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书名 晶体生长手册(第2册熔体法晶体生长技术影印版)/Springer手册精选系列
分类 科学技术-自然科学-化学
作者 (美)德哈纳拉
出版社 哈尔滨工业大学出版社
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简介
目录

缩略语

PartB 熔体生长晶体技术

7.磷化铟:用稳定的磁场生长晶体及缺陷控制

 7.1 历史综述

 7.2 磁场下液体封盖生长法

 7.3 熔体的磁场接触面

 7.4 位错密度

 7.5 磁流量对杂质隔离的影响

 7.6 InP:Fe的光学特征

 7.7 总结

 参考文献

8.半导体直拉硅单晶和太阳能电池应用

 8.1 激光扫描光散射技术生长硅单晶和太阳能电池应用

 8.2 直拉硅单晶的晶体缺陷的控制

 8.3 太阳能电池应用的多晶硅的生长和特征

 8.4 总结

 参考文献

9.氧化物光折变单晶的直拉生长法

 9.1 背景

 9.2 晶体生长

 9.3 直拉生长系统的设计和发展

 9.4 铌酸锂晶体的生长及其特性

 9.5 其他氧化物光折变晶体

 9.6 软铋矿晶体的生长及其特性

 9.7 结论

 参考文献

10.三元化合物Ⅲ-V族半导体体材料晶体生长

 10.1 Ⅲ-V族三元化合物半导体

 10.2 三元化合物衬底的需求

 10.3 器件级三元化合物衬底标准

 10.4 布里兹曼晶体生长技术介绍

 10.5 Ⅲ-V族的二元化合物晶体生长技术综述

 10.6 三元化合物相平衡

 10.7 三元化合物半导体合金偏析

 10.8 三元化合物晶体裂纹的形成

 10.9 单晶三元化合物籽晶生产工艺

 10.10 均质合金生长的溶质配备过程

 10.11 熔体-固体界面形状的作用

 10.12 结论

 参考文献

11.用于红外线探测器的锑基窄禁带Ⅲ-V族半导体晶体的生长与特性

 11.1 锑基半导体的重要性

 11.2 相图

 11.3 晶体结构和成键

 11.4 材料合成和提纯

 11.5 体材料InSb的生长

 11.6 InSb、InAsxSbl-x.InBixSbl-x的结构特性

 11.7 InSb、InAsxSb1_x.InBixSb1_x的物理性质

 11.8 应用

 11.9 结语与展望

 参考文献

12.光学浮区技术用于氧化物晶体生长

 12.1 历史

 12.2 光学浮区技术——氧化物的应用

 12.3 光学浮区及溶区移动晶体生长技术

 12.4 浮区技术的优势和局限

 12.5 光学浮区炉

 12.6 OFZT的陶瓷和晶棒生长的实验细节

 12.7 同成分和不同成分熔融氧化物的稳定生长

 12.8 结构过冷和结晶前的稳定性

 12.9 晶体生长的终止和冷却

 12.10 0FZ技术的晶体生长特点

 12.11 晶体缺陷测定——实验方法

 12.12 0FZ和TSFZ方法选定氧化物单晶生长的具体条件

 12.13 结论

 参考文献

13.激光加热基座生长氧化物纤维

 13.1 光纤拉丝研究

 13.2 激光加热基座生长技术 

 13.3 原理

 13.4 纤维生长方面的问题

 13.5 结论 

 参考文献  

14.采用壳融技术合成高熔点材料

 14.1 概述 

 14.2 冷坩埚中单晶生长技术

 14.3 基于二氧化锆的单晶生长

 14.4 冷坩埚中壳融法玻璃的合成 

 14.5 结论   

 参考文献 

15.激光基质氟化物和氧化物品体生长

 15.1 熔融激光氟化物和氧化物晶体生长

 15.2 激光晶体缺陷.

 15.3 晶体生长技术特征 

 参考文献 

16.晶体生长的成型 

 16.1 定义和讨论的范围:用CST法制备SCG

 16.2 DSC——用CST法制备SCG的基础 

 16.3 用CZT法制备SA和SCG

 16.4 用VT法制备SA和SCG 

 16.5 用FZT法制备SA和SCG 

 16.6 TPS毛细管形成

 16.7 TPS的蓝宝石生长

 16.8 TPS的硅生长

 16.9 TPS的金属生长  

 16.10 TPS的特性

 参考文献

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《晶体生长手册(第2册熔体法晶体生长技术影印版)》针对目前备受关注的体材料晶体和薄膜晶体的生长技术水平进行阐述。我们的目的是使读者了解经常使用的生长工艺、材料生产和缺陷产生的基本知识。为完成这一任务,编者们精选了50多位顶尖科学家、学者和工程师,他们的合作者来自于22个不同国家。这些作者根据他们的专业所长,编写了关于晶体生长和缺陷形成共计52章内容:从熔体、溶液到气相体材料生长;外延生长;生长工艺和缺陷的模型;缺陷特性的技术以及一些现代的特别课题。

德哈纳拉等著的《晶体生长手册(第2册熔体法晶体生长技术影印版)》分为七部分。Pan A介绍基础理论:生长和表征技术综述,表面成核工艺,溶液生长晶体的形态,生长过程中成核的层错,缺陷形成的形态。

Part B介绍体材料晶体的熔体生长,一种生长大尺寸晶体的关键方法。这一部分阐述了直拉单晶工艺、泡生法、布里兹曼法、浮区熔融等工艺,以及这些方法的最新进展。例如应用磁场的晶体生长、生长轴的取向、增加底基和形状控制。本部分涉及材料从硅和Ⅲ一V族化合物到氧化物和氟化物的广泛内容。

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更新时间:2025/4/4 6:24:27