本书共包括15章：第1章概述了半导体制造工艺；第2章介绍了基本的半导体工艺技术；第3章介绍了半导体器件、集成电路芯片，以及早期的制造工艺技术；第4章描述了晶体结构、单晶硅晶圆生长，以及硅外延技术；第5章讨论了半导体工艺中的加热过程；第6章详细介绍了光学光刻工艺；第7章讨论了半导体制造过程中使用的等离子体理论；第8章讨论了离子注入工艺；第9章详细介绍了刻蚀工艺；第10章介绍了基本的化学气相沉积（CVD）和电介质薄膜沉积工艺，以及多孔低k电介质沉积、气隙的应用、原子层沉积（ALD）工艺过程；第11章介绍了金属化工艺；第12章讨论了化学机械研磨（CMP）工艺；第13章介绍了工艺整合；第14章介绍了先进的CMOS、DRAM和NAND闪存工艺流程；第15章总结了本书和半导体工业未来的发展。
本书适合作为高等院校微电子技术专业的教材，也可作为从事半导体制造与研究人员的参考书及公司培训员工的标准教材。

段宝兴，1977年生，男，陕西省大荔县人，博士，教授，博士生导师，分别于2000年和2004年获哈尔滨理工大学材料物理与化学专业学士和硕士学位，2007年获电子科技大学微电子学与固体电子学博士学位。主要从事硅基功率器件与集成、宽带隙半导体功率器件和45nm后CMOS关键技术研究。首次在国际上提出的优化功率器件新技术REBULF已成功应用于横向高压功率器件设计；与合作者提出的SOI高压器件介质场增强ENDILF技术，成功解决了高压器件纵向耐压受限问题；首次在国际上提出了完全3DRESURF及异质结功率半导体概念。先后在国际国内重要期刊上发表论文50余篇，其中30余篇次被SCI、EI检索。担任国际重要学术期刊IEEE Electron Device Letters, Solid-State Electronics, Trans-actions on Electron Devices, IEEE Transactions on Power Electronics和IETE Techiical Review等的审稿人。

第1章 导论
1.1 集成电路发展历史
1.1.1 世界上第一个晶体管
1.1.2 世界上第一个集成电路芯片
1.1.3 摩尔定律
1.1.4 图形尺寸和晶圆尺寸
1.1.5 集成电路发展节点
1.1.6 摩尔定律或超摩尔定律
1.2 集成电路发展回顾
1.2.1 材料制备
1.2.2 半导体工艺设备
1.2.3 测量和测试工具
1.2.4 晶圆生产
1.2.5 电路设计
1.2.6 光刻版的制造
1.2.7 晶圆制造
1.3 小结
1.4 参考文献
1.5 习题
第2章 集成电路工艺介绍
2.1 集成电路工艺简介
2.2 集成电路的成品率
2.2.1 成品率的定义
2.2.2 成品率和利润
2.2.3 缺陷和成品率
2.3 无尘室技术
2.3.1 无尘室
2.3.2 污染物控制和成品率
2.3.3 无尘室的基本结构
2.3.4 无尘室的无尘衣穿着程序
2.3.5 无尘室协议规范
2.4 集成电路工艺间基本结构
2.4.1 晶圆的制造区
2.4.2 设备区
2.4.3 辅助区
2.5 集成电路测试与封装
2.5.1 晶粒测试
2.5.2 芯片的封装
2.5.3 最终测试
2.5.4 3D封装技术
2.6 集成电路未来发展趋势
2.7 小结
2.8 参考文献
2.9 习题
第3章 半导体基础
3.1 半导体基本概念
3.1.1 能带间隙
3.1.2 晶体结构
3.1.3 掺杂半导体
3.1.4 掺杂物浓度和电阻率
3.1.5 半导体材料概要
3.2 半导体基本元器件
3.2.1 电阻
3.2.2 电容
3.2.3 二极管
3.2.4 双载流子晶体管
3.2.5 MOSFET
3.3 集成电路芯片
3.3.1 存储器
3.3.2 微处理器
3.3.3 专用集成电路（ASIC）
3.4 集成电路基本工艺
3.4.1 双载流子晶体管制造过程
3.4.2 P型MOS工艺（20世纪60年代技术）
3.4.3 N型MOS工艺（20世纪70年代技术）
3.5 互补型金属一氧化物晶体管
3.5.1 CMOS电路
……
第4章 晶圆制造
第5章 加热工艺
第6章 光刻工艺
第7章 等离子体工艺
第8章 离子注入工艺
第9章 刻蚀工艺
第10章 化学气相沉积与电介质薄膜
第11章 金属化工艺
第12章 化学机械研磨工艺
第13章 半导体工艺整合
第14章 IC工艺技术
第15章 半导体工艺发展趋势和总结