本书内容不仅综合了国内外有关共振隧穿器件和应用方面的大量文献，还融入了作者有关共振隧穿器件的研究成果，是一本全面、系统地介绍共振隧穿器件及其应用的专著。

在器件方面，从共振隧穿二极管的物理基础、器件工作原理、器件模拟和模型、器件的设计、制造工艺、参数测量到各种类型的共振隧穿三极管，以及光电共振隧穿器件都进行了全面系统的论述；在应用电路方面，介绍了共振隧穿器件在微波电路、毫米波电路、高速数字电路和高速光电集成电路方面的应用。

本书是一本全面、系统地讲述共振隧穿器件及其应用的著作。全书共10章，第1～3章为共振隧穿二极管的物理基础、器件模型和模拟以及器件设计、制造与参数测量；第4～6章为各种类型的共振隧穿二极管、晶体管以及共振隧穿型光电器件；第7～9章为共振隧穿器件在模拟电路、数字电路和光电集成中的应用；第10章论述了共振隧穿器件及其应用的发展趋势。

本书可作为微电子专业本科生或研究生选修课程的教材或主要参考书，也可供从事新型半导体器件、高频和高速化合物半导体器件、纳米量子器件及其集成技术领域研究的科研人员参考。

《半导体科学与技术丛书》出版说明

序

前言

绪论

 0.1 共振隧穿器件

 0.2 共振隧穿器件的特点

 0.3 共振隧穿器件的分类

 0.4 共振隧穿器件的应用

 参考文献

第1章 共振隧穿二极管概述和物理基础

 1.1 共振隧穿二极管的概述

1.1.1 RTD的工作原理

1.1.2 RTD的设计

1.1.3 RTD的参数及测试

 1.2 RTD的物理模型

1.2.1 RTD的量子力学基础

1.2.2 双势垒单势阱结构共振隧穿的两种物理模型

1.2.3 不同维度下隧穿的特征

 1.3 RTD中电荷积累效应

1.3.1 RTD的电荷积累与负阻区本征双稳态

1.3.2 简化的势阱电荷方程

1.3.3 发射区存在积累层，势阱有积累电荷和集电区存在耗尽层时的势阱电荷方程

1.3.4 负阻区本征双稳态的产生

 1.4 强磁场中的共振隧穿效应

1.4.1 不含磁性材料RTD的强磁场共振隧穿效应

1.4.2 势阱含磁性材料的RTD自旋选择磁RTD

 1.5 不对称势垒和不对称势阱结构的共振隧穿效应

1.5.1 不对称势垒结构的共振隧穿效应

1.5.2 不对称势阱结构的共振隧穿效应

 参考文献

第2章 共振隧穿二极管的器件模型和模拟

第3章 共振隧穿二极管的设计、制造、测量和可靠性

第4章 带间共振隧穿二极管和锗硅/硅共振隧穿二极管

第5章 共振隧穿晶体管

第6章 共振隧穿型光电器件

第7章 共振隧穿器件在微波、毫米电路中的应用

第8章 共振隧穿器件在高速数字电路中的应用

第9章 RTD光控单-双稳逻辑转换单元

第10章 共振隧穿器件及其集成技术发展趋势和目前研究热点

附录1 缩略词

附录2 主要符号表

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