谭昌龙主编的《半导体物理与测试分析》的特点是：通过结合半导体实际，介绍理论知识，突出半导体的物理图像，更有利于读者构建半导体物理的知识体系。本书重在基础，突出与半导体实际的联系，编写力求内容精简、重点突出、通俗易懂。

谭昌龙主编的《半导体物理与测试分析》较全面地介绍了半导体物理与测试分析的基础知识。主要内容包括：半导体的基本性质；半导体中杂质和缺陷能级，以及硅中位错和层错的观察；平衡态半导体中载流子的统计分布，杂质浓度及其分布的测量技术；载流子在外电场作用下的运动规律，以及霍尔系数和电导率的测量方法；非平衡载流子的运动规律及它们的产生和复合机制，少数载流子寿命的测量；pn结形成的工艺过程及其电学特性，pn结势垒电容的测量。

《半导体物理与测试分析》可作为高等学校微电子学、电子科学与技术、应用物理等专业本科生的教材，也可供理工类相关专业的本科生、研究生及科技人员参考。

第1章 半导体的基本性质

 1.1 半导体特征与晶体结构

1.1.1 半导体

1.1.2 半导体材料的基本特性

1.1.3 半导体的晶体结构

1.1.4 化合物半导体的极性

 1.2 半导体的能带

1.2.1 原子的能级和晶体的能带

1.2.2 半导体中电子的状态和能带

 1.3 半导体中电子的运动

 1.4 典型半导体的能带结构

1.4.1 硅和锗的能带结构

1.4.2 砷化镓的能带结构

 1.5 半导体材料简介

1.5.1 元素半导体

1.5.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体

1.5.3 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体

1.5.4 Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体

1.5.5 Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体

1.5.6 氧化物半导体

1.5.7 多元化合物半导体

第2章 半导体中杂质和缺陷能级

 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级

2.1.1 间隙式杂质和替位式杂质

2.1.2 施主杂质和施主能级

2.1.3 受主杂质和受主能级

2.1.4 杂质的补偿作用

2.1.5 深能级杂质

 2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级

 2.3 缺陷和位错能级

2.3.1 缺陷

2.3.2 位错

 2.4 硅单晶中位错、层错的观察

2.4.1 位错

2.4.2 层错

2.4.3 位错和层错的观察

第3章 平衡态半导体中载流子的统计分布

 3.1 费米能级及载流子的统计分布

3.1.1 费米分布函数

3.1.2 玻耳兹曼分布函数

3.1.3 半导体载流子统计分布

3.1.4 半导体载流子浓度

3.1.5 载流子浓度乘积

 3.2 本征半导体的载流子浓度

 3.3 杂质半导体的载流子浓度

3.3.1 杂质能级上的量子态

3.3.2 载流子浓度

3.3.3 多数载流子浓度与少数载流子浓度

 3.4 费米能级随温度的变化关系

3.4.1 杂质半导体载流子浓度与温度的关系

3.4.2 杂质半导体费米能级与温度及杂质浓度的关系

 3.5 简并半导体

3.5.1 筒并半导体中载流子浓度

3.5.2 简并化的条件

3.5.3 禁带变窄效应

 3.6 杂质浓度及其分布的测量

第4章 半导体的导电性

 4.1 载流子的运动

4.1.1 欧姆定律

4.1.2 漂移运动和迁移率

4.1.3 电导率和迁移率

4.1.4 载流子散射

4.1.5 半导体的主要散射机构

4.1.6 其他因素引起的散射

 4.2 杂质浓度、温度对迁移率和电阻率的影响

4.2.1 平均自由时间和散射几率的关系

4.2.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系

4.2.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系

4.2.4 电阻率与杂质浓度和温度的关系

 4.3 玻耳兹曼方程、电导率的统计理论

4.3.1 玻耳兹曼方程

4.3.2 弛豫时间近似

4.3.3 弱电场近似下玻耳兹曼方程的解

4.3.4 球形等能面半导体的电导率

 4.4 强电场下的效应、热载流子

4.4.1 欧姆定律与电场强度关系

4.4.2 平均漂移速度与电场强度的关系

 4.5 多能谷散射和耿氏效应

4.5.1 多能谷散射、体内负微分电导

4.5.2 高场畴区及耿氏振荡

 4.6 硅的霍耳系数和电导率测量

第5章 非平衡载流子运动规律

 5.1 非平衡载流子的产生与复合准费米能级

5.1.1 非平衡载流子的产生

5.1.2 非平衡载流子的复合和寿命

5.1.3 准费米能级

 5.2 非平衡载流子的寿命与复合

5.2.1 复合机理

5.2.2 直接辐射复合

5.2.3 直接俄歇复合

 5.3 连续性方程

5.3.1 载流子的流密度和电流密度

5.3.2 爱因斯坦关系

5.3.3 连续性方程

5.3.4 少数载流子的连续性方程

 5.4 载流子的扩散与漂移

5.4.1 少子的扩散

5.4.2 少子的漂移

5.4.3 少子的扩散和漂移

 5.5 光电导衰退测量少数载流子的寿命

5.5.1 实验目的

5.5.2 实验原理

5.5.3 实验方法

5.5.4 实验步骤

第6章 pn结

 6.、pn结形成和能带图

6.1.1 pn结平面工艺

6.1.2 pn结能带图及载流子分布

 6.2 pn结电流电压特性

6.2.1 加偏压的pn结能带图

6.2.2 少数载流子的注入与输运

6.2.3 理想pn结的直流电流一电压特牲

 6.3 pn结电容特性

6.3.1 突变结空间电荷区宽度

6.3.2 线性缓变结空间电荷区宽度

6.3.3 pn结的势垒电容

6.3.4 pn结的扩散电容

 6.4 pn结击穿

6.4.1 雪崩击穿

6.4.2 热电击穿

6.4.3 齐纳击穿(隧道击穿)

 6.5 pn结势垒电容的测量

6.5.1 实验目的

6.5.2 实验原理

6.5.3 测量方法

6.5.4 实验步骤

参考文献