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| 书名 | 微电子专业英语(高等学校专业英语教材) |
| 分类 | 教育考试-外语学习-英语 |
| 作者 | 吕红亮//李聪 |
| 出版社 | 电子工业出版社 |
| 下载 |  |
| 简介 | 编辑推荐 吕红亮、李聪等编著的《微电子专业英语》可作为高等学校微电子学、集成电路设计及其相关专业本科高年级学生和研究生的“专业英语”课程的教材，也可作为从事半导体技术科研和工程技术人员的参考书。对于目前从事研究、集成电路设计与制造工作，而大学阶段不是学习微电子专业的技术人员，掌握基本的微电子技术名称术语、阅读微电子方向的英文资料，也有很好的参考作用。 全书共25讲，主要内容包括半导体物理基础、半导体器件物理、集成电路设计和半导体工艺。课文选自国外微电子方面的经典教材，在安排上紧扣微电子专业中文主干教学课程，并适当有所扩展，重点突出、深入浅出、简明扼要。 内容推荐 吕红亮、李聪等编著的《微电子专业英语》以英文的形式介绍了微电子学和集成电路设计的相关技术。全书共分四部分：第一部分为半导体物理基础知识，包括晶格结构、能带结构、载流子浓度和输运等；第二部分介绍半导体器件物理基础理论，包括pn结、肖特基二极管、异质结二极管、双极型晶体管和场效应晶体管；第三部分简要阐述半导体集成电路的设计过程和设计方法；第四部分介绍半导体集成电路的制造工艺。 《微电子专业英语》可作为高等学校微电子学、集成电路设计及相关专业的“专业英语”课程的教材，也可作为从事微电子和集成电路相关科研和工程技术人员的参考书。 目录 Session 1 Introduction to Semiconductor 1.1 What is Semiconductor 1.2 Classification of Semiconductor Reading Materials Session 2 Crystal Structure 2.1 Primitive Cell and Crystal Plane 2.2 Atomic Bonding Reading Materials Session 3 Band Model 3.1 Introduction to Quantum Mechanics 3.2 Band 3.3 Effective Mass Theory Reading Materials Session 4 The Semiconductor in Equilibrium 4.1 Charge Carriers in Semiconductor 4.2 Intrinsic Semiconductor 4.3 Extrinsic Semiconductor Reading Materials Session 5 Carrier Transport 5.1 Overview of Carrier Transport 5.2 Low Field Transport 5.3 High Field Transport 5.4 Diffusion Current Session 6 Nonequilibrium Excess Carriers in Semiconductor 6.1 Recombination 6.2 Minority Carrier Lifetime 6.3 Ambipolar Transport Reading Materials Session 7 The pn Junction （Ⅰ） 7.1 Introduction 7.2 Basic Structure of the pn Junction 7.3 Energy Bands for a pn Junction 7.4 Ideal CurrentVoltage Relationship 7.5 Characteristics of a Practical Diode Reading Materials Session 8 The pn Junction（Ⅱ） 8.1 Breakdown in pn Junction 8.2 SmallSignal Diffusion Resistance of the pn Junction 8.3 Junction Capacitance 8.4 Diffusion or Storage Capacitance 8.5 Diode Transients 8.6 Circuit Models for Junction Diodes Reading Materials Session 9 MetalSemiconductor Contacts 9.1 Schottky Contacts 9.2 Ohmic Contacts Reading Materials Session 10 Heterojunctions 10.1 Strain and Stress at Heterointerfaces 10.2 Heterojunction Materials 10.3 EnergyBand Diagrams Reading Materials. Session 11 The Bipolar Junction Transistor （Ⅰ） 11.1 The Bipolar Junction Transistor Construction 11.2 Transistor Action 11.3 Nonideal Effects 11.4 Base Resistance Reading Materials Session 12 The Bipolar Junction Transistor (Ⅱ) 12.1 Breakdown Voltage 12.2 Frequency Limits of BJT 12.3 The SchottkyClamped Transistor 12.4 Smallsignal Transistor Model Reading Materials Session 13 Basics of MOSFETs 13.1 Introduction 13.2 General Characteristics of a MOSFET 13.3 MOS System 13.4 Work Function Differences 13.5 FlatBand Voltage 13.6 Threshold Voltage Reading Materials Session 14 Nonideal Effects of MOSFETs 14.1 Introduction 14.2 Effective Mobility 14.3 Velocity Saturation 14.4 Channellength Modulation 14.5 DIBL 14.6 Hotcarrier Effect 14.7 GIDL Reading Materials Session 15 Advanced MOSFET Devices 15.1 Introduction 15.2 Channel Doping Profile 15.3 Gate Stack 15.4 Source/Drain Design 15.5 SchottkyBarrier Source/Drain 15.6 Raised Source/Drain 15.7 SOI 15.8 Three Dimensional Structure Reading Materials Session 