Chapter 1 Device Physics 器件物理
1.1 Semiconductors 半导体
1.1.1 Generation and Recombination 产生与复合
1.1.2 Extrinsic Semiconductors 非本征（杂质）半导体
1.1.3 Diffusion and Drift 扩散和漂移
1.2 PN Junctions PN结
1.2.1 Depletion Regions 耗尽区
1.2.2 PN Diodes PN结二极管
1.2.3 Schottky Diodes 肖特基二极管
1.2.4 Zener Diodes 齐纳二极管
1.2.5 Ohmic Contacts 欧姆接触
1.3 Bipolar Junction Transistors 双极型晶体管
1.3.1 Beta β值
1.3.2 I-V Characteristics I-V特性
1.4 MOS Transistors MOS晶体管
1.4.1 Threshold Voltage 阈值电压
1.4.2 I-V Characteristics I-V特性
1.5 JFET Transistors JFET晶体管
1.6 Summary 小结
1.7 Exercises 习题
Chapter 2 Semiconductor Fabrication 半导体制造
2.1 Silicon Manufacture 硅制造
2.1.1 Crystal Growth 晶体生长
2.1.2 Wafer Manufacturing 晶圆制造
2.1.3 The Crystal Structure of Silicon 硅的晶体结构
2.2 Photolithography 光刻技术
2.2.1 Photoresists 光刻胶
2.2.2 Photomasks and Reticles 光掩模和掩模版
2.2.3 Patterning 光刻
2.3 Oxide Growth and Removal 氧化物生长和去除
2.3.1 Oxide Growth and Deposition 氧化物生长和淀积
2.3.2 Oxide Removal 氧化物去除
2.3.3 Other Effects of Oxide Growth and Removal 氧化物生长和去除的其他效应
2.3.4 Local Oxidation of Silicon (LOCOS) 硅的局部氧化
2.4 Diffusion and Ion Implantation 扩散和离子注入
2.4.1 Diffusion 扩散
2.4.2 Other Effects of Diffusion 扩散的其他效应
2.4.3 Ion Implantation 离子注入
2.5 Silicon Deposition and Etching 硅淀积和刻蚀
2.5.1 Epitaxy 外延
2.5.2 Polysilicon Deposition 多晶硅淀积
2.5.3 Dielectric Isolation 介质隔离
2.6 Metallization 金属化
2.6.1 Deposition and Removal of Aluminum 铝淀积及去除
2.6.2 Refractory Barrier Metal 难熔阻挡金属
2.6.3 Silicidation 硅化
2.6.4 Interlevel Oxide, Interlevel Nitride, and Protective Overcoat 夹层氧化物，夹层氮化物和保护层
2.6.5 Copper Metallization 铜金属化
2.7 Assembly 组装
2.7.1 Mount and Bond 安装与键合
2.7.2 Packaging 封装
2.8 Summary 小结
2.9 Exercises 习题
Chapter 3 Representative Processes 典型工艺
3.1 Standard Bipolar 标准双极工艺
3.1.1 Essential Features 本征特性
3.1.2 Fabrication Sequence 制造顺序
3.1.3 Available Devices 可用器件
3.1.4 Process Extensions 工艺扩展
3.2 Polysilicon-Gate CMOS 多晶硅栅CMOS工艺
3.2.1 Essential Features 本质特征
3.2.2 Fabrication Sequence 制造顺序
3.2.3 Available Devices 可用器件
3.2.4 Process Extensions 工艺扩展
3.3 Analog BiCMOS 模拟BiCMOS
3.3.1 Essential Features 本质特征
3.3.2 Fabrication Sequence 制造顺序
3.3.3 Available Devices 可用器件
3.3.4 Process Extensions 工艺扩展
3.4 Summary 小结
3.5 Exercises 习题
Chapter 4 Failure Mechanisms 失效机制
4.1 Electrical Overstress 电过应力
4.1.1 Electrostatic Discharge (ESD) 静电漏放
4.1.2 Electromigration 电迁徙
4.1.3 Dielectric Breakdown 介质击穿
……
Chapter 5 Resistors 电阻
Chapter 6 Capacitors and Inductors 电容和电感
Chapter 7 Matching of Resistors and Capacitors 电阻和电容的匹配
Chapter 8 Bipolar Transistors 双极型晶体管
Chapter 9 Applications of Bipolar Transistors 双极型晶体管的应用
Chapter 10 Diodes 二极管
Chapter 11 Field-Effect Transistors 场效应晶体管
Chapter 12 Applications of MOS Transistors MOS 晶体管的应用
Chapter 13 Special Topics 一些专题
Chapter 14 Assembling the Die 组装管芯
Appendix A Table of Acronyms Used in the Text 缩写词汇表
Appendix B The Miller Indices of a Cubic Crystal 立方晶体的米勒指数
Appendix C Sample Layout Rules 版图规则实例
Appendix D Mathematical Derivations 数学公式推导
Appendix E Sources for Layout Editor Software 版图编辑软件的出处
Index 索引

本书全面论述了模拟集成电路版图设计中涉及的各种问题及研究成果。书中首先介绍半导体器件物理、制造、工艺、失效机制等内容；接着介绍模拟集成电路设计所采用的3种典型工艺：标准双极工艺、多晶硅栅CMOS工艺和模拟BiCMOS工艺；探讨无源器件的设计与匹配性问题，如电阻、电容、电感，以及电阻与电容的匹配；并探讨二极管、双极型晶体管和场效应晶体管的设计与应用，以及某些专门领域的内容，包括合并器件、保护环、单层互联、构建焊盘环、ESD结构等。最后介绍有关芯片版图的布局布线知识。
本书可作为电子科学与技术、微电子、固体电子等相关专业高年级本科生和研究生的双语教材，对于专业版图设计人员是一本极具价值的参考书，对于模拟电路设计者更好地理解电路与版图之间的关系也有很好的参考价值。