缩略语
Part B 制备和特性
12 体单晶生长——方法与材料
12.1 背景
12.2 技术
12.3 材料生长
12.4 结论
参考文献
13 单晶硅：生长与特性
13.1 综述
13.2 原始材料
13.3 单晶生长
13.4 新型晶体生长方法
参考文献
14 晶体外延生长：方法与材料
14.1 液相外延(LPE)
14.2 有机金属化学气相沉积(MOCvD)
14.3 分子束外延(MBE)
参考文献
15 窄带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体：生长
15.1 体生长技术
15.2 液相外延(LPE)
15.3 有机金属气相外延(MOVPE)
15.4 分子束外延(MBE)
15.5 替代cMT
参考文献
16 宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体：生长与特性
16.1 晶体特性
16.2 外延生长
16.3 体单晶生长
16.4 结论
参考文献
17 结构特征
17.1 辐射-材料作用
17.2 粒子-材料作用
17.3 X射线衍射
17.4 光衍射、成像衍射与电子衍射
17.5 功能活动特征
17.6 样品制备
17.7 案例研究——电子和光电材料互补特性
17.8 结论
参考文献
18 表面化学分析
18.1 电子光谱学
18.2 辉光放电光谱学(GDOES和GDMS)
18.3 二次离子质谱
18.4 结论
19 热特性与热分析：基础理论、实验技术和应用
19.1 热容
19.2 热传导
19.3 热膨胀
19.4 焓的热性能
19.5 温度调制DSC(TMDSC)
参考文献
20 半导体材料与器件的电特性
20.1 电阻率
20.2 霍尔效应
20.3 电容-电压测量
20.4 电流-电压测量
20.5 电荷泵
20.6 低频噪声
20.7 深能级瞬态光谱学
参考文献