第1章 绪论

 1.1 从0.5μm、0.25μm、0.13μm到90nm、65nm、10nm——看集成电路工艺技术的突飞

1.1.1 不断缩小特征尺寸——提高芯片集成度和性价比的有效手段

1.1.2 逐步增大圆片面积——提高芯片成品率和降低

成本的最佳捷径

1.1.3 探索新的发展空间

 1.2 从LSI、VLSI到GLSI／SoC——看集成电路设计技术的猛进

1.2.1 集成电路产业“龙头”——LSI设计

1.2.2 设计成功的保证——先进设计工具

1.2.3 设计技术的新革命——片上系统(SoC)

1.2.4 面临超深亚微米、纳米电路的设计挑战

 1.3 从Ge、Si、GaAs、InP到SiC、GaN——看第三代半导体的发展

1.3.1 半导体材料的电子能带及特性参数

1.3.2 元素半导体——Ge、Si

1.3.3 化合物半导体——GaAs、InP

1.3.4 宽带隙半导体——SiC、GaN

1.3.5 半导体材料新探索

 1.4 从MEMS、NEMS到生物芯片、有机半导体——看微电子技术向其他学科拓展

1.4.1 MEMS

1.4.2 NEMS

1.4.3 生物芯片

1.4.4 有机半导体

 1.5 推进微电子技术的高速发展

第2章 基本器件技术

 2.1 硅器件技术

2.1.1 MOS器件技术

2.1.2 双极晶体管技术

2.1.3 功率电子器件技术

 2.2 化合物器件技术

2.2.1 GaAs器件技术

2.2.2 InP基HEMT技术

2.2.3 SiGe器件技术

 2.3 新型半导体器件技术

2.3.1 宽带隙半导体技术

2.3.2 量子器件技术

2.3.3 纳米电子器件技术

2.3.4 有机半导体器件技术

 参考文献

第3章 设计技术

 3.1 集成电路发展与设计历程

3.1.1 集成电路的发展历程

3.1.2 集成电路的分类

3.1.3 集成电路设计的要求

3.1.4 集成电路设计和制造的关系

……

第4章 工艺技术

第5章 大生产技术

第6章 封装测试技术

第7章 微电子机械系统(MEMS)技术

第8章 片上系统(SoC)技术

第9章 可靠性技术

第10章 重点类别及其应用

缩略语

本书在概述微电子技术(含三代半导体及大规模集成电路)的全貌和发展趋势之后，首先阐述了各类微电子基本器件技术，然后按半导体制造工程顺序分别叙述大规模集成电路从设计、工艺、生产到封装、测试、可靠性等较全面的系列知识和先进技术，并重点突出新型的SoC技术和MEMS技术，最后介绍了通用微电子器件重点门类及应用。本书反映了微电子学主要研究领域里学科发展的前沿技术。

读者对象：从事军、民电子信息技术及与半导体有关联业务的广大读者，微电子技术领域的研究部门、教育部门、产业部门、国防工业部门的大专以上科技人员．以及大专及以上院校相关专业师生。

本书是一套反映微电子学主要研究领域里学科发展前沿技术的作品，具有科学性、先进性、实践性、系统性。全书共分10个章节，用比较通俗的语言，深入浅出地把微电子技术的主要知识介绍给了读者，具体包括基本器件技术、设计技术、工艺技术、封装测试技术、微电子机械系统(MEMS)技术、片上系统(SoC)技术等。该书可供各大专院校作为教材使用，也可供从事相关工作的人员作为参考用书使用。