本书系此套丛书之一，作为集成电路领域相关专业的一本入门性教材，主要介绍与集成电路设计相关的一些基础知识。本书包括10章，其中第1章绪论，主要介绍半导体芯片的应用、集成电路的基本概念以及设计制造的基本流程和产业发展趋势等内容；第2章集成电路制造，介绍集成电路制造的基本要求等；第3章MOS晶体管，介绍目前应用最广的CMOS集成电路中的基础器件MOSFET的结构与特性等；第4章基本数字集成电路；第5章模拟集成电路基础，介绍模拟集成电路种类及应用等内容；第6章集成电路设计简介，介绍集成电路设计内容与设计规格等；第7章VLSI的EDA设计方法，介绍EDA历史与发展等；第8章集成电路版图设计，介绍版图设计规则等知识。第9章测试技术，介绍芯片测试意义、测试过程、测试方法等；第10章集成电路封装，介绍传统与现代芯片集成电路封装技术等。

本书是集成电路领域相关专业的一本人门性教材，主要介绍与集成电路设计相关的一些基础知识。全书共分10章，以集成电路设计为核心，全面介绍现代集成电路技术。内容主要包括半导体材料与器件物理、集成电路制造技术、典型数字模拟集成电路、现代集成电路设计技术与方法学、芯片的封装与测试等多方面的知识。本书主要涉及采用硅衬底、CMOS工艺制造的集成电路芯片技术，也简单介绍了集成电路发展的趋势。

本书可作为高等院校集成电路、微电子、电子、通信与信息等专业本科高年级和硕士研究生的教材或相关领域从业人员的参考书籍。

第1章 绪论

 1.1 集成电路的基本概念

1.1.1 集成电路的定义

1.1.2 集成电路的发展史

1.1.3 集成电路的分类

 1.2 集成电路的设计与制造流程

1.2.1 集成电路的设计流程

1.2.2 集成电路制造的基本步骤

1.2.3 集成电路工艺技术水平衡量指标

 1.3 集成电路的发展

1.3.1 国际集成电路的发展

1.3.2 我国集成电路的发展

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第2章 集成电路制造

 2.1 集成电路制造的基本要素

2.1.1 集成电路制造的基本要求

2.1.2 标准生产线的几大要素

 2.2 主要制造工艺

2.2.1 集成电路制造的基本流程

2.2.2 制造集成电路的材料

2.2.3 硅片制备

2.2.4 氧化

2.2.5 淀积

2.2.6 光刻

2.2.7 刻蚀

2.2.8 离子注入

 2.3 CMOS工艺流程

2.3.1 基本工艺流程

2.3.2 闩锁效应及其预防措施

 2.4 工艺评估

2.4.1 晶圆的电性测量

2.4.2 层厚的测量

2.4.3 污染物和缺陷检查

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第3章 MOSFET

 3.1 MOSFET的结构与特性

3.1.1 MOSFET结构

3.1.2 MOSFET电流-电压特性

3.1.3 MOSFET开关特性

 3.2 短沟道效应

3.2.1 载流子速率饱和及其影响

3.2.2 阈值电压的短沟道效应

3.2.3 迁移率退化效应

3.2.4 倍增和氧化物充电

 3.3 按比例缩小理论

 3.4 MOSFET电容

 3.5 MOS器件SPICE模型

3.5.1 LEVEL 1模型

3.5.2 LEVEL 2模型

3.5.3 LEVEL 3模型

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第4章 基本数字集成电路

 4.1 CMOS反相器

4.1.1 CMOS反相器结构与工作原理

4.1.2 静态特性

4.1.3 动态特性

4.1.4 功耗

 4.2 典型组合逻辑电路

4.2.1 带耗尽型NMOS负载的MOS逻辑电路

4.2.2 CMOS逻辑电路

4.2.3 CMOS传输门

 4.3 典型CMOS时序逻辑电路

4.3.1 RS锁存器

4.3.2 D锁存器和边沿触发器

4.3.3 施密特触发器

 4.4 扇入扇出

 4.5 互联线电容与延迟

 4.6 存储器

4.6.1 存储器的结构与ROM阵列

4.6.2 静态存储器SRAM

4.6.3 动态存储器DRAM

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第5章 模拟集成电路基础

 5.1 模拟集成电路种类及应用

5.1.1 运算放大器

5.1.2 A／D、D／A变换器

5.1.3 RF集成电路

5.1.4 功率集成电路

 5.2 单管放大电路

5.2.1 共源极放大器

5.2.2 共射极放大器

5.2.3 共漏极放大器(源随器)

5.2.4 共集电极放大器(射随器)

5.2.5 共栅极放大器

5.2.6 共基极放大器

 5.3 多管放大电路

5.3.1 BJT组合放大器

5.3.2 MOS场效应晶体管串级放大电路

5.3.3 差分放大器

 5.4 电流源和电压基准源

5.4.1 电流源

5.4.2 电压基准源

 5.5 典型运算放大器

 5.6 模拟集成电路设计基本步骤

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第6章 集成电路设计简介

 6.1 集成电路设计内容

 6.2 集成电路设计方法和需求分析

6.2.1 门阵列设计

6.2.2 标准单元设计

6.2.3 全定制设计

 6.3 VLSI设计实现策略

 6.4 集成电路设计挑战

6.4.1 衡量标准

6.4.2 工艺线宽的缩小

6.4.3 集成电路的生产成本

6.4.4 成品率与缺陷产品

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第7章 VLSI的EDA设计方法

 7.1 EDA历史与发展

7.2 VHDL与Verilog-HDL

7.2.1 硬件描述语言

7.2.2 VHDL与Verilog-HDL

 7.3 设计工具

7.3.1 仿真工具

7.3.2 综合工具

7.3.3 布局布线工具

7.3.4 其他工具

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第8章 集成电路版图设计

 8.1 版图设计规则

8.1.1 版图设计规则分类

8.1.2 版图设计规则举例

 8.2 全定制版图设计

 8.3 自动布局布线

 8.4 版图验证

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 参考文献

第9章 测试技术

 9.1 芯片测试意义

 9.2 芯片测试过程

9.2.1 测试过程简介

9.2.2 主要测试方法

 9.3 可测性设计

9.3.1 故障模型

9.3.2 边界扫描测试技术

9.3.3 内建自测试技术

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第10章集成电路封装

 10.1 集成电路封装概述

10.1.1 封装的含义

10.1.2 封装的功能

10.1.3 封装工程

10.1.4 封装分类

10.1.5 集成电路封装的发展历程

 10.2 传统封装

10.2.1 三种封装形式

10.2.2 传统封装技术

 10.3 新型封装技术

10.3.1 焊球阵列封装

10.3.2 芯片级封装

10.3.3 3D封装

10.3.4 系统级封装

10.3.5 多芯片模块组装技术

10.3.6 倒装芯片焊接技术

 10.4 总结与展望

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