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书名 GaN基光电阴极(精)
分类 科学技术-自然科学-物理
作者 作者:常本康
出版社 科学出版社
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简介
作者简介
常小康,南京理工大学教授,博士生导师,国防科工委微光重点实验室学术委员会副主任委员。主要从事光电发射材料、器件与多光谱融合的图像探测系统的研究。培养硕士70多名、博士与博士后50多名。先后出版过的专著和教材有:《显示技术》(1994)、《多碱光电阴极机理、特性与应用》(1995)、《红外成像阵列与系统》(2006)、《红外成像阵列与系统(修订版)》(2009)、《多碱光电阴极》(2011)以及《GaAs光电阴极》(2012)等。在国内外学术期刊与会议发表论文400多篇,申报专利20多项。
目录
前言
第1章 绪论
1.1 紫外辐射的分类
1.2 实用的紫外光电阴极
1.2.1 400~200nm范围的光电阴极
1.2.2 200~105nm范围的光电阴极
1.2.3 低于105nm的光电阴极
1.3 NEA GaN基光电阴极的研究进展
1.3.1 GaN光电阴极的研究进展
1.3.2 AlGaN光电阴极的研究进展
参考文献
第2章 研究方法与实验基础
2.1 单电子近似理论
2.1.1 绝热近似
2.1.2 Hartree-Fork近似
2.2 密度泛函理论
2.2.1 Hohenberg-KohN定理
2.2.2 Kohn-Sham 定理
2.2.3 局域密度近似和广义梯度近似
2.3 平面波赝势法
2.4 光学性质计算公式
2.5 第一性原理计算软件
2.6 GaN基光电阴极实验系统简介
2.6.1 表面分析系统
2.6.2 超高真空激活系统
2.6.3 多信息量测试系统
参考文献
第3章 GaN基光电阴极材料
3.1 GaN晶体
3.1.1 GaN的晶格结构和主要参数
3.1.2 GaN晶体的电学特性及能带结构
3.1.3 GaN本征载流子浓度
3.1.4 GaN材料的光学特性
3.2 AlGaN晶体
3.2.1 AlGaN的晶格结构和主要参数
3.2.2 AlGaN结构特性
3.2.3 AlGaN材料的光学特性
3.2.4 AlGaN晶体的极化效应
3.2.5 AlGaN晶体极化效应对阴极迁移率的影响
3.2.6 电子扩散长度对AlGaN光电阴极量子效率的影响
3.2.7 后界面复合速率对AlGaN光电阴极量子效率的影响
3.2.8 AlGaN晶体异质结构对电子输运的影响
3.3 纤锌矿结构GaN基(0001)光电发射材料生长
3.3.1 衬底及缓冲层的选取
3.3.2 GaN材料的生长技术
3.3.3 AlxGa1-xN材料生长
3.3.4 p型AlxGa1-xN材料制备
参考文献
第4章 GaN光电阴极的能带结构和光学性质
4.1 能带理论的基本方法
4.2 GaN电子结构与光学性质理论研究
4.2.1 GaN电子结构和光学性质
4.2.2 计算结果与讨论
4.3 空位缺陷对GaN光学性质的影响
4.3.1 理论模型和计算方法
4.3.2 计算结果与讨论
4.4 Mg掺杂对GaN电子结构和光学性质的影响
4.4.1 理论模型和计算方法
4.4.2 结构与讨论
4.4.3 光学性质
4.5 Al组分对GaN电子结构和光学性质的影响
4.5.1 理论模型和计算方法
4.5.2 计算结果分析
4.6 GaN(0001)表面电子结构和光学性质
4.6.1 理论模型和计算方法
  ……
第5章 AlGaN光电阴极的能带结构和光学性质
第6章 NEA GaN基光电阴极光电发射理论
第7章 GaN(0001)面光电发射模型
第8章 GaN(0001)光电阴极制备
第9章 AlGaN(0001)光电阴极制备
第10章 回顾与展望
后记
内容推荐
常本康著的《GaN基光电阴极(精)》是作者承担国家科研项目的总结,全书共10章,介绍了实用的紫外光电阴极、NEAGaN基光电阴极以及研究方法与实验基础、GaN基光电阴极材料;研究了GaN和AlGaN光电阴极的能带结构、光学性质、光电发射理论和表面模型;探索了GaN和AlGaN光电阴极的制备技术;最后对GaN基光电阴极研究进行了回顾与展望。
本书可作为大专院校光学工程、电子科学与技术和光信息科学与技术等专业的本科生及研究生教学用书,也可供从事光电阴极及电子源研究的科研人员和工程技术人员、教师阅读,还可供从事光电阴极和电子源生产以及使用光电器件或电子枪的有关人员参考。
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更新时间:2025/2/22 23:42:30