美国格雷编著的《模拟集成电路的分析与设计》主要内容包括：集成电路有源器件模型，双极型、MOS、BiCMOS集成电路技术，单晶体管和多晶体管放大器，电流镜、有源负载及其电压和电流参考值，输出级，单端输出的运算放大器，集成电路的频率响应，反馈，反馈放大器的频率响应与稳定性，非线性模拟电路，集成电路中的噪声，全差分运算放大器。本书可用作高等学校电子信息类本科生的教材或参考书。

美国格雷编著的《模拟集成电路的分析与设计》介绍模拟集成电路的分析与设计。全面阐述了模拟集成电路的基本原理和概念，同时还阐述了模拟集成电路的新技术和新全书共十二章。前七章介绍了集成电路放大器件模型，双极型、MOS和BiCMOS集成电路技术，单级放大器与多级放大器，镜像电流源、有源负载和基准源，输出级，单端输出的运算放大器以及集成电路的频率呼应第八、九章介绍了反馈，反馈放大器的频率呼应和稳定性，第十章至十二章介绍了非线性模拟电路，集成电路的噪声和全差分运算广大器。

《模拟集成电路的分析与设计》是现代模拟集成电路分析与设计的教材或参考书。既可以作为研究生或高年级本科生的教科书，也可作　应用工程的参考书，同时又是一本比较全面、系统的模拟集成电路方面的专著。

第一章 集成电路放大器件模型

 1.1 引言

 1.2 pn结的耗尽区

 1.2.1 势垒电容

 1.2.2 结击穿

 1.3 双极型晶体管的大信号特性

 1.3.1 正向放大区的大信号模型

 1.3.2 集电极电压对正向放大区大信号特性的影响

 1.3.3 饱和区和反向放大区

 1.3.4 晶体管击穿电压

 1.3.5 工作条件决定晶体管电流增益

 1.4 双极型晶体管的小信号模型

 1.4.1 跨导

 1.4.2 基区寄生电容

 1.4.3 输入电阻

 1.4.4 输出电阻

 1.4.5 双极型晶体管的基本小信号模型

 1.4.6 集电极一基极电阻

 1.4．7 小信号模型的寄生单元

 1.4.8 晶体臂频率响应特性

 1.5 金属氧化物场效晶体管的大信号特性

 1.5.1 MOS器件的转移特性

 1.5.2 双极型晶体管和MOs晶体管工作区的比较

 1.5.3 栅一源电压的分解

 1.5.4 阐值的温度独立性

 1.5.5 MOS器件的电压限制

 1.6 M0S晶体管的小信号模型

 1.6.1 跨导

 1.6.2 栅源以及栅一漏固有电容

 1.6.3 输入电阻

 1.6.4 输出电阻

 1.6.5 MOS晶体管的基本小信号模型

 1.6.6 衬底跨导

 1.6.7 小信号模型的寄生单元

 1.6.8 MOS晶体管的频率响应

 1.7 MOS晶体管的短沟道效应

 1．7.1 水平场中的速率饱和

 1.7.2 跨导和特征频率

 1.7.3 垂直场中的迁移率下降

 1.8. M0S晶体管中的弱反型

 1.8. 1弱反型中的漏极电流

 1.8. 2弱反型区中的跨导和特征频率

 1.9  Mos晶体管中的衬底电流

 附录

 A.1.1 有源器件参数列表

第二章 双极型、Mos和BicM0S集成电路技术

第三章 单级放大器与多级放大器

第四章 镜像电流源、有源负载和基准源

第五章 输出级

第六章 单端输出的运算放大器

第七章 集成电路的频率响应

第八章 反馈

第九章 反馈放大器的频率响应

第十章 非线性模拟电路

第十一章 集成电路的噪声

第十二章 全差分运算放大器

索引表