《模拟电路版图的艺术(第2版)/国外电子与通信教材系列》作者艾伦·黑斯廷斯具有渊博的集成电路版图设计知识和丰富的实践经验。本书以实用和权威性的观点全面论述了模拟集成电路版图设计中所涉及的各种问题及目前的研究成果。书中介绍了半导体器件物理与工艺、失效机理等内容；基于模拟集成电路设计所采用的三种基本工艺：标准双极工艺、多晶硅栅CMOS工艺和模拟BiCMOS工艺；重点探讨了无源器件的设计与匹配性问题，二极管设计，双极型晶体管和场效应晶体管的设计与应用，以及某些专门领域的内容，包括器件合并、保护环、焊盘制作、单层连接、ESD结构等。最后介绍了有关芯片版图的布局布线知识。
本书可作为电子科学与技术、微电子、固体电子等相关专业高年级本科生和研究生教材，对于专业版图设计人员是一本很有价值的参考书，对于模拟电路设计者更好地理解电路与版图之间的关系也有很好的参考价值。

第1章 器件物理
1.1 半导体
1.1.1 产生与复合
1.1.2 非本征（杂质）半导体
1.1.3 扩散和漂移
1.2 PN结
1.2.1 耗尽区
1.2.2 PN结二极管
1.2.3 肖特基二极管
1.2.4 齐纳二极管
1.2.5 欧姆接触
1.3 双极型晶体管
1.3.1 Beta
1.3.2 I-V特性
1.4 MOS晶体管
1.4.1 阈值电压
1.4.2 I-V特性
1.5 JFET晶体管
1.6 小结
1.7 习题
第2章 半导体制造
2.1 硅制造
2.1.1 晶体生长
2.1.2 晶圆制造
2.1.3 硅的晶体结构
2.2 光刻技术
2.2.1 光刻胶
2.2.2 光掩模和掩模版
2.2.3 光刻
2.3 氧化物生长和去除
2.3.1 氧化物生长和淀积
2.3.2 氧化物去除
2.3.3 氧化物生长和去除的其他效应
2.3.4 硅的局部氧化（LOCOS）
2.4 扩散和离子注入
2.4.1 扩散
2.4.2 扩散的其他效应
2.4.3 离子注入
2.5 硅淀积和刻蚀
2.5.1 外延
2.5.2 多晶硅淀积
2.5.3 介质隔离
2.6 金属化
2.6.1 铝淀积及去除
2.6.2 难熔阻挡金属
2.6.3 硅化
2.6.4 夹层氧化物、夹层氮化物和保护层
2.6.5 铜金属化
2.7 组装
2.7.1 安装与键合
2.7.2 封装
2.8 小结
2.9 习题
第3章 典型工艺
3.1 标准双极工艺
3.1.1 本征特性
3.1.2 制造顺序
3.1.3 可用器件
3.1.4 工艺扩展
3.2 多晶硅栅CMOS工艺
3.2.1 本质特征
3.2.2 制造顺序
3.2.3 可用器件
3.2.4 工艺扩展
3.3 模拟BiCMOS
3.3.1 本质特征
3.3.2 制造顺序
3.3.3 可用器件
3.3.4 工艺扩展
3.4 小结
3.5 习题
第4章 失效机制
第5章 电阻
第6章 电容和电感
第7章 电阻和电容的匹配
第8章 双极型晶体管
第9章 双极型晶体管的应用
第10章 二极管
第11章 场效应晶体管
第12章 MOS晶体管的应用
第13章 一些专题
第14章 组装管芯
附录A 缩写词汇表
附录B 立方晶体的米勒指数
附录C 版图规则实例
附录D 数学推导
附录E 版图编辑软件的出处