本书以图解的方式深入浅出地讲述了功率半导体制造工艺的各个技术环节。全书共分为10章，包括俯瞰功率半导体工艺全貌、功率半导体的基础知识及运作、各种功率半导体的作用、功率半导体的用途与市场、功率半导体的分类、用于功率半导体的硅晶圆、硅功率半导体的发展、挑战硅极限的SiC与GaN、功率半导体制造过程的特征、功率半导体开辟绿色能源时代等。
本书适合与半导体业务相关的人士、准备涉足半导体领域的人士、对功率半导体感兴趣的职场人士和学生阅读。

前言
本书的表示及使用方法
第1章 俯瞰功率半导体全貌
1.1作为电子零件的半导体设备的定位
什么是电子零件？
可高速开关的半导体器件
1.2半导体设备中的功率半导体
导体设备和世界趋势
功率半导体是幕后英雄
半导体中的功率半导体
1.3功率半导体的应用
家中的例子
什么是变频器控制？
1.4将功率半导体比作人
功率半导体扮演的角色
什么是电力的转换？
1.5晶体管结构的差异
一般的MOSFET
功率MOSFET
晶体管的区别
俯视晶体管结构
第2章 功率半导体的基础知识及运作
2.1半导体的基础知识和运作
什么是半导体？
固体中载流子的移动
载流子置入
2.2关于pn结
为什么需要硅呢？
pn结是什么？
正向和反向偏压
2.3晶体管的基本知识及操作
开关是什么？
晶体管是什么？
2.4双极晶体管的基本知识和操作
什么是双极晶体管？
双极晶体管的原理
双极晶体管的连接
2.5MOS型二极管的基础知识和操作
MOS型是什么？
半导体设备各部分的功能
MOS型二极管的作用和开关操作
2.6回顾半导体的历史
半导体的起源
功率半导体早期扮演的角色
从汞整流器到硅整流器
从硅到下一代材料
2.7功率MOSFET的出现
应对高速开关的需求
MOSFET是什么？
双极晶体管和MOSFET的比较
2.8双极和MOS的融合
IGBT出现之前
IGBT的特征
2.9与信号转换的比较
什么是信号的转换？
CMOS反相器的操作
第3章 各种功率半导体的作用
3.1单向导通的二极管
二极管与整流作用
二极管的实际整流作用
整流作用的原理
3.2大电流双极晶体管
双极晶体管是什么？
为什么需要高速开关
双极晶体管原理
双极晶体管的操作点
3.3双稳态晶闸管
晶闸管是什么？
晶闸管的原理
什么是双向晶闸管？
GTO晶闸管的出现
晶闸管的应用
3.4高速运行的功率MOSFET
MOSFET的工作原理
功率MOSFET的特征是什么？
MOSFET的各种构造
3.5节能时代的IGBT
IGBT出现的背景
IGBT的工作原理
水平IGBT的例子
IGBT面临的挑战
3.6探索功率半导体的课题
导通电阻是什么？
耐受电压是指什么？
硅的极限在哪里？
第4章 功率半导体的用途与市场
4.1功率半导体的市场规模
功率半导体的市场
进入功率半导体市场的企业
日本企业里实力雄厚的功率半导体部门
4.2电力基础设施和功率半导体
电网与功率半导体
实际使用情况
功率半导体在工业设备中的应用
4.3交通基础设施和功率半导体
电力机车与功率半导体
实际的电力转换
N700系列使用IGBT
混动机车的出现
4.4汽车和功率半导体
电动车的出现与功率半导体
功率半导体的作用
降压升压是什么？
4.5信息、通信和功率半导体
IT时代与功率半导体
实际发生的动作
4.6家电与功率半导体
什么是IH电磁炉？
功率半导体用于何处？
LED照明与功率半导体
第5章 功率半导体的分类
5.1根据用途分类的功率半导体
功率半导体是非接触式开关
功率半导体的广泛用途
5.2根据材料分类的功率半导体
功率半导体与基底材料
对宽隙半导体的需求
5.3按结构和原理分类的功率半导体
按载流子种类的数量分类
按结的数量分类
按端口数量和结构分类
5.4功率半导体的容量
什么是功率半导体的额定值？
功率半导体的电流容量和击穿电压
第6章 用于功率半导体的硅晶圆
6.1硅晶圆是什么？
硅的质量是功率半导体的关键
硅晶圆
高纯度多晶硅
6.2不同的硅晶圆制造方法
硅晶圆的两种制造方法
Chokoralsky法
浮动区法
6.3与存储器和逻辑电路不同的FZ结晶
实际的FZ硅晶体制造方法
FZ结晶的大直径化
6.4为什么需要FZ晶体？
偏析是什么？
FZ法在控制杂质浓度方面的优势
FZ硅晶圆的挑战
大直径化发展到什么程度了？
6.5硅的极限是什么？
硅的极限
原则上耐压性决定硅的极限
第7章 硅功率半导体的发展
7.1功率半导体的世代
功率半导体的世代是什么？
减少电力损失是指什么？
7.2对IGBT的性能要求
MOSFET的缺点
IGBT的世代交替
7.3穿透型和非穿透型
穿透型是什么?
非穿透型是什么？
7.4场截止型（Field Stop）的出现
场截止型的制造过程
7.5探索IGBT类型的发展
从平面型到沟槽型
更进一步的IGBT发展
7.6逐渐IPM化的功率半导体
功率模块是什么？
IPM是什么？
7.7冷却与功率半导体
半导体与冷却
各种各样的冷却措施
第8章 挑战硅极限的SiC和GaN
8.1直径可达6英寸的SiC晶圆
SiC是什么？
SiC出现在功率半导体之前
拥有不同结晶的SiC
其他SiC特性
8.2SiC的优点和挑战
SiC的优点
SiC的FET结构
许多挑战
8.3朝着实用化发展的SiC变频器
SiC的应用
8.4GaN晶圆的难点：什么是异质外延？
GaN是什么？
如何制造GaN单晶？
8.5GaN的优势和挑战
设备的挑战是多方面的
其他课题
8.6GaN挑战常闭型
盖子必须关好
常闭型的优点是什么？
常闭型对策
GaN的魅力
8.7晶圆制造商的动向
成本挑战
SiC晶圆业务日新月异
GaN晶圆的动向
第9章 功率半导体制造过程的特征
9.1功率半导体与MOS LSI的区别
功率半导体要使用整个晶圆吗？
先

186个知识点，176张工艺与构造图表，
日本著名半导体专家佐藤淳一从业30多年积淀
复旦大学微电子学院教授蒋玉龙推荐
南京大学微制造与集成工艺中心原副主任、北京智慧能源研究院半导体资深技术专家李哲洋博士推荐
华为公司高级顾问、信息通信行业专家李翔宇推荐
双极晶体管、MOSFET、IGBT、MOS LSI、晶圆减薄工艺、硅晶圆、SiC和GaN、芯片黏接