王延来，2008年毕业于北京科技大学，获得工学博士学位，2009年至今任职于内蒙古大学物理科学与技术学院，副教授，硕士生导师，主要讲授“半导体物理”“半导体器件物理”“材料科学基础”等本科生课程及“物理电子学”硕士研究生课程。主要从事半导体材料、半导体器件及太阳能电池材料等方面的科学研究工作。近年来主持和参与了国家自然科学基金、省部级基金等项目10余项，发表学术论文20余篇，获得国家发明专利2项。

第1章 概论
1.1 太阳能电池的基本原理
1.1.1 p-n结及其光生伏特效应
1.1.2 太阳能电池的输出特性参数
1.2 太阳能电池的发展历史及分类
1.3 铜基薄膜太阳能电池的结构、原理及发展
1.3.1 铜基薄膜太阳能电池的结构、原理
1.3.2 铜基薄膜太阳能电池的发展
1.4 CIS、CIGS薄膜材料的特性及制备技术
1.4.1 CIS薄膜材料的晶体结构
1.4.2 CIS薄膜材料的光电特性
1.4.3 CIS、CIGS薄膜材料的制备技术
1.5 CuInS2薄膜的特性与制备技术
1.6 Cu2ZnSnS4薄膜的特性与制备技术
第2章 CuIn(Ga)Se2薄膜的涂覆法制备技术
2.1 制备工艺方法及薄膜性能测试技术
2.1.1 衬底材料的选择及处理工艺
2.1.2 CuIn1-xGaxSe2薄膜的涂覆法制备工艺流程
2.1.3 CuIn1-xGaxSe2薄膜的分析测试方法
2.2 前驱体料浆粒度的影响因素
2.3 化学成分对CuIn1-xGaxSe2薄膜特性的影响规律分析
2.3.1 CuIn1-xGaxSe2薄膜的成分分析
2.3.2 CuIn1-xGaxSe2薄膜的相结构
2.3.3 CuIn1-xGaxSe2薄膜的表面形貌及光学特性
2.4 热处理温度对CuIn1-xGaxSe2薄膜特性的影响规律分析
2.4.1 热处理温度对CuIn1-xGaxSe2薄膜成分的影响
2.4.2 热处理温度对CuIn1-xGaxSe2薄膜相结构的影响
2.4.3 热处理温度对CuIn1-xGaxSe2薄膜表面形貌及光学特性的影响
2.5 CuIn1-xGaxSe2薄膜特性的改善技术
2.6 CuIn1-xGaxSe2薄膜的高温处理特性
2.6.1 高温物相分析
2.6.2 CIGS薄膜高温处理光学特性
2.7 小结
第3章 电沉积制备CuInSe2薄膜及其特性
3.1 CuInSe2薄膜的制备工艺简述
3.1.1 基体材料及其表面处理
3.1.2 电沉积工艺及设备
3.1.3 硒化工艺设备
3.2 超声波电沉积Cu、In双层膜再硒化制备CuInSe2薄膜
3.2.1 超声波电沉积原理及工艺
3.2.2 电解液浓度对Cu、In薄膜质量的影响
3.2.3 沉积电流密度对Cu、In薄膜质量的影响
3.2.4 电沉积时间对双层膜Cu／In原子比的影响
3.2.5 双层膜的表面形貌及相组成
3.2.6 硒化反应结果分析
3.3 恒电流共沉积和硒化制备CuInSe2薄膜
3.3.1 Cu-In合金共沉积原理
3.3.2 恒电流共沉积法制备Cu-In预制膜
3.3.3 超声波共沉积制备Cu-In预制膜
3.3.4 Cu-In预制膜的硒化反应研究
3.4 硒化过程及薄膜致密化的研究
3.4.1 硒化热力学分析
3.4.2 硒化过程中的In损失分析
3.4.3 CuInSe2薄膜致密化的研究
3.4.4 退火温度对CuInSe2薄膜的影响
3.5 小结
第4章 CuInS2薄膜的涂覆法制备技术
4.1 涂覆法制备CuInS2薄膜的技术方案
4.1.1 制备CuInS2薄膜的工艺流程
4.1.2 薄膜的分析测试方法
4.2 真空熔炼法制备Cu-In合金及其表征
4.3 CuInS2薄膜的制备及表征
4.3.1 热处理温度对薄膜的物相组成和化学成分的影响
4.3.2 热处理温度和压制工艺对CuInS2薄膜表面形貌的影响
4.3.3 CuInS2薄膜的光学性质
4.4 小结
第5章 磁控溅射一固态源硫化法制备CuInS2薄膜
5.1 磁控溅射法制备Cu-In合金预制膜
5.1.1 溅射功率对Cu-In合金薄膜成分的影响
5.1.2 溅射功率对Cu-In合金薄膜表面形貌的影响
5.2 硫化温度对CuInS2薄膜特性的影响规律分析
5.2.1 硫化温度对CuInS2薄膜成分的影响
5.2.2 硫化温度对CuInS2薄膜相结构的影响
5.2.3 硫化温度对CuInS2薄膜表面形貌的影响
5.2.4 硫化温度对CuInS2薄膜光学特性的影响
5.2.5 硫化温度对GuInS2薄膜电学性能的影响
5.3 硫化时间对CuInS2薄膜特性的影响规律分析
5.3.1 硫化时间对CuInS2薄膜成分的影响
5.3.2 硫化时间对CuInS2薄膜相结构的影响
5.3.3 硫化时间对CuInS2薄膜表面形貌的影响
5.3.4 硫化时间对CuInS2薄膜光学特性的影响
5.3.5 硫化时间对CuInS2薄膜电学性能的影响
5.4 小结
第6章 Cu2ZnSnS4薄膜材料的涂覆法制备技术
6.1 前驱体料浆的粒度分析
6.2 不同原料配比对Cu2ZnSnS4薄膜特性的影响
6.2.1 Cu2ZnSnS4薄膜的化学成分分析
6.2.2 不同原料配比对Cu2ZnSnS4薄膜相结构的影响
6.2.3 Cu2ZnSnS4薄膜的表面形貌分析
6.2.4 不同原料配比对Cu2ZnSnS4薄膜光学特性的影响
6.3 热处理温度对Cu2ZnSnS4薄膜特性的影响规律分析
6.3.1 热处理温度对Cu2ZnSnS4薄膜成分的影响
6.3.2 热处理温度对Cu2ZnSnS4薄膜相结构的影响
6.3.3 热处理温度对Cu2ZnSnS4薄膜表面形貌的影响
6.3.4 热处理温度对Cu2ZnSnS4薄膜光学特性的影响
6.4 小结
第7章 铜基中间带薄膜材料的制备研究
7.1 中间带太阳能电池概述
7.1.1 中间带的基本原理
7.1.2 中间带的形成
7.2 涂覆法制备中间带基体材料CuGaS2薄膜及其表征

本书主要介绍了铜基薄膜的低成本制备技术，包括CuInSe2薄膜的电沉积制备技术，Cu(In，Ga)Se2、CuInS2、Cu2ZnSnS4以及Ti掺杂CuGaS2中间带薄膜材料的涂覆制备技术，还介绍了CuInS2薄膜的固态源硫化法制备技术。书中包含了国内外学者及著者个人的研究工作，对从事铜基薄膜电池器件研制、生产和使用的专业人员有一定的参考价值。