20世纪80年代以来，低维材料和纳米结构研究的蓬勃发展，使得界面研究在深度和广度上都有进一步的发展，但对于界面研究的基础很少有人从理论上进行系统整理。因此，系统整理固体材料界面研究中已经积累的实验和理论研究成果实属必要，以便能为材料科学与工程以及其他有关学科提供参考。

  本书内容共分六章。前三章着重讲解界面研究的基础，即界面热力学、界面结构和界面电子态，后三章简单介绍界面的一些基本过程，如吸附和偏析、界面扩散以及界面形核与长大。

第1章 界面热力学

 1.1 界面能

 1.2 界面区的物质特性

 1.3 界面弯曲时两相平衡的热力学条件

 1.4 多相共存体系的平衡及其显微组织

 1.5 界面能的各向异性

1.5.1 r能极图和Wulff结构

1.5.2 温度对平衡形状Wulff结构的影响

1.5.3 界面能各向异性对界面稳定性的影响

附录1-1 蒸汽相饱和蒸汽压和界面曲率关系

附录1-2 溶质饱和浓度和界面曲率关系

第2章 界面结构

 2.1 晶界模型

2.1.1 小角晶界的位错模型

2.1.2 大角晶界的晶体学几何模型

2.1.3 大角晶界结构的描述

2.1.4 晶界能

 2.2 相界面

2.2.1 fcc/bcc相界面模型

2.2.2 相界面能

附录2-1 简单立方和面心立方晶格小角晶界的结构

附录2-2 立方晶系一些不同Ε值的CSL转换矩阵

第3章 界面电子态

 3.1 表面电子态

3.1.1 表面电子态的产生和特征

3.1.2 表面电子态的模型和理论

3.1.3 表面态种类

3.1.4 清洁表面的电子结构

3.1.5 表面空间电荷层的形成及表面能带的弯曲

 3.2 界面态

3.2.1 金属-半导体界面

3.2.2 半导体-半导体界面

3.2.3 绝缘体-半导体界面

第4章 界面吸附和偏析

 4.1 气固吸附和晶界偏析的基本概况

4.1.1 气固吸附

4.1.2 晶界偏析

 4.2 宏观唯象理论

 4.3 吸附的电子态理论

4.3.1 Lennard-Jones模型

4.3.2 吸附物诱导的功函数变化

4.3.3 吸附力能学

4.3.4 吸附动力学

 4.4 吸附的统计理论

 4.5 界面偏析

4.5.1 单推动力的晶界平衡偏析方程

4.5.2 多推动力的偏析

第5章 界面扩散

 5.1 扩散的基本方程和机理

5.1.1 扩散的基本方程

5.1.2 扩散机理

 5.2 表面扩散

5.2.1 表面扩散的主要特征和种类

5.2.2 表面扩散系数方程

 5.3 晶界扩散

5.3.1 晶界扩散的板片模型

5.3.2 晶界扩散的管道模型

 5.4 晶界的运动

5.4.1 晶界的滑动

5.4.2 晶界的移动

5.4.3 溶质对晶界运动的影响

 5.5 界面扩散的测量技术

第6章 界面形核与长大

 6.1 界面的扩散形核

6.1.1 均匀形核

6.1.2 非均匀形核

 6.2 沉淀相的长大

6.2.1 Zener-Hilter扩散长大方程

6.2.2 台阶的形成及其长大机制

6.2.3 晶界析出相的长大

主要参考文献