本书系统地讨论了用于电子、光电子和MEMS器件的2.5D、3D，以及3D IC集成和封装技术的最新进展和未来可能的演变趋势，同时详尽地讨论了IC的3D集成和封装关键技术中存在的主要工艺问题和可能的解决方案。通过介绍半导体产业中IC按照摩尔定律的发展以及演变的历史，阐述3D集成和封装的优势和挑战，结合当前3D集成关键技术的发展重点讨论TSV制程与模型、晶圆减薄与薄晶圆在封装组装过程中的拿持晶圆键合技术、3D堆叠的微凸点制造与组装技术、3D Si集成、2.5D/3D IC集成和采用无源转接板的3D IC集成、2.5D/3D IC集成的热管理技术、封装基板技术，以及存储器、LED、MEMS、CIS 3D IC集成等关键技术问题，最后讨论3D IC封装技术。本书适合从事电子、光电子、MEMS等器件3D集成的工程师、科研人员和技术管理人员阅读，也可以作为高等院校相关专业高年级本科生和研究生的教材和参考书。

译者序
原书前言
第1章 半导体IC封装的3D集成
1.1 引言
1.2 3D集成
1.3 3D IC封装
1.4 3D Si集成
1.5 3D IC集成
1.5.1 混合存储器立方
1.5.2 宽I/O DRAM和宽I/O
1.5.3 高带宽存储器
1.5.4 宽I/O存储器（或逻辑对逻辑）
1.5.5无源转接板（2.5 D IC集成）
1.6 TSV时代之前的供应链
1.6.1 前道工艺
1.6.2 后道工艺
1.6.3 封装和测试代工
1.7 TSV时代的供应链——谁制造TSV？
1.7.1 TSV通过先通孔工艺制造
1.7.2 TSV通过中通孔工艺制造
1.7.3 TSV通过后通孔（从正面）工艺制造
1.7.4 TSV通过后通孔（从背面）工艺制造
1.7.5 无源TSV转接板怎么样？
1.7.6 谁想为无源转接板制造TSV？
1.7.7 总结和建议
1.8 TSV时代的供应链——谁负责MEOL、组装和测试？
1.8.1 宽I/O存储器（面对背）的中通孔TSV制造工艺
1.8.2 宽I/O存储器（面对面）的中通孔TSV制造工艺
1.8.3 宽I/O DRAM的中通孔TSV制造工艺
1.8.4带有TSV/RDL无源转接板的2.5 D IC集成
1.8.5 总结和建议
1.9 采用TSV技术的CMOS图像传感器
1.9.1 东芝的DynastronTM
1.9.2 意法半导体VGA CIS摄像模块
1.9.3 三星的S5K4E5YX BSI图像传感器
1.9.4 东芝的HEW4 BSITCM5103PL图像传感器
1.9.5 Nemotek的CIS
1.9.6 索尼ISX014堆叠式摄像传感器
1.10 带有TSV的MEMS
1.10.1 意法半导体的MEMS惯性传感器
1.10.2 Discera的MEMS谐振器
1.10.3 Avago的FBAR MEMS滤波器
1.11 参考文献
第2章 硅通孔建模和测试
2.1 引言
2.2 TSV的电学建模
2.2.1 通用TSV结构的解析模型和方程
2.2.2 TSV模型的频域验证
2.2.3 TSV模型的时域验证
2.2.4 TSV的电学设计指南
2.2.5 总结和建议
2.3 TSV的热学建模
2.3.1 Cu填充的TSV等效热导率提取
2.3.2 TSV单元的热学特性
2.3.3 Cu填充的TSV等效热导率方程
2.3.4 TSV等效热导率方程的验证
2.3.5 总结和建议
2.4 TSV的机械建模和测试
2.4.1 Cu填充TSV和周围Si之间的TEM
2.4.2 制造中Cu胀出实验结果
