第一章 半导体的光学常数
1.1 半导体的光学常数及其相互关系
1.2 一定厚度片状样品透射比和反射比的表达式
1.2.1 光电磁波从真空或空气入射到固体表面的反射和透射
1.2.2 一定厚度片状样品透射比和反射比的表达式
1.3 色散关系，克拉默斯克勒尼希（K-K）变换
1.3.1 K-K色散关系的引入
1.3.2 介电函数实部与虚部间的关系
1.3.3 折射率与消光系数的关系
1.3.4 振幅反射系数的模与相位之间的色散关系
1.3.5 求和规则
1.4 半导体光学常数的实验测量
参考文献
第二章 半导体带间光跃迁的基本理论
2.1 半导体的带间跃迁过程
2.1.1 导带底和价带顶位于波矢空间同一位置时的允许带间直接跃迁
2.1.2 禁戒的带间直接跃迁
2.1.3 导带底和价带顶位于波矢空间不同位置时的带间直接跃迁
2.1.4 间接能带间的跃迁——带间间接跃迁
2.1.5 直接能带情况下的带间间接跃迁
2.1.6 能带带尾之间的跃迁
2.2 带间跃迁的量子力学理论
2.2.1 跃迁概率
2.2.2 吸收和发射的关系（冯·鲁斯勃吕克肖克莱关系）
2.3 半导体带间直接跃迁光吸收过程
2.3.1 吸收系数
2.3.2 联合态密度
2.3.3 电子态的分类和群论选择定则
2.4 间接跃迁的量子力学处理
2.5 半导体带间直接跃迁辐射复合发光过程
2.5.1 带间直接跃迁情况下的自发光发射辐射复合速率Rsp（hω）
2.5.2 受激发光发射速率和总光发射速率
2.5.3 样品内的辐射复合速率和样品外观测到的发光光谱的关系
参考文献
第三章 半导体的吸收光谱和反射光谱——带间跃迁过程
3.1 外界条件对半导体光吸收边的影响
3.1.1 压力效应
3.1.2 温度效应
3.1.3 强电场对半导体光吸收边的影响，弗朗兹凯尔迪什效应
3.1.4 合金化效应
3.2 掺杂对半导体光吸收边的影响，伯斯坦莫斯效应
3.3 吸收边以上基本吸收区域电子跃迁过程的光谱研究
3.3.1 E0跃迁
3.3.2 E1跃迁
3.3.3 E2跃迁
3.3.4 闪锌矿结构半导体
3.4 半导体的调制光谱
3.4.1 半导体的调制光谱
3.4.2 内层电子与导带间的跃迁
3.5 激子吸收
3.5.1 激子吸收
3.5.2 和鞍点相联系的激子
3.5.3 激子极化激元
3.6 纳米结构中的激子极化激元
3.6.1 量子耦合激子
3.6.2 纳米结构中的激子极化激元
参考文献
第四章 半导体的吸收光谱和反射光谱——带内跃迁过程及与杂质、缺陷、晶格振动有关的跃迁过程
4.1 带内跃迁和自由载流子吸收
4.1.1 带内亚结构间的光跃迁
4.1.2 自由载流子吸收
4.1.3 等离子激元效应
4.2 自由载流子吸收的量子理论
4.2.1 散射矩阵元
4.2.2 散射概率
4.2.3 吸收系数
4.2.4 关于吸收系数的讨论
4.3 杂质吸收光谱
4.3.1 浅杂质的有效质量方程和浅杂质吸收光谱
4.3.2 浅杂质光热电离谱
4.3.3 双电子杂质态（A+态和D-态）
4.3.4 共振杂质态
4.4 极性半导体光学声子晶格振动反射谱
4.4.1 极性半导体光学声子晶格振动反射谱
4.4.2 等离子激元纵光学声子耦合模
4.4.3 混晶晶格振动反射谱
4.4.4 三元化合物晶格振动反射谱
4.4.5 三元混合晶体声子模行为的研究
4.5 半导体的晶格振动吸收光谱
4.6 杂质诱发定域模和准定域模振动吸收
参考文献
第五章 半导体的发光光谱和辐射复合
5.1 引言
5.2 导带价带辐射复合跃迁
5.2.1 带间的直接辐射复合跃迁
5.2.2 带间的间接辐射复合跃迁
5.3 激子复合发光
5.3.1 自由激子和激子极化激元辐射复合发光光谱
5.3.2 激子分子
5.3.3 电子空穴滴及其辐射复合发光光谱
5.4 束缚激子辐射复合发光光谱
5.4.1 束缚激子
5.4.2 束缚激子辐射复合
5.4.3 束缚激子发光谱线的判别、磁场和应力效应
5.4.4 束缚激子辐射复合发光的声子伴线
5.5 非本征辐射复合发光过程
5.5.1 连续带杂质能级间辐射复合发光跃迁
5.5.2 施主受主对辐射复合发光跃迁
5.5.3 和深杂质相联系的发光跃迁
5.6 高激发强度下半导体的辐射复合发光和半导体激光器
5.6.1 高激发强度下半导体的辐射复合发光
5.6.2 半导体激光器
5.7 发光光谱在半导体电子能态研究和材料检测中的应用
5.8 发光光谱的调制技术,宽波段光致发光光谱方法
参考文献
第六章 半导体的磁光效应
6.1 回旋共振
6.2 法拉第旋转和沃伊特效应
6.2.1 法拉第旋转
6.2.2 沃伊特效应
6.3 磁光效应的量子力学解释
6.4 磁场中半导体的能级、k·P微扰法及三带模型
6.5 窄禁带半导体的回旋共振和其他磁光效应
6.6 半导体空间电荷层准二维电子体系的回旋共振及相关效应
6.7 半

本书系统论述了半导体及其超晶格、量子阱、量子线以及量子点结构等的光谱和光学性质。从宏观光学常数和量子理论出发，分别论述了它们的反射和吸收光谱、发光光谱与辐射复合、光电导和光电子效应、磁光效应、拉曼散射以及量子阱、量子线、量子点的光谱和光学性质。本书第二版总结了过去30年来国内外这一领域的主要研究成果，并将这些研究成果和基本理论融会贯通起来，从光谱和光学性质研究半导体及其微结构中的微观状态和过程。现在第三版又添加近年来的一些新结果、新发展，例如，单个ZnO纳米（微米）线中的一维激子极化激元、半导体中杂质态的量子混沌低维和拓扑材料的光谱研究等。本书重视物理图像，并力求用通俗语言简述基本理论和基本研究方法。
本书可作为光电子物理、凝聚态光谱、半导体光电子物理和技术、信息科学等领域的研究生教材及相关研究领域的科技人员的参考读物。