本书主要论述了半导体太赫兹(THz)辐射源与探测器的基本原理、模拟与设计、器件研制方法以及THz通信与成像应用等。全书共分11章，包括第l章THz波产生、探测与应用概述；第2章THz场与低维半导体的相互作用及高场电子输运；第3章电子学THz振荡器与器件模拟；第4章THz半导体负有效质量振荡器非线性动力学；第5章THz场作用下微带超晶格非线性动力学；第6章石墨烯THz光电特性；第7章THz半导体量子级联激光器；第8章THz半导体量子阱探测器；第9章THz波的传输；第10章THz通信；第11章THz成像。
本书适合从事THz、红外、微波、天文和生物医学等领域的工程技术人员，以及大专院校和科研院所相关专业的本科生、研究生和科研工作人员参考。

曹俊诚，1967年生于江西，1994年于东南大学电子工程系获博士学位。现为中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员、博士生导师，国家杰出青年基金、中国科学院“百人计划”、上海市自然科学牡丹奖获得者，新世纪百千万人才工程国家级人选。2004～2010年担任中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室主任，2011年起担任中国科学院太赫兹固态技术重点实验室主任。主要从事太赫兹物理、器件及通信与成像应用等方面的研究。

前言
第1章 THz波产生、探测与应用概述
1.1 引言
1.2 THz波的产生
1.3 THz波的探测
1.4 THz波的应用
1.5 小结
参考文献
第2章 THz场与低维半导体的相互作用及高场电子输运
2.1 THz场与异质结的相互作用
2.1.1 引言
2.1.2 THz场作用下异质结的电子输运
2.1.3 THz场作用下异质结的多光子辅助吸收
2.1.4 THz场感生的异质结带间碰撞离化
2.1.5 小结
2.2 THz场作用下量子阱的光吸收
2.2.1 引言
2.2.2 光场作用下量子阱中电子的哈密顿量
2.2.3 量子阱子带间泵浦—探测光吸收
2.2.4 量子阱子带跃迁的相干控制
2.2.5 THz场作用下量子阱子带占据数和吸收
2.2.6 THz场作用下量子阱带间光吸收
2.2.7 小结
2.3 THz场作用下超晶格的光吸收
2.3.1 引言
2.3.2 准玻色表象及激子运动方程
2.3.3 THz场作用下超晶格的光吸收与极化
2.3.4 小结
2.4 半导体高场电子输运
2.4.1 引言
2.4.2 多能谷半导体高场电子输运
2.4.3 非抛物半导体高场电子输运
2.4.4 多能谷非抛物带半导体的碰撞离化过程
2.4.5 小结
参考文献
第3章 电子学THz振荡器与器件模拟
3.1 p型量子阱THz负有效质量振荡器
3.1.1 引言
3.1.2 负有效质量半导体稳态输运
3.1.3 THz电流振荡模式与频率
3.1.4 小结
3.2 基于带内反射点负微分电导的THz振荡器
3.2.1 引言
3.2.2 基于带内反射点的THz振荡器设计
3.2.3 带内反射点THz振荡器模拟
3.2.4 小结
3.3 隧穿注入渡越时间’FHz振荡器
3.3.1 引言
3.3.2 量子传输边界方法
3.3.3 器件的直流及小信号输运特性
3.3.4 小结
3.4 双势垒共振隧穿结构’THz振荡器
3.4.1 引言
3.4.2 维格纳一泊松耦合模型
3.4.3 共振隧穿结构的I-V特性
3.4.4 共振隧穿结构的THz电流振荡
3.4.5 共振隧穿结构快速开关特性
3.4.6 小结
3.5 半导体器件的流体动力学模拟
3.5.1 引言
3.5.2 抛物性流体动力学平衡方程器件模拟
3.5.3 非抛物能带半导体器件模拟
3.5.4 多能谷非抛物能带半导体器件模拟
3.5.5 小结
参考文献
第4章 THz半导体负有效质量振荡器非线性动力学
第5章 THz场作用下微带超晶格非线性动力学
第6章 石墨烯THz光电特性
第7章 THz半导体量子级联激光器
第8章 THz半导体量子阱探测器
第9章 THz波的传输
第10章 THz通信
第11章 THz成像

THz科学与技术的研究热潮目前正处于一个方兴未艾的时期。现在已经有从大学和科研院所分离出来的从事THz器件生产和THz应用系统开发的公司，它们的出现标志着THz技术从实验室走向商业，从学术研究走向应用。
本书主要以原始论文、尤其是以作者课题组的工作为基础，对半导体THz辐射源与探测器的基本原理、模拟与设计、器件研制方法以及THz通信与成像应用等，做了比较系统的阐述。