2.4.3 热冲击循环下的Cu胀出
2.4.4 Cu填充的TSV排除区域
2.4.5 总结和建议
2.5 参考文献
第3章 用于薄晶圆拿持和应力测量的应力传感器
3.1 引言
3.2 压阻式应力传感器的设计和制造
3.2.1 压阻式应力传感器的设计
3.2.2 应力传感器的制造
3.2.3 总结和建议
3.3 应力传感器在薄晶圆拿持中的应用
3.3.1 压阻式应力传感器的设计、制造和校准
3.3.2 硅片减薄后的应力测量
3.3.3 总结和建议
3.4 应力传感器在晶圆凸点制造中的应用
3.4.1 UBM制造后的应力
3.4.2 干膜工艺后的应力
3.4.3 焊料凸点制造工艺后的应力
3.4.4 总结和建议
3.5 应力传感器在嵌入式超薄芯片跌落试验中的应用
3.5.1 测试板和制造
3.5.2 实验装置和流程
3.5.3 原位应力测量结果
3.5.4 可靠性测试
3.5.5 总结和建议
3.6 参考文献
第4章 封装基板技术
4.1 引言
4.2 用于倒装芯片 3D IC 集成的带有积层的封装基板
4.2.1 表面层压电路技术
4.2.2 带有积层的封装基板的发展趋势
4.2.3 总结与建议
4.3 无核心封装基板
4.3.1 无核心封装基板的优缺点
4.3.2 采用无核心基板替代Si转接板
4.3.3 无核心基板翘曲问题及解决方法
4.3.4 总结与建议
4.4 具有积层的封装基板的新进展
4.4.1 封装基板积层顶部的薄膜层
4.4.2 翘曲和合格结果
4.4.3 总结与建议
4.5 参考文献
第5章 微凸点：制造、组装和可靠性
5.1 引言
5.2 25μm间距微凸点的制造、装配和可靠性
5.2.1 测试板
5.2.2 微凸点的结构
5.2.3 ENIG焊盘的结构
5.2.42 5μm间距微凸点的制造
5.2.5 在Si载体上制造ENIG焊盘
5.2.6 热压键合组装
5.2.7 底部填充的评估
5.2.8 可靠性评估
5.2.9 总结和建议
5.32 0μm间距的微凸点制造、组装和可靠性
5.3.1 测试板
5.3.2 测试板装配
5.3.3 热压键合微接头的形成
5.3.4 微间隙填充
5.3.5 可靠性测试
5.3.6 可靠性测试结果与讨论
5.3.7 微接头的失效机理
5.3.8 总结与建议
5.4 15μm间距微凸点的制造、装配和可靠性
5.4.1 测试板的微凸点和UBM焊盘
5.4.2 组装
5.4.3 采用CuSn焊料微凸点与ENIG焊盘组装
5.4.4 采用CuSn焊料微凸点的组装
5.4.5 底部填充的评估
5.4.6 总结与建议
5.5 参考文献
第6章 3D Si集成
6.1 引言
6.2 电子工业
6.3 摩

《三维芯片集成与封装技术》就是关于这方面的一本好书，它的作者刘汉城博士拥有40多年的集成电路研发和制造经验，是电子、光电子、LED、CIS和MEMS器件和系统方面设计、制造、可靠性、测试和热管理等领域的著名专家，特别是在焊接力学和制造、扇入和扇出倒装芯片 WLP、TSV ，以及其他用于芯片的三维集成和 SiP技术方面有着超高造诣。这本书系统地讨论了用于电子、光电子和MEMS器件的2.5D、3D，以及3D IC集成和封装技术的最新进展和未来可能的演变趋势，同时详尽地讨论了芯片的三维集成和封装关键技术中存在的主要工艺问题和可能的解决方案。重点介绍TSV、应力传感器、微凸点、RDL、硅中介层、MEMS、LED、CMOS图像传感器的三维集成，以及热管理、可靠性等关键技术问题。这本书的内容源自工程实践，为工程师提供有价值的实用指南。