱动器IC和趋势
7.4 栅极驱动器的认证
7.4.1 控制MOSFET开启/关断的栅极驱动器操