商世广等编著的《集成电路制造与封装基础(普通高等教育十三五规划教材)》主要介绍半导体性质、硅片制备、氧化技术、图形技术、光刻技术、掺杂技术、薄膜物理制备、薄膜化学制备、工艺集成、工艺监控、封装技术、元器件可靠性设计和表面组装等微电子技术领域的基本内容，这些内容为进一步掌握半导体材料、半导体器件与集成电路制造、可靠性设计及表面组装的基本理论和方法奠定了坚实的基础。
本书可作为电子信息类微电子科学与工程、集成电路设计与集成系统、电子科学与技术、光电信息科学与工程、电子信息工程和应用物理学等专业的本科生和相关研究生的专业课程教材，也可供相近专业工程技术人员学习和参考。

第一篇 半导体材料与衬底
第1章 半导体的性质
1.1 半导体的概述
1.1.1 半导体的基本性质
1.1.2 半导体的发展应用
1.2 半导体的晶体结构和分类
1.2.1 半导体的晶体结构
1.2.2 半导体的分类
1.3 半导体的缺陷
1.3.1 点缺陷
1.3.2 线缺陷
1.3.3 面缺陷
1.3.4 体缺陷
1.4 半导体的电子状态和能带
1.4.1 原子能级和晶体能带
1.4.2 晶体的能带结构
1.5 半导体的导电机制
1.6 半导体的杂质能级
1.6.1 施主杂质和施主能级
1.6.2 受主杂质和受主能级
1.7 半导体的缺陷能级
1.7.1 点缺陷能级
1.7.2 线缺陷能级
习题
参考文献
第2章 硅和硅片的制备
2.1 硅源的合成
2.1.1 石睾的初级加工
2.1.2 硅的中间产物
2.2 多晶硅的提纯与制备
2.2.1 多晶硅的提纯
2.2.2 多晶硅的制备
2.3 单晶硅的生长
2.3.1 晶体的掺杂
2.3.2 直拉法
2.3.3 区熔法
2.3.4 其他的制备方法
2.4 硅片的加工
2.5 硅片的清洗
2.5.1 硅片的干法清洗
2.5.2 硅片的湿法清洗
2.5.3 新型清洗技术
2.6 硅片的检验与包装
2.6.1 硅片的检验
2.6.2 硅片的包装
2.7 带状硅的制备
习题
参考文献
第二篇 半导体工艺原理
第3章 氧化技术
3.1 二氧化硅的性质和应用
3.1.1 二氧化硅的基本结构
3.1.2 二氧化硅的性质
3.1.3 二氧化硅在集成电路中的应用
3.2 热氧化的基本原理
3.2.1 二氧化硅的生长
3.2.2 迪尔-格罗夫模型
3.2.3 决定二氧化硅生长的因素
3.2.4 影响二氧化硅生长的因素
3.3 氧化方法
3.3.1 热生长氧化法
……
第三篇 薄膜技术
第四篇 工艺集成与封装
第五篇 元器件可靠性设计与组装
附表