本书系统介绍了人工晶体生长的基础理论和相图技术，在此基础上全面介绍了人工晶体生长主流技术如水溶液法、助熔剂法、水热法、焰熔法、提拉法和坩埚下降法等，详细介绍了上述人工晶体生长技术的基本原理、设备设计与构造、生长工艺以及它们的优缺点等。同时，作者结合自身多年科研工作成果积累，选择性介绍了几种重要的光电子晶体材料的生长技术。
本书可作为高年级本科生、硕士和博士研究生以及从事晶体材料研究初期工作人员的学习参考书和ru 门引导。

王国富，1949年11月出生，福建福州人，博士，中国科学院福建物质结构研究所二级研究员，博士生导师，原晶体材料研究室主任。1977年毕业于福州大学化学化工系，1996年获英国Strathclyde大学物理哲学博士学位。长期从事光电子功能晶体材料研究，参加研究工作以来获得10项科技成果：国家科技进步奖二等奖1项，省部级科学技术奖一等奖3项、二等奖5项、三等奖1项。发表论文280多篇，参编著作4部，获授权发明专利35项和实用新型专利5项。获国务院政府特殊津贴、全国化工优秀科技工作者、首届福建省优秀人才和第七届福建紫金科技创新奖等荣誉称号。先后受邀任中国硅酸盐学会晶体生长和材料分会副理事长、中国光学学会光学材料专委会副主任、《人工晶体学报》副主任委员和福州市委、市政府科技顾问。

前言
第1章 晶体生长理论基础
1.1 引言
1.2 晶体生长技术的分类
1.2.1 气相生长法
1.2.2 液相生长法
1.2.3 固相生长法
1.3 晶体生长的热力学原理
1.3.1 气-固相转变过程
1.3.2 液-固相转变过程
1.4 晶体生长理论构造模型
1.4.1 晶体层生长理论
1.4.2 晶体螺旋生长理论
1.5 溶液法晶体生长理论基础
1.5.1 溶液法晶体生长的基本原理
1.5.2 溶液中晶体生长过程的物理化学基础
1.6 熔体生长晶体理论基础
1.6.1 熔体生长过程的特点
1.6.2 结晶过程驱动力
1.6.3 熔体生长过程的物理化学基础
参考文献
第2章 相图及其在晶体生长中的应用
2.1 相图的基本概念
2.1.1 几个基本概念
2.1.2 相律
2.2 杠杆定律
2.3 相图的分类
2.3.1 单组元相图
2.3.2 二元系相图
2.3.3 三元系相图
2.4 相图的实验测定与绘制
2.4.1 差热分析基本原理
2.4.2 X射线粉末衍射原理
2.4.3 相图的测定和绘制
2.5 相图在晶体生长中的应用
2.5.1 相图在铌酸锂晶体生长中的应用
2.5.2 相图在紫外双折射高温相α-BaB2O4晶体生长中的应用
参考文献
第3章 水溶液晶体生长技术
3.1 溶液和溶解度
3.1.1 溶液的概念
3.1.2 溶解度和溶解度曲线
3.1.3 饱和温度和溶解度的测定
3.2 水溶液法晶体生长的基本原理和方法
3.2.1 溶剂蒸发法
3.2.2 温差法
3.2.3 降温法
3.3 影响水溶液晶体生长的主要因素
3.3.1 杂质的影响
3.3.2 pH的影响
3.3.3 过饱和度的影响
参考文献
第4章 助熔剂法晶体生长技术
4.1 引言
4.2 助熔剂法晶体生长技术的基本原理和生长技术方法
4.2.1 助熔剂法晶体生长技术的基本原理
4.2.2 自发成核法
4.2.3 籽晶法
4.3 助熔剂的选择
4.3.1 助熔剂的选择原则
4.3.2 助熔剂和熔液的物理化学性能
4.3.3 助熔剂的类型
4.4 混料设计在助熔剂探索中的应用
4.4.1 混料设计概述
4.4.2 混料设计指导复合助熔剂探索实验方案
4.4.3 混料设计指导复合助熔剂探索应用实例
4.5 助熔剂法晶体生长技术的优缺点
4.5.1 助熔剂法晶体生长技术的优点
4.5.2 助熔剂法晶体生长技术的缺点
参考文献
第5章 水热法晶体生长技术
5.1 水热法晶体生长技术的基本原理
5.2 水热结晶的物理化学性能
5.2.1 高温高压下水的物理化学性能
5.2.2 水热系统中的压强-体积-温度特性
5.3 水热法晶体生长装置
5.4 水热法晶体生长技术的工艺过程
5.5 影响水热法晶体生长的因素
5.5.1 温度对晶体生长的影响
5.5.2 溶液填充度对晶体生长的影响
5.5.3 溶液浓度对晶体生长的影响
5.5.4 培养料的溶解表面积与籽晶生长表面积之比对晶体生长速率的影响
5.5.5 溶液pH对晶体生长的影响
5.5.6 对流挡板对晶体生长的影响
5.6 水热法晶体生长技术的优缺点
5.6.1 水热法晶体生长技术的优点
5.6.2 水热法晶体生长技术的缺点
参考文献
第6章 焰熔法晶体生长技术
6.1 焰熔法晶体生长的基本原理
6.2 焰熔法晶体生长装置
6.2.1 原料供应系统
6.2.2 燃烧系统
6.2.3 晶体生长系统
6.3 焰熔法晶体生长技术的工艺过程
6.4 焰熔法晶体生长技术的优缺点与晶体缺陷
6.5 焰熔法晶体生长技术的主要应用领域
6.5.1 焰熔法在合成星光刚玉宝石方面的应用
6.5.2 合成宝石鉴别
参考文献
第7章 提拉法晶体生长技术
7.1 提拉法晶体生长技术的热力学基础
7.1.1 提拉法晶体生长技术基本原理
7.1.2 结晶过程的驱动力
7.1.3 提拉法晶体生长技术的热传递方式
7.1.4 界面热流连续方程
7.1.5 晶体中的温度分布
7.2 提拉法晶体生长技术的基本装置和工艺
7.2.1 提拉法晶体生长技术的基本装置
7.2.2 提拉法晶体生长的一般工艺过程
7.3 提拉法晶体生长中缺陷形成和控制
7.3.1 晶体中常见的几种缺陷
7.3.2 物质条件对晶体质量的影响和控制
7.3.3 热力学因素对晶体质量的影响和控制
7.3.4 分凝和组分过冷
7.3.5 温度分布、温度波动与晶体生长条纹
7.4 提拉法晶体生长技术的优缺点
参考文献
第8章 坩埚下降法晶体生长技术
8.1 坩埚下降法晶体生长技术的基本原理
8.2 坩埚下降法晶体生长装置
8.3 坩埚下降法晶体生长技术的基本工艺与要求
8.3.1 坩埚
8.3.2 基本生长工艺流程
8.3.3 晶体生长的传热过程和温场设计
8.3.4 生长速率和固-液界面移动的控制
8.3.5 Bridgman法晶体生长过程的结晶界面的控制及其控制原理
8.3.6 籽晶定向生长
8.4 坩埚下降法