序
前言
第1章 引言
1.1 功率集成电路的发展
1.2 功率集成电路的概念与分类
1.3 功率集成电路的技术特点
参考文献
第2章 可集成功率半导体器件
2.1 可集成功率器件概述
2.2 功率器件的击穿机理
2.3 结终端技术
2.3.1 场板技术
2.3.2 沟槽终端技术
2.3.3 结终端扩展技术
2.3.4 衬底终端技术
2.4 RESURF技术
2.4.1 Single RESURF
2.4.2 Double RESURF
2.4.3 Triple RESURF
2.5 超结LDMOS
2.5.1 横向超结器件的衬底辅助耗尽效应
2.5.2 等效衬底ES模型与理想衬底条件
2.5.3 横向超结器件典型工艺与实验结果
2.6 LIGBT
2.6.1 降低LIGBT静态功耗的典型结构
2.6.2 降低LIGBT动态功耗的典型结构
2.6.3 提高LIGBT安全工作区的典型结构
2.7 SOI高压器件与集成技术
2.7.1 SOI高压器件介质场增强模型与技术
2.7.2 SOI高压器件介质场增强典型技术和新结构
2.7.3 背部刻蚀技术
2.8 GaN功率集成器件与集成技术
参考文献
第3章 功率集成电路工艺
3.1 功率集成电路工艺简介
3.1.1 BCD工艺关键技术
3.1.2 BCD工艺技术分类
3.1.3 其他功率集成工艺
3.2 功率集成电路工艺发展动态
3.2.1 体硅功率集成电路工艺发展动态
3.2.2 SOI基功率集成电路工艺发展动态
3.3 BCD兼容技术
3.3.1 BCD工艺优化规则
3.3.2 BCD工艺兼容设计实例
3.4 隔离技术
3.4.1 自隔离技术
3.4.2 结隔离技术
3.4.3 介质隔离技术
3.5 高压互连技术
3.5.1 厚介质层互连技术
3.5.2 掺杂优化技术
3.5.3 场板屏蔽技术
3.5.4 自屏蔽技术
3.6 功率集成电路工艺中的可靠性问题
3.6.1 寄生效应
3.6.2 ESD
3.6.3 热载流子效应
3.6.4 高温反偏
3.7 工艺仿真及设计实例
3.7.1 工艺仿真软件介绍
3.7.2 TSUPREM-4工艺仿真介绍
3.7.3 混合仿真
参考文献
第4章 电源转换技术
4.1 概述
4.2 隔离式开关变换器设计技术
4.2.1 隔离式开关变换器的分类及工作原理
4.2.2 隔离式开关变换器关键设计技术
4.3 非隔离式开关变换器设计技术
4.3.1 非隔离式开关变换器的工作原理
4.3.2 电压模控制方式设计技术
4.3.3 电流模控制方式设计技术
4.3.4 恒定导通时间控制策略
4.4 核心模块设计技术
4.4.1 基准电路设计技术
4.4.2 频率补偿设计技术
4.4.3 LDO核心技术
参考文献
第5章 电源管理技术
5.1 概述
5.2 动态电压调节技术
5.2.1 动态调压DC-DC变换器的发展现状
5.2.2 动态调压DC-DC变换器设计技术
5.3 高集成度PMU设计与数字辅助功率集成技术
5.3.1 PMU顶层设计
5.3.2 具体电路实施方案
5.3.3 数字辅助精度提升技术
5.3.4 分段功率管驱动技术
5.4 数字电源控制器设计技术
5.4.1 国内外发展现状
5.4.2 数字可编程电源控制器结构
5.4.3 数字可编程电源控制器设计实现
5.5 自适应电压调节技术
5.5.1 自适应电压调节技术的概念与基本原理
5.5.2 基于PSM的自适应电压调节技术
5.5.3 基于ADPS的自适应电压调节技术
5.5.4 基于自适应电压调节的最小能耗点追踪技术
5.6 数字控制DC-DC变换器设计实例
5.6.1 概述
5.6.2 参数可配置DPID设计
5.6.3 整体仿真验证
参考文献
第6章 栅驱动电路
6.1 概述
6.1.1 光耦隔离栅驱动集成电路
6.1.2 单片式高压栅驱动集成电路
6.1.3 磁隔离高压栅驱动集成电路
6.1.4 几种高侧栅驱动方式的比较
6.2 Si 基功率器件高压栅驱动技术
6.2.1 单片高压栅驱动电路工作原理
6.2.2 高端电平位移电路及技术
6.2.3 片内抗dv/dt电路技术
6.2.4 抗di/dt技术
6.2.5 驱动电流和功率管匹配技术
6.2.6 单片高压栅驱动电路及设计实例
6.3 GaN驱动电路设计
6.3.1 Rdson受驱动电压非线性调制和最大栅压有限的矛盾
6.3.2 浮动栅驱动技术和Bootstrap技术
6.3.3 di/dt和dv/dt效应及其抗干扰设计
6.3.4 自适应死区时间控制
6.3.5 栅驱动斜率控制(slope control)
6.3.6 高频封装和PCB设计考虑
6.4 GaN栅驱动设计实例介绍
6.5 SiC驱动技术
6.5.1 SiC物理特性
6.5.2 SiC MOSFET驱动关键设计技术
参考文献
第7章 展望
7.1 功率集成电路工艺与器件技术展望
7.1.1 集成高压MOS器件
7.1.2 集成功率MOS器件
7.1.3 集成高压/功率二极管
7.1.4 新材料集成功率器件及功率集成工艺
7.1.5 混合集成技术
7.2 功率集成电路系统拓扑与核心芯片技术展望
7.2.1 基于功率集成电

本书介绍功率集成电路设计领域的基础理论与方法。从功率集成电路的特点出发,以功率集成电路设计基本原理为主线,从构成功率集成电路的核心器件入手,贯穿工艺制造、芯片级电路设计和系统级电源转换技术。全书共7章,内容包括功率集成电路发展、分类及技术特点:可集成功率半导体器件;功率集成电路工艺:电源转换技术:电源管理技术;栅驱动电路和功率集成电路发展展望。
本书可供集成设计与制造方向的研究生和从业人员参考。