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书名 数字集成电路分析与设计(第2版)/高新科技译丛
分类 科学技术-工业科技-电子通讯
作者 (美)艾尔斯
出版社 国防工业出版社
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简介
编辑推荐

艾尔斯编著的《数字集成电路分析与设计(第2版)》内容丰富全面,共分为12章。第l章是对深亚微米时代数字集成电路的透视,由此引出了随后各章的主题。第2章介绍集成电路制造工艺。第3章介绍PN结的电学特性。第4章介绍MOS晶体管电学特性和短沟道器件效应。第5章以数字反相器为代表讨论MOS门电路,引入了电压传输特性、噪声容限、反相器结构和简单时序、功耗计算的相关概念。研究静态NAND门、NOR门和其他复杂门的设计问题。第6章探讨静态CMOS电路。第7章讨论数字集成电路中互连线问题。第8章探讨动态CMOS电路。第9章介绍低功耗CMOS设计中的一些问题。第10章介绍一些双稳态电路。第11章探讨半导体数字存储器的结构、存取机制和单元构造。第12章讨论数字集成电路输入/输出所涉及的ESD保护和输出驱动问题,以及在不同工作电压下电路间的接口电路设计问题。附录给出了相关内容的一些有用的参考资料。

本书较为全面地反映了数字集成电路设计技术的相关内容,可作为高等院校微电子、计算机、电子工程等专业本科生和研究生的教材和参考书,也可供从事相关领域工作的技术人员参考。

内容推荐

数字集成电路功能和性能指数性的增加,彻底改变了我们的生活和工作。MOS晶体管尺寸的不断减小,扩大了电路技术的使用范围,而在技术实现一些年后有关这方面的书籍仍然缺乏。

艾尔斯编著的《数字集成电路分析与设计(第2版)》从现代跨学科的观点出发,重点介绍基本原理,可供将来要从事集成电路设计的工程师使用。它给从事超大规模集成电路设计与制造的工程师提供一个修订的教学参考书,本书关注该领域最新的进展,包括器件尺寸不断减小的情况下工作原理新的应用。

《数字集成电路分析与设计(第2版)》的初衷是在目前有关晶体管电子学和VLSI设计与制造作为一个独立主题的众多领域的教材间起到桥梁作用。像第1版一样,这本书对集成电路工程师和该领域研究人员至关重要,为他们从事更先进的工作提供所需要的跨学科的引导。

出于教学的目的,作者采用SPICE level 1计算机模拟模型,但还引入了广泛用于VLSI设计的BSIM模型。使得使用者在手算分析和SPICE模拟之间形成一个对器件和电路设计更直观的联系。

在新增加的4章中,增加了超过200个新的插图。以及大量的实例分析,并提供了一个网址。这本教材大大扩展了第一版中出现的概念。

目录

第1章 引言

 1.1 历史展望与摩尔定律

 1.2 数字集成电路的电学性能

1.2.1 逻辑功能

1.2.2 静态电压传输特性

1.2.3 瞬态特性

1.2.4 扇入和扇出

1.2.5 功耗

1.2.6 功率延迟积

 1.3 计算机辅助设计与验证

 1.4 制造

 1.5 半导体和结

 1.6 MOS晶体管

 1.7 MOS门电路

 1.8 互连

 1.9 动态CMOS

 1.10 低功耗CMOS

 1.11 双稳态电路

 1.12 存储器

 1.13 输入/输出和接口电路

 1.14 实际的观点

 1.15 小结

 练习题

 参考文献

第2章 制造

第3章 半导体和pn结

第4章 MOS晶体管

第5章 MOS门电路

第6章 静态CMOS

第7章 互连线

第8章 动态CMOS

第9章 低功耗CMOS电路

第10章 双稳态电路

第11章 数字存储器

第12章 输入/输出和接口电路

附录A 符号列表

附录B 国际单位制

附录C 数量级前缀

附录D 希腊字母

附录E 物理常数

附录F 在300K时硅和锗的特性

附录G 在300K时二氧化硅的特性

附录H 重要的方程式

附录I 设计规则

附录J pn结开关瞬态特性

附录K 双极和BiCMOS电路

附录L 集成电路封装

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更新时间:2025/4/23 11:32:42