《透明及柔性金属氧化物存储器研究》围绕阻变存储器的单双极性转变机制，透明、柔性阻变存储层材料的选择和制备展开论述，主要内容包括阻变层中阴阳离子缺陷对阻变存储器中电阻开关极性的影响和调控。透明阻变材料SnO2：Mn薄膜的制备及A1/SnO2：Mn/FTO阻变存储性质论述。通过溶胶凝胶方法，制备了透明的SnO2：Mn薄膜，并将其用于A1/SnO2：Mn/FTO（F：SnO2）结构的阻变存储器件中，并研究了其阻变存储性质。在低温条件下通过深紫外光化学激活溶胶凝胶法制备得到金属氧化物薄膜，并将其用于阻变存储介质。
《透明及柔性金属氧化物存储器研究》可供电子科学与技术专业本科生、研究生，以及从事半导体存储器研究的人员和大专院校相关教师参考使用。

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