本书包括了第3代半导体材料、新型半导体器件、设计工具与设计方法、集成电路工艺技术等内容，涵盖了从半导体材料、器件、设计到工艺技术，立足微电子技术前沿的近期新技术成果，以培养创新实践能力为主线，将专业教育与创新实践教育有机融合，以培养创新创业精神为核心，为微电子专业提供了近期新的技术成果，是微电子专业的创新与实践的很好指导书。
本书内容翔实，论述深入浅出，可作为职业院校和高等院校的微电子技术相关专业的专科、本科和研究生的教材，也可作为电子制造工程师的参考书和电子企业教育培训的教材。

陈力颖 现任教于天津工业大学电子与信息工程学院电子科学与技术系。2008年于天津大学取得博士学位，主要从事物联网、RFID、射频集成电路，模拟集成电路及数模混合集成电路等研究，已发表SCI论文5篇、EI论文12篇，译作5部。

章第三代半导体材料

1.1第三代半导体材料概述

1.2第三代半导体材料国内外技术现状与发展趋势

1.3第三代半导体在光电器件领域的应用

1.3.1半导体照明

1.3.2短波长激光器

1.3.3光伏电池

1.3.4其他

1.4AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管

1.4.1GaN材料

1.4.2AlGaN/GaN HEMT结构

1.4.3AlGaN/GaN HEMT工作原理

1.5ZnO异质结光电器件

1.5.1ZnO晶体的物理性质和基本结构

1.5.2ZnO的能带结构

1.5.3ZnO的光学特性

1.5.4ZnO的电学特性

1.5.5ZnO的压电特性

1.5.6ZnO紫外探测器

1.6小结

参考文献

第2章半导体纳米材料

2.1纳米材料

2.1.1纳米材料概述

2.1.2纳米材料的特性

2.1.3纳米材料的合成与制备

2.2半导体纳米材料

2.2.1半导体纳米材料概述

2.2.2半导体纳米材料的特性

2.2.3半导体纳米材料的合成与制备

2.2.4半导体纳米材料的应用

2.3纳米氧化锌复合材料在电化学生物传感器方面的应用

2.3.1电化学生物传感器概述

2.3.2电化学生物传感器的分类

2.3.3基于氧化锌/金纳米复合材料的电化学传感器对抗坏血酸和尿酸的同时检测

2.4ZnO纳米材料在其他方面的应用

2.4.1ZnO纳米材料在发光器件中的应用

2.4.2ZnO纳米材料在太阳能电池中的应用

2.4.3ZnO纳米材料在探测器中的应用

2.5石墨烯

2.5.1石墨烯概述

2.5.2石墨烯复合材料

2.6石墨烯基复合材料的应用

2.7石墨烯/硅光电探测器

2.7.1石墨烯简介

2.7.2石墨烯的制备方法

2.7.3石墨烯在光电探测器中的应用

2.7.4石墨烯/硅光电探测器

参考文献

第3章金属硫化物半导体材料

3.1ZnS半导体材料

3.1.1ZnS基本性质

3.1.2ZnS薄膜的制备方法

3.2ZnS应用研究

3.2.1ZnS在太阳能电池方面的应用研究

3.2.2ZnS在电致发光器件方面的应用研究

3.2.3ZnS在透明电极方面的应用研究

3.3二硫化钼最新研究进展

3.3.1MoS2的性质和结构

3.3.2MoS2的价带结构和光学性质

3.3.3MoS2的制备方法

3.3.4基于MoS2的场效应晶体管应用

3.4小结

参考文献

第4章金属硒化物半导体纳米材料

4.1CdSe半导体纳米材料

4.1.1CdSe的基本性质

4.1.2CdSe纳米半导体薄膜的制备方法

4.1.3CdSe半导体纳米材料的应用

4.2SnSe半导体材料简述

4.2.1引言

4.2.2国内外SnSe材料研究现状

4.3ZnSe半导体纳米材料

4.3.1引言

4.3.2ZnSe的性质、晶体结构及能带结构

4.3.3ZnSe纳米材料的制备方法

4.3.4ZnSe纳米材料的应用

4.4小结

参考文献

第5章绝缘栅双极型晶体管

5.1IGBT原理

5.2IGBT结构及分类

5.2.1IGBT结构

5.2.2PTIGBT和NPTIGBT

5.3IGBT的工作原理

5.4IGBT的特性分析

5.4.1IGBT的静态特性

5.4.2IGBT的动态特性

5.5小结

参考文献

第6章碳化硅器件

6.1引言

6.2SiC分立器件的研究现状

6.3SiC器件的分类

6.3.1SiC肖特基二极管

6.3.2SiC功率器件

6.3.3SiC开关器件

6.3.4SiC微波器件

6.4SiC集成电路的研究现状

6.5SiC材料的外延生长

6.6SiC材料的特点与结构

6.7SiC器件在高温环境中的应用

6.8小结

参考文献

第7章高电子迁移率晶体管

7.1HEMT简介

7.2HEMT原理

7.2.1MESFET

7.2.2HEMT

7.3HEMT器件热特性

7.4AlGaN/GaN材料HEMT器件优化分析与IV特性关系

7.4.1引言

7.4.2器件性能的优化分析

7.5小结

参考文献

第8章可控硅

8.1可控硅简介

8.2可控硅特性

8.3可控硅的检测

8.3.1单向可控硅的检测

8.3.2双向可控硅的检测

8.3.3光控可控硅的检测

8.4可控硅元件的使用原理

8.4.1可控硅的分类

8.4.2可控硅元件使用的注意事项

8.4.3可控硅元件的保护措施

8.5可控硅应用

8.6小结

参考文献

第9章新工具、新技术在微电子学中的应用

9.1人工神经网络

9.1.1人工神经网络概述

9.1.2人工神经网络基础

9.1.3人工神经网络在微电子学中的应用

9.1.4小结

9.2智能优化算法

9.2.1概述

9.2.2禁忌搜索算法

9.2.3模拟退火算法

9.2.4遗传算法

9.2.5遗传算法在集成电路设计中的应用

9.2.6小结

9.3异步设计

9.3.1异步设计的研究

9.3.2异步控制器的实现

9.4小结

参考文献

0章集成电路的超低功耗设计

10.1引言

10.2集成电路的功耗分析

10.3纳米尺度工艺的功耗趋势

10.4超低功耗集成电路的工艺及器件结构

10.5集成电路的低功耗设计技术

10.6小结

参考文献

1章新型工艺

11.1半导体工艺

11.1.1半导体工艺概述

11.1.2半导体工艺发展现状

11.27nm工艺

11.3FinFET技术

11.3.1FinFET概述

11.3.2高K基FinFET

11.4小结

参考文献

2章微电子新型封装技术

12.1微电子封装技术

12.1.1微电子封装技术概述

12.1.2微电子封装技术发展及其方向

12.2MEMS封装

12.2.1MEMS封装技术

12.2.2键合技术

12.2.3倒装芯片封装技术

12.2.4多芯片封装技术

12.3叠层3D封装

12.3.1芯片叠层

12.3.2封装叠层

12.3.3晶圆叠层3D封装

12.4小结

参考文献