《CMOS的过去，现在和未来》提供了从基础知识到CMOS处理和电特性表征的最新见解，包括基于IV组半导体的光子学的集成。本书探讨了在应变工程中在硅上使用异质外延技术以及硅平台上光子学和高迁移率通道的集成所带来的陷阱和机遇。它从基本定义和方程式开始，但一直延伸到当前的技术和挑战，创建了关于技术的起源及其到现在的发展以及对未来趋势的展望的路线图。
该书探讨了硅以外的材料所带来的挑战和机遇，包括对高k材料和金属栅极，应变工程，沟道材料和迁移率以及接触的仔细研究。本书的关键方法是表征，器件处理和电气测量。

赵超，中国科学院大学特聘教授、中国科学院微电子研究所研究员。2000－2010年，在欧洲微电子研发中心（IMEC）任资深科学家，

第1章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础
1.1 引言
1.2 MOSFET的工作原理
1.2.1 累积
1.2.2 耗尽
1.2.3 反型
1.2.4 强反型
1.3 MOSFET的品质因数
1.4 MOSFET器件结构的演变
1.5 小结
参考文献
第2章 器件结构小型化和演化进程
2.1 引言
2.2 尺寸和结构的缩放
2.2.1 缩放原则
2.2.2 器件结构的影响
2.2.3 无结型晶体管
2.3 光刻
2.3.1 增强分辨率
2.3.2 二次图形化技术
2.3.3 极紫外光刻技术
2.3.4 掩模增强技术
2.4 电子束光刻
2.5 应变工程
第8 章 先进互连技术及其可靠性
8.1 引言
8.2 铜互连集成
8.2.1 大马士革工艺
8.2.2 铜电阻随互连微缩的变化
8.2.3 新型铜互连集成方案
8.3 low-k 介质特征和分类
8.3.1 low-k特性
8.3.2 low-k分类和表征
8.3.3 low-k介质集成挑战
8.3.4 气隙在互连中的实现
8.4 铜与硅和介质的相互作用
8.4.1 铜与硅的相互作用
8.4.2 铜与介质的相互作用
8.5 金属扩散阻挡层
8.5.1 金属间阻挡层的材料选择
8.5.2 金属扩散阻挡层的沉积
8.6 铜金属化的可靠性
8.6.1 电迁移基础理论
8.6.2 应力致空洞化
8.7 先进金属间介质的可靠性
8.7.1 金属间介质的漏电机理
8.7.2 金属间介质的击穿特性
8.8 可靠性统计和失效模型
8.8.1 概率分布函数
8.8.2 击穿加速模型
8.9 未来的互连
8.10 小结
参考文献
后记
原著致谢