本书所收集的纳米技术时代的高端硅基SOI材料方面的研究论文共40篇，部分是在国外刊物上发表的论文，其出处都已标明版权所有的学术期刊。书中主要包括以下几部分：SOI——纳米技术时代的高端硅基材料进展；SOI新材料的制备科学；SOI材料与器件特有的物理效应；SGOI新结构和应变硅的制备科学；SOI技术的若干应用研究。可供各大专院校作为教材使用，也可供从事相关工作的人员作为参考用书使用。

绝缘体上硅(silicon on insulator，SOI)技术在高速、低压低功耗电路、高压电路、抗辐射、耐高温电路、微机械传感器、光电集成等方面具有重要应用，是微电子和光电子领域发展的前沿，被国际上公认为“二十一世纪的硅集成电路技术”。本书收集的纳米技术时代的高端硅基SOI材料方面的研究论文40篇，主要内容包括：SOI——纳米技术时代的高端硅基材料进展，SOI新材料的制备科学，SOI材料与器件特有的物理效应，绝缘体上锗硅(silicon germanium on insulator，SGOI)新结构和应变硅的制备科学，SOI技术的若干应用研究等。书中包含了高端硅基材料前沿领域的多方面创新研究成果。

本书可作为微电子、光电子、微机械、半导体材料、纳米材料等专业的大专院校师生和专业技术人员重要的参考书，也可以作为信息领域其他专业的师生、科研人员和工程技术人员参考资料。

SOI——纳米技术时代的高端硅基材料进展

 纳米技术时代的高端硅基材料——SOI、sSOI和GOI

 SOI技术的发展动态

 硅基光电子材料和器件的进展和发展趋势

 Fabrication of SiGe-on-insulator and applications for strained Si

 Overview of SOI materials technology in China

SOI新材料的制备科学

 以注氧隔离(SIMOX)技术制备高阻SOI材料

 硅中注H+引起的缺陷和应力以及剥离的机制

 以AlN为绝缘埋层的新结构SOAN材料

 多孔硅外延层转移技术制备SOI材料

 ELTRAN技术制备双埋层SOIM新结构

 SOI新结构——SOI研究的新动向

 Fabrication of silicon．on．AlN novel structure and its residual strain characterization·

 Buried tungsten silicide layer in silicon on insulator substrate by Smart-cut

 Void—free low-temperature silicon direct—bonding technique using plasma activation

 Microstructure and crystallinity of porous silicon and epitaxial silicon layers fabricated on P+porous silicon

 Formation of silicon-on-diamond by direct bonding of plasma-synthesized diamond-like carbon to silicon

 Thermal stability of diamondlike carbon buried layer fabricated by plasma immersion ion implantation and deposition in silicon on insulator

 Study of SOI substrates incorporated with buried MoSiz layer

SOI材料与器件特有的物理效应

 S0I MOSFET浮体效应研究

 SOI MOSFET的自加热效应研究

 S0I器件的辐射效应及其在抗辐射电子学方面的应用进展

 Evolution of hydrogen and helium CO-implanted single-crystal silicon during annealing

 Comparison between the different implantation orders in H+ and He + co-implantation

 Comparison of Cu gettering to H~ and He+ implantation-induced cavities in separation-by-implantation-of-oxygen wafers

 Gettering of Cu by microcavities in bonded/ion-cut silicon-on-insulator and separation by implantation of oxygen

SGOI新结构和应变硅的制备科学

 SIMOX技术制备SGOI新结构的研究

 改良型Ge浓缩技术制备SGOI及应变Si研究

 Relaxed silicon-germanium-on-insulator substrates by oxygen implantation into pseudomorphic silicon germanium/silicon heterostructure

 Germanium movement mechanism in SiGe-on-insulator fabricated by modified Ge condensation

 Investigation of relaxed SiGe on insulator and strained Si

SOI技术的若干应用研究

 纳米MOSFET/SOI器件新结构

 SOI衬底上的无源器件研究

 SGOI衬底上高k栅介质的研究

 High frequency capacitance-voltage characterization of A1203/ZrO2/A1203 in fully depleted silicon-on, insulator metal-oxide-semiconductor capacitors

 Numerical study of self-heating effects of MOSFETs fabricated on SOAN substrate

 Sil-x Gex/Si resonant-cavity-enhanced photodetectors with a silicon-on-oxide reflector operating near 1.3 μm

 Total dose rad-hard improvement for silicon-on-insulator materials by modifying the buried oxide with ion implantation

 Investigation of H+ and B+/H+ implantation in LiTaO3 single-crystals

 Investigation of SO1 substrates incorporated with buried MoSi2 for high frequency SiGe HBTs