第一章 OMVPE方法概述

 1.1 引言

 1.2 外延技术的比较

 1.3 OMVPE生长过程概述

 参考文献

第二章 热力学

 2.1 相平衡的热力学基础

 2.2 相图

 2.3 外延生长的热力学驱动力

 2.4 固态组分

 2.5 四元系

 2.6 表面热力学

 参考文献

第三章 表面物理过程

 3.1 引言

 3.2 表面测量技术

 3.3 表面特性的直接观测

 3.4 原子级生长过程

 3.5 表面过程对OMVPE生长的影响

 参考文献

第四章 源物质

 4.1 引言

 4.2 Ⅱ族源

 4.3 Ⅲ族有机源

 4.4 Ⅴ族有机源

 4.5 Ⅵ族源

 4.6 金属有机掺杂源

 参考文献

第五章 动力学

 5.1 背景

 5.2 0MVPE生长过程

 5.3 单相热解反应

 5.4 多相热解反应

 5.5 有序

 参考文献

第六章 流体力学与质量输运

 6.1 引言

 6.2 0MVPE的完全流体力学处理

 6.3 边界层模型

 6.4 卧式OMVPE反应室近似分析方法

 6.5 反应室设计应用

 参考文献

第七章 OMVPE生长过程设计

 7.1 OMVPE生长的综合模型

 7.2 动力学限制的生长

 7.3 中等温度下所有气压范围内的生长过程

 7.4 高温区

 7.5 Ⅱ／Ⅵ族化合物的OMVPE生长

 7.6 总体工艺过程设计

 参考文献

第八章 OMVPE生长的材料

 8.1 GaAs

 8.2 AlGaAs

 8.3 GaInAs，AlInAs和AlGaInAs

 8.4 InP

 8.5 GaP，GaInP，A1GaInP

 8.6 As／P合金

 8.7 锑化物及其合金

 8.8 Ⅲ／Ⅴ族氮化物，AlGaInN

 8.9 Ⅲ／Ⅴ族半导体的选区生长

 8.1 0Ⅱ／Ⅵ族半导体

 8.1 1Ⅳ族半导体

 8.1 2非半导体材料

 参考文献

第九章 超晶格

 9.1 AlGaAs／GaAs

 9.2 GaInAs／InP

 9.3 A1GaInP／GaInP

 9.4 GaInAs／GaAs

 9.5 AlGaInN

 9.6 应变层超晶格

 9.7 Si衬底上的GaAs

 9.8 SiGe合金

 9.9 Ⅱ／Ⅵ化合物

 9.1 0掺杂超晶格

 9.1 1原子层外延(ALE)

 参考文献

第十章 器件

 10.1 注入式激光器和LED

 10.2 光电二极管

 10.3 电子开关器件

 10.4 太阳能电池

 10.5 总结

 参考文献

文中缩略语

金属有机源分子符号

索引

杰拉尔德·B.斯特林费洛所著的《金属有机物气相外延--理论与实践(第2版)/引进系列/中外物理学精品书系》是金属有机物气相外延(OMVPE或MOCVD)基础理论和应用实践方面的专著。本书第一章首先总揽了OMVPE的生长过程，并和其他的外延工艺做细致的比较。第二到第六章则分别论述了OM—VPE生长的各个方面：热力学(第二章)、表面物理过程(第三章)、反应源(第四章)、动力学(第五章)以及流体力学和质量输运(第六章)。这些论述不但包括基本的模型，还包括主要研究进展以及发展的趋势，内容丰富。第七章讨论了OMVPE生长过程的设计，包括动力学限制及高温区的生长，同时也对整体的OMVPE过程进行设计。第八章则介绍了如GaAs，InP，GaN等特定的材料。第九章介绍了超晶格结构。第十章对OMVPE生长的器件进行了论述。

本书可供OMVPE生产和研发人员参考，作为工具书使用，也可用作材料物理、材料化学和电子专业的本科生和研究生的教材。

金属有机物气象外延是目前生长金属有机物材料最普遍的方法，应用极为广泛。

《金属有机物气相外延--理论与实践(第2版)/引进系列/中外物理学精品书系》的原作者杰拉尔德·B.斯特林费洛是该领域世界上屈指可数的专家，译者也是国内该领域的著名学者，本书内容充实、讲解细致，无论对初学者还是专业研究人员都极有价值。