缩略语
PartD 晶体的气相生长
23 SiC晶体的生长与表征
23.1 SiC-背景与历史
23.2 气相生长
23.3 高温溶液生长
23.4 籽晶升华的产业化体材料生长
23.5 结构缺陷及其构造
23.6 结语
参考文献
24 物理气相传输法生长体材料AIN晶体
24.1 物理气相传输法晶体生长
24.2 高温材料兼容
24.3 AIN体材料晶体的自籽晶生长
24.4 AIN体材料晶体的籽晶生长
24.5 高质量晶体表征
24.6 结论与展望
参考文献
25 单晶有机半导体的生长
25.1 基础
25.2 成核与晶体生长理论
25.3 对半导体单晶有机材料的兴趣
25.4 提纯预生长
25.5 晶体生长
25.6 有机半导体单晶的质量
25.7 有机单晶场效应晶体管
25.8 结论
参考文献
26 卤化物气相外延生长Ⅲ族氮化物
26.1 生长化学和热力学
26.2 HVPE生长设备
26.3 体材料GaN的生长衬底和模版
26.4 衬底除去技术
26.5 HVPE中GaN的掺杂方法
26.6 缺陷密度、位错和残留杂质
26.7 HVPE生长的体材料GaN的一些重要性能
26.8 通过HVPE生长AIN:一些初步的结论
26.9 通过HVPE生长InN:一些初步的结论
参考文献
27 半导体单晶的气相生长
27.1 气相生长分类
27.2 化学气相传输——传输动力学
27.3 热力学讨论
27.4 CVT法Ⅱ-Ⅵ化合物半导体的生长
27.5 纳米材料的气相生长
27.6Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ，化合物生长
27.7 VPE法生长氮化镓
27.8 结论
参考文献
PartE 外延生长和薄膜
28 化学气相沉积的碳化硅外延生长
28.1 碳化硅极化类型
28.2 碳化硅的缺陷
28.3 碳化硅外延生长
28.4 图形衬底上的外延生长
28.5 结论
参考文献
29 半导体的液相电外延
29.1 背景
29.2 早期理论和模型的研究
29．3 二维连续模型
29．4 静态磁场下的LPEE生长法
29．5 三维仿真
29．6 LPEE的高生长率：电磁场下迁移率
参考文献
30 半导体的外延横向增生
30．1 概述
30．2 液相外延横向增生的机制
30．3 EL0层中的位错
30．4 EL0层张力
30．5 半导体结构横向增生的最新进展
30．6 结语
参考文献
31 新材料的液相外延
31．1 LPE的发展历史
31．2 LPE的基础和溶液生长
31．3 液相外延的要求
31．4 新材料研究：外延淀积法的选择
31．5 高温超导体的lJPE法
31．6 锗酸钙镓的LEP
31．7 氮化物的液相外延
31．8 结论
参考文献
32 分子束外延的HgcdTe生长
32．1 综述
32．2 MBE生长理论
32．3 衬底材料
32．4 生长硬件的设计
32．5 监测和控制生长的原位表征工具
32．6 成核和生长过程
32．7 掺杂和掺杂激活
32．8 MBE法生长的HgcdTe外延层的特性