16 Introduction to Integrated Circuits 16.1 Introduction 16.2 Size and Complexity of Integrated Circuits 16.3 Semiconductor Device for Integrated Circuits 16.4 IC Design Process Reading Materials Session 17 Analog Integrated Circuits Design 17.1 Introduction 17.2 Analog Signal Processing 17.3 CMOS Technology 17.4 Amplifiers 17.5 Differential Amplifiers 17.6 Operational Amplifiers 17.7 Characterization of Op Amps Reading Materials Session 18 Digital Integrated Circuits Design 18.1 Introduction 18.2 The Static CMOS Inverter 18.3 Designing Combinational Logic Gates in CMOS Reading Materials Session 19 Radio Frequency Integrated Circuits Design 19.1 Introduction 19.2 RF System Performance Metrics 19.3 RF Transceiver Architectures 19.4 RF Passive Component 19.5 Receiver 19.6 Frequency Synthesizer 19.7 Transmitter Reading Materials Session 20 Simulation and Verification 20.1 Introduction 20.2 SPICE Circuit Simulator 20.3 Circuit Design Automation with Verilog 20.4 Verification Reading Materials Session 21 Introduction to the Semiconductor Technology (Ⅰ) 21.1 The Development of Semiconductor Technology 21.2 Wafer Fabrication Reading Materials Session 22 Introduction to the Semiconductor Technology (Ⅱ) 22.1 Assembly 22.2 Metrology Reading Materials Session 23 Bipolar Technology and GaAs Digital Logic Process 23.1 Bipolar Technology 23.2 GaAs Digital Logic Process Reading Materials Session 24 CMOS Technology 24.1 CMOS Fabrication Sequence 24.2 Twin Well and Retrograde Well 24.3 Isolation 24.4 Structures that Reduce the Drain Field 24.5 Gate Engineering Reading Materials Session 25 Reliability 25.1 Introduction 25.2 Failure Modes Reading Materials 参考译文 第1讲 半导体概述 1.1 什么是半导体 1.2 半导体的分类 第2讲 晶体结构 2.1 原胞和晶面 2.2 原子价键 第3讲 能带模型 3.1 量子力学简介 3.2 能带 3.3 有效质量理论 第4讲 平衡半导体 4.1 半导体中的带电载流子 4.2 本征半导体 4.3 非本征半导体 第5讲 载流子输运 5.1 载流子输运概要 5.2 低场输运 5.3 强场输运 5.4 扩散电流 第6讲 半导体中的非平衡过剩载流子 6.1 复合 6.2 少数载流子寿命 6.3 双极输运 第7讲 pn结（Ⅰ） 7.1 概述 7.2 pn结的基本结构 7.3 pn结的能带图 7.4 理想电流电压关系 7.5 实际二极管特性 第8讲 pn 结（II） 8.1 pn结击穿 8.2 pn结的小信号扩散电阻 8.3 结电容 8.4 扩散电容（存储电容） 8.5 二极管瞬态特性 8.6 pn结二极管的电路模型 第9讲 金属—半导体接触 9.1 肖特基接触 9.2 欧姆接触 第10讲 异质结 10.1 异质界面的应变与应力 10.2 异质结材料 10.3 能带图 第11讲 双极晶体管（I） 11.1 双极晶体管结构 11.2 晶体管作用 11.3 非理想效应 11.4 基区电阻 第12讲 双极晶体管(II) 12.1 击穿电压 12.2 双极晶体管的频率特性 12.3 肖特基钳位晶体管 12.4 晶体管的小信号模型 第13讲 MOSFET基础 13.1 引言 13.2 MOSFET的一般特征 13.3 MOS系统 13.4 功函数差 13.5 平带电压 13.6 阈值电压 第14讲 MOSFET的非理想效应 14.1 引言 14.2 有效迁移率 14.3 速度饱和 14.4 沟道调制效应 14.5 漏致势垒降低 14.6 热电子效应 14.7 栅感应漏极泄漏 第15讲 先进的MOSFET器件 15.1 引言 15.2 沟道掺杂分布 15.3 栅叠层 15.4 源/漏设计 15.5 肖特基源/漏 15.6 提升的源/漏 15.7 SOI（绝缘层上的硅） 15.8 三维结构 第16讲 集成电路简介 16.1 概述 16.2 集成电路的面积和复杂度 16.3 集成电路中的半导体器件 16.4 集成电路设计过程 第17讲 模拟集成电路设计 17.1 概述 17.2 模拟信号处理 17.3 CMOS工艺 17.4 放大器 17.5 差分放大器 17.6 运算放大器 17.7 运放的特点 第18讲 数字集成电路 18.1 介绍 18.2 静态CMOS反相器 18.3 CMOS组合逻辑门的设计 第19讲 射频集成电路设计 19.1 概述 19.2 射频系统的性能指标 19.3 射频收发机的结构 19.4 无源射频元件 19.5 低噪声放大器 19.6 频率合成器 19.7 发射机 第20讲 仿真与验证 20.1 简介 20.2 SPICE电路仿真器 20.3 使用Verilog进行电路的自动设计 20.4 验证 第21讲 半导体技术简介(Ⅰ) 21.1 半导体技术的发展 21.2 晶片制造 第22讲 半导体技术简介(Ⅱ) 22.1 组装 22.2 测量 第23讲 双极技术和砷化镓数字逻辑工艺 23.1 双极技术 23.2 砷化镓数字逻辑工艺 第24讲 CMOS工艺 24.1 CMOS制造流程 24.2 双阱和倒掺杂阱 24.3 隔离 24.4 降低漏端电场的结构 24.5 栅工程 第25讲 可靠性 25.1 概述 25.2 失效模型 参考文献 |